一种振幅控制电路及电感电容压控振荡器电路制造技术

本发明专利技术公开了一种振幅控制电路，包括：振幅提取电路，连接振幅检测电路，用于提取交流振幅信号，将所述交流振幅信号发送到所述振幅检测电路；所述振幅检测电路，连接比较电路，用于将所述交流振幅信号转换为直流信号，并将所述直流信号发送到所述比较电路；比较基准产生电路，连接所述比较电路，用于产生基准信号，并将所述基准信号发送到所述比较电路；所述比较电路连接低通滤波电路，用于对所述直流信号与所述基准信号进行比较后，产生对应的控制信号，并将所述控制信号发送到低通滤波电路；所述低通滤波电路对控制信号进行滤波后输出。本发明专利技术的振幅控制电路电路功耗低且电路稳定、相位噪声低。

An amplitude control circuit and an inductor and capacitive voltage controlled oscillator circuit

The invention discloses an amplitude control circuit includes amplitude extraction circuit connected amplitude detection circuit, for extracting AC amplitude signal, transmits the AC amplitude signal to the amplitude detection circuit; the amplitude detection circuit is connected with a comparison circuit, used to convert the AC signal into DC signal and amplitude. Send the DC signal to the comparison circuit; comparison reference generating circuit is connected with the comparison circuit for generating a reference signal, and transmits the reference signal to the comparison circuit; the comparison circuit is connected with the low-pass filter circuit for the DC signal is compared with the reference signal after the corresponding control signals are generated, and the control signal is sent to the low-pass filter circuit; the low-pass filter circuit to control the output signal after filtering . The amplitude control circuit of the invention has low power consumption, stable circuit and low phase noise.

【技术实现步骤摘要】
一种振幅控制电路及电感电容压控振荡器电路
本专利技术属于射频电路领域，具体涉及一种振幅控制电路及电感电容压控振荡器电路。
技术介绍
随着射频CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,互补金属氧化物半导体)工艺的发展，越来越多的射频电路模块，如LNA(LowNoiseAmplifier,低噪声放大器)、LCVCO(LCVoltage-ControlledOscillator,电感电容压控振荡器)等可以在芯片上实现。目前，芯片的功耗成为一个越来越重要的指标，为了降低LCVCO的功耗，可适当减小LCVCO的振幅，使用更小的LCVCO尾电流。但是简单直接的减小LCVCO的尾电流，减小了LCVCO的振幅，可能造成LCVCO不能起振。此外，当LCVCO工作时，由于生产工艺的偏差，电压、温度的变化，以及LCVCO谐振腔中电感或电容的变化会使得LCVCO的振荡频率发生变化，从而造成振荡器振幅的变化，进而影响电路的稳定性，给电路增加额外的相位噪声。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供一种能够降低电路功耗且电路稳定、相位噪声低的振幅控制电路及电感电容压控振荡器电路。为了实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案是：一种振幅控制电路，包括：振幅提取电路，连接振幅检测电路，用于提取交流振幅信号，将所述交流振幅信号发送到所述振幅检测电路；所述振幅检测电路，连接比较电路，用于将所述交流振幅信号转换为直流信号，并将所述直流信号发送到所述比较电路；比较基准产生电路，连接所述比较电路，用于产生基准信号，并将所述基准信号发送到所述比较电路；所述比较电路连接低通滤波电路，用于对所述直流信号与所述基准信号进行比较后，产生对应的控制信号，并将所述控制信号发送到低通滤波电路；所述低通滤波电路对控制信号进行滤波后输出。进一步地，所述振幅提取电路具体包括：第一电容，所述第一电容两端分别连接第一振幅信号输入端、第一电阻一端，所述第一电容连接所述第一电阻的一端还连接到所述振幅检测电路；所述第一电阻另一端连接第二电阻一端、第三电阻一端、第一MOS管的D极；所述第三电阻另一端连接电源端；所述第一MOS管的G极连接驱动电压端、S极接地；所述第二电阻另一端连接第二电容一端；所述第二电容另一端连接第二振幅信号输入端，所述第二电容连接所述第二电阻的一端还连接到所述振幅检测电路。进一步地，所述振幅检测电路具体包括：第二MOS管，所述第二MOS管的D极连接电源端，所述第二MOS管的G极连接在所述第一电容与所述第一电阻之间，所述第二MOS管的S极连接第四电阻一端、第三MOS管的S极、第三电容一端；所述第四电阻另一端接地，所述第三电容另一端连接电源端；所述第三电容连接所述第四电阻的一端还连接到所述比较电路；所述第三MOS管的G极连接在所述第二电阻与第二电容之间，所述第三MOS管的D极连接电源端。进一步地，所述比较基准产生电路具体包括：第四MOS管，所述第四MOS管的G极连接驱动电压端，所述第四MOS管的S极接地，所述第四MOS管的D极连接第五电阻一端、第五MOS管的G极；所述第五电阻另一端连接电源端；所述第五MOS管的D极连接电源端，所述第五MOS管的S极连接第六电阻一端、第四电容一端；所述第六电阻另一端接地，所述第四电容另一端连接电源端；所述第四电容连接所述第六电阻的一端还连接到所述比较电路。进一步地，所述比较电路包括一运算放大器，所述运算放大器同相输入端连接所述振幅检测电路信号输出端，反相输入端连接所述比较基准产生电路信号输出端。进一步地，所述低通滤波电路包括一滤波电容。本专利技术同时提供一种电感电容压控振荡器电路，包括LCVCO电路，还包括本专利技术所述的振幅控制电路，所述振幅控制电路以负反馈方式连接所述LCVCO电路。与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：本专利技术的振幅控制电路首先提取振幅信息，通过振幅检测电路将振幅信息转换为直流电平，然后通过运算放大器将该直流电平与参考基准进行比较，比较后的输出信号作为振荡器控制信号，由此来调节振荡器尾电流的大小，从而形成负反馈控制回路。本专利技术的电路通过负反馈控制振荡器的振幅频率，使得振荡器起振能力增强的同时降低功耗，且输出稳定振幅，提高振荡器的稳定性以及相位噪声性能。附图说明图1为本专利技术实施例提供的振幅控制电路模块框图；图2为本专利技术实施例提供的振幅提取电路图；图3为本专利技术实施例提供的振幅检测电路图；图4为本专利技术实施例提供的比较基准产生电路图；图5为本专利技术实施例提供的振幅控制电路图；图6为本专利技术实施例提供的电感电容压控振荡器电路图。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利技术作进一步的详细描述。但不应将此理解为本专利技术上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本
技术实现思路
所实现的技术均属于本专利技术的范围。实施例一图1为本专利技术实施例提供的振幅控制电路模块框图，包括：振幅提取电路1，连接振幅检测电路2，用于提取交流振幅信号，将所述交流振幅信号发送到所述振幅检测电路2；所述振幅检测电路2，连接比较电路4，用于将所述交流振幅信号转换为直流信号，并将所述直流信号发送到所述比较电路4；比较基准产生电路3，连接所述比较电路4，用于产生基准信号，并将所述基准信号发送到所述比较电路4；所述比较电路4连接低通滤波电路5，用于对所述直流信号与所述基准信号进行比较后，产生对应的控制信号，并将所述控制信号发送到低通滤波电路5；所述低通滤波电路5对控制信号进行滤波后输出。本专利技术的振幅控制电路首先提取振幅信息，通过振幅检测电路将振幅信息转换为直流电平，然后通过运算放大器将该直流电平与参考基准进行比较，比较后的输出信号作为振荡器控制信号，由此来调节振荡器尾电流的大小，从而形成负反馈控制回路。本专利技术的电路通过负反馈控制振荡器的振幅频率，使得振荡器起振能力增强的同时降低功耗，且输出稳定振幅，提高振荡器的稳定性以及相位噪声性能。在一个具体实施方式中，参看图2，所述振幅提取电路具体包括：第一电容C1，所述第一电容C1两端分别连接第一振幅信号输入端Von、第一电阻R1一端，所述第一电容C1连接所述第一电阻R1的一端还连接到所述振幅检测电路2；所述第一电阻R1另一端连接第二电阻R2一端、第三电阻R3一端、第一MOS管M1的D极；所述第三电阻R3另一端连接电源端VDD；所述第一MOS管M1的G极连接驱动电压端Vb、S极接地；所述第二电阻R2另一端连接第二电容C2一端；所述第二电容C2另一端连接第二振幅信号输入端Vop，所述第二电容C2连接所述第二电阻R2的一端还连接到所述振幅检测电路2。在一个具体实施方式中，参看图3，所述振幅检测电路具体包括：第二MOS管M2，所述第二MOS管M2的D极连接电源端VDD，所述第二MOS管M2的G极连接在所述第一电容C1与所述第一电阻R1之间，所述第二MOS管M2的S极连接第四电阻R4一端、第三MOS管的S极、第三电容C3一端；所述第四电阻R4另一端接地，所述第三电容C3另一端连接电源端VDD；所述第三电容C3连接所述第四电阻R4的一端还连接到所述比较电路4；所述第三MOS管的G极连接在所述第二电阻R2余第二电容C2之间，所述第三MOS管的D极连接电源端VDD。在一个具体实施方式中，参看图4，所述比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种振幅控制电路，其特征在于，包括：振幅提取电路(1)，连接振幅检测电路(2)，用于提取交流振幅信号，将所述交流振幅信号发送到所述振幅检测电路；所述振幅检测电路(2)，连接比较电路(3)，用于将所述交流振幅信号转换为直流信号，并将所述直流信号发送到所述比较电路；比较基准产生电路(3)，连接所述比较电路(4)，用于产生基准信号，并将所述基准信号发送到所述比较电路；所述比较电路(4)连接低通滤波电路(5)，用于对所述直流信号与所述基准信号进行比较后，产生对应的控制信号，并将所述控制信号发送到低通滤波电路；所述低通滤波电路(5)对控制信号进行滤波后输出。

【技术特征摘要】
1.一种振幅控制电路，其特征在于，包括：振幅提取电路(1)，连接振幅检测电路(2)，用于提取交流振幅信号，将所述交流振幅信号发送到所述振幅检测电路；所述振幅检测电路(2)，连接比较电路(3)，用于将所述交流振幅信号转换为直流信号，并将所述直流信号发送到所述比较电路；比较基准产生电路(3)，连接所述比较电路(4)，用于产生基准信号，并将所述基准信号发送到所述比较电路；所述比较电路(4)连接低通滤波电路(5)，用于对所述直流信号与所述基准信号进行比较后，产生对应的控制信号，并将所述控制信号发送到低通滤波电路；所述低通滤波电路(5)对控制信号进行滤波后输出。2.根据权利要求1所述的振幅控制电路，其特征在于，所述振幅提取电路(1)包括：第一电容(C1)，所述第一电容(C1)两端分别连接第一振幅信号输入端(Von)及第一电阻(R1)一端，所述第一电容(C1)连接所述第一电阻(R1)的一端还连接到所述振幅检测电路(2)；所述第一电阻(R1)另一端分别连接第二电阻(R2)一端、第三电阻(R3)一端及第一MOS管(M1)的漏极；所述第三电阻(R3)另一端连接电源端(VDD)；所述第一MOS管(M1)的栅极连接驱动电压端(Vb)且其源极连接接地端(GND)；所述第二电阻(R2)另一端连接第二电容(C2)一端；所述第二电容(C2)另一端连接第二振幅信号输入端(Vop)，所述第二电容(C2)连接所述第二电阻(R2)的一端还连接到所述振幅检测电路(2)。3.根据权利要求2所述的振幅控制电路，其特征在于，所述振幅检测电路(2)包括：第二MOS管(M2)，所述第二MOS管(M2)的D极连接电源端(VDD)，所述第二MOS管(M2)的G极连接在所述第一电容(C1...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱樟明，黄胜，刘术彬，杨银堂，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61