一种低温连接的耐高温封装连接材料及其封装连接工艺制造技术

一种低温连接的耐高温封装连接材料及其封装连接工艺，属于微电子封装技术领域。连接材料由锡粉末和镍粉末均匀混合组成，锡粉含量原子百分比为36.7～57％，余量为镍粉；锡粉平均粒径5～30μm，镍粉平均粒径5～20μm；混合粉末与有机溶剂搅拌、混合成均匀糊状或膏状。本发明专利技术工艺是先将基板超生波振荡清洗，取出后冷风吹干；然后用丝网将连接材料印刷于基板焊接面上，将芯片与连接材料对齐、组装成芯片/连接材料/基板连接结构，固定后放入真空炉或气氛炉中；最后快速升温至300～340℃，并保温1h～5h，保温结束冷却、取出实现连接。本发明专利技术工艺可使芯片和基板实现低温、小压力封装，且封装后的接头热稳定性好，耐温能力强。

A low temperature connected high temperature resistant package connection material and its package connection process

A low temperature connected high temperature resistant package connection material and its packaging connection technology belong to the field of microelectronic packaging technology. The connection material is composed of tin powder and nickel powder are mixed uniformly, tin content is 36.7 to 57% atomic percent margin, nickel powder; tin powder average particle size of 5~30 mu m, nickel powder with an average particle size of 5~20 mu m; mixed powder and organic solvent, stirring, mixing into a uniform paste or paste. The process of the invention is the first substrate with ultrasonic vibration cleaning, remove dry cold; and then use the screen printed on the substrate material will connect the welding surface, the chip and the connecting material alignment, assembled into chip / material / substrate connection connection structure, fixed into a vacuum furnace or atmosphere furnace; the rapid heating to 300~340 DEG C 1H ~ 5h, and insulation, thermal insulation, cooling out end connection. The technology of the invention can make the chip and the substrate realize low temperature and small pressure package, and the joint after the package has good thermal stability and strong temperature resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种低温连接的耐高温封装连接材料及其封装连接工艺
本专利技术属于微电子封装
，涉及一种低温连接的耐高温封装连接材料及其封装连接工艺。
技术介绍
发展应用于高温、高功率、高频等极端环境中的电子器件是当前电力电子
发展的重点方向。SiC、GaN和AlN等是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP)之后发展起来的第三代宽带隙(WBS)半导体材料。第一、二代传统半导体集成电路与器件无法在200℃以上的高温环境下持续工作，且输出功率低，受高频、高腐蚀等条件的影响严重。与之相比，SiC和GaN等第三代宽带隙半导体材料具有带隙宽、临界击穿电压高、热导率高、载流子饱和漂移速度大等特点，其半导体电路或器件在～500℃甚至更高温度下仍具有良好的转换特性和工作能力，能有效提高转换效率和工作温度，降低对冷却系统的要求，在航空航天、混合动力装置、高效光伏/风电系统、油气钻探、核电设备等领域300-500℃的高温电路和器件中具有重要的应用价值。然而，SiC和GaN等宽带隙半导体器件的最高允许工作温度不仅取决于半导体材料的性质，还受封装技术的限制，因此解决芯片与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温连接的耐高温封装连接材料，其特征是在于：材料由金属锡粉末和镍粉末均匀混合组成，混合粉末中，锡粉含量原子百分比为36.7～57％，余量为镍粉，并将混合粉末制成均匀糊状或膏状用于耐高温封装连接。

【技术特征摘要】
1.一种低温连接的耐高温封装连接材料，其特征是在于：材料由金属锡粉末和镍粉末均匀混合组成，混合粉末中，锡粉含量原子百分比为36.7～57％，余量为镍粉，并将混合粉末制成均匀糊状或膏状用于耐高温封装连接。2.根据权利要求1所述的一种低温连接的耐高封装连接材料，其特征是在于：所述混合粉末中，锡粉平均粒径5～30μm，镍粉平均粒径5～20μm；混合粉末与有机溶剂搅拌、混合成均匀糊状或膏状，有机溶剂为无水乙醇。3.根据权利要求1或权利要求2所述的一种低温连接的耐高温封装连接材料的封装连接工艺，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：马迎春，
申请(专利权)人：马迎春，
类型：发明
国别省市：浙江,33