IGBT单元制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体应用技术领域，公开了一种IGBT单元，包括多个IGBT模块以及连接机构，多个IGBT模块分别具有壳体以及封装在壳体中的IGBT芯片，当多个IGBT模块并排设置时，利用连接机构将相邻的两个IGBT模块的壳体连接并固定。该IGBT单元能够组装成多样的模块结构，从而满足生产的不同要求。

【技术实现步骤摘要】
IGBT单元
本技术涉及一种半导体应用
，特别涉及一种IGBT模块组装的的IGBT单元。
技术介绍
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品。其核心IGBT是通过BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。该模块因具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，所以能够广泛应用于变频器的逆变电路中。因半导体工艺技术的限制，生产出的IGBT模块器件的电压和电流十分有限，并不能满足一些大功率电器的需求，为了输出更大的电流，通常的解决方案是把多个IGBT模块并联使用。但IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。并且，以往的模块都是固定模块内部的拓扑结构，由多个IGBT芯片组成不同的桥臂。由于模块结构拓扑无法轻易更改，因此不能满足对于多种多样的模块结构的需求。同时，由于IGBT模块对于工作温度有较为严格的要求，过热保护通常采用散热器(包括普通散热器与热管散热器)，并可通过风扇散热或热传导的方式散热。但是，现有的IGBT模块中，IGBT单元过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT单元，包括多个IGBT模块(2)以及连接机构(1)，所述多个IGBT模块(2)分别具有壳体以及封装在壳体中的IGBT芯片，当多个所述IGBT模块(2)并排设置时，利用所述连接机构(1)将相邻的两个IGBT模块(2)的壳体连接并固定。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT单元，包括多个IGBT模块(2)以及连接机构(1)，所述多个IGBT模块(2)分别具有壳体以及封装在壳体中的IGBT芯片，当多个所述IGBT模块(2)并排设置时，利用所述连接机构(1)将相邻的两个IGBT模块(2)的壳体连接并固定。2.根据权利要求1所述的IGBT单元，其特征在于，所述连接机构(1)包括插销(1a)和设置在所述壳体的侧边上的插槽(1b)，当多个所述IGBT模块(2)并排设置时，所述插销(1a)插入所述插槽(1b)，将相邻的两个IGBT模块(2)连接并固定。3.根据权利要求2所述的IGBT单元，其特征在于，在每个壳体的侧边上设置有至少两个插槽(1b)。4.根据权利要求2所述的IGBT单元，其特征在于，所述插槽(1b)位于所述壳体一侧的侧边上；所述连接机构(1)还包括在所述壳体的另一侧的侧边上向外延伸并形成的侧翼(1d)，所述侧翼(1d)上设置有通孔(1e)，当两个所述IGBT模块(2)并排设置时，所述通孔(1e)与所述插槽(1b)重叠，所述插销(1a)穿过所述通孔(1e)以及所述插槽(1b)，将相邻的两个IGBT模块(2)连...

【专利技术属性】
技术研发人员：项澹颐，
申请(专利权)人：富士电机中国有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31