一种直流降压转换器，包括依次电性连接的供电电源、驱动器、高侧金属氧化物半导体场效应晶体管、低侧金属氧化物半导体场效应晶体管、电感、电容、电路检测电路及压控转换器，所述检测电路电性连接至所述电感两端，所述压控转换器电性连接至所述充电电源、电流检测电路及驱动器，所述压控转换器将所述供电电源提供的供电电压转换为驱动电压输出至所述驱动器，所述检测电路检测所述电感上流过的输出电流，并将所述输出电流转换为对应的参考电压，所述压控转换器根据所述参考电压来调节所述驱动电压，所述驱动电压随所述输出电流的变化而正向线性变化。所述直流降压转换器能有效较小其自身的功率损耗。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种电压转换器，尤其涉及ー种直流降压转换器。
技术介绍
请參阅图1，所示为ー现有的直流降压转换器(DC-to-DC Voltage Converter),包括驱动器11、脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation, PWM)信号产生器12、高侧金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET) QlI、低侧MOSFET Q12、电感Lll以及电容C11。所述PWM信号产生器12输出PWM信号至所述驱动器11。所述驱动器11电性连接至供电电压为Vl的供电电源13，所述高侧MOSFET Qll及低侧MOSFET Q12的栅极均电性连接至所述驱动器11，所述高侧MOSFET Qll 的漏极还电性连接至一输入电源V2。所述驱动器11输出驱动信号分别至所述高侧MOSFETQll及低侧MOSFET Q12的栅极。所述驱动信号的频率与占空比与所述PWM信号相同，以驱动所述高侧MOSFET Qll及低侧MOSFET Q12依次导通与截止，从而使得所述电感Lll及电容Cll进行循环充电与放电来产生输出电压V3。但是，上述的供电电源13的供电电压Vl —般是恒定不变的，若上述直流降压转换器所驱动的负载所需电流较小时，则会造成系统功率的较大损耗。
技术实现思路
针对上述问题，有必要提供一种能减小功率损耗的直流降压转换器。ー种直流降压转换器，包括依次电性连接的供电电源、驱动器、电感、电容、电路检测电路及压控转换器，所述直流降压转换器还包括均电性连接至所述驱动器的高侧金属氧化物半导体场效应晶体管、低侧金属氧化物半导体场效应晶体管及脉冲宽度调制信号产生器，所述驱动器根据ー脉冲宽度调制信号来驱动所述高侧金属氧化物半导体场效应晶体管及低侧金属氧化物半导体场效应晶体管依次导通与截止，从而对所述电感及电容充电与放电，所述检测电路电性连接至所述电感两端，所述压控转换器电性连接至所述充电电源、电流检测电路及驱动器，所述压控转换器将所述供电电源提供的供电电压转换为驱动电压输出至所述驱动器，所述检测电路检测所述电感上流过的输出电流，并将所述输出电流转换为对应的參考电压，所述压控转换器根据所述參考电压来调节所述驱动电压，所述驱动电压随所述输出电流的变化而正向线性变化。所述的直流降压转换器通过所述电流检测电路来检测所述电感上流过的电流，并转换成相应的參考电压，通过所述压控转换器将所述供电电源输出的供电电压转换为可随所述參考电压变化而相应变化的驱动电压，来驱动所述驱动器。由于所述驱动器的驱动电压可随负载的变化而相应调整，因此有效降低了所述直流降压转换器的功率损耗。附图说明图I是ー现有的直流降压转换器的电路图。图2是本专利技术较佳实施方式的直流降压转换器的电路图。主要元件符号说明权利要求1.一种直流降压转换器，包括依次电性连接的供电电源、驱动器、电感及电容，所述直流降压转换器还包括均电性连接至所述驱动器的高侧金属氧化物半导体场效应晶体管、低侧金属氧化物半导体场效应晶体管及脉冲宽度调制信号产生器，所述驱动器根据脉冲宽度调制信号产生器产生的一脉冲宽度调制信号来驱动所述高侧金属氧化物半导体场效应晶体管及低侧金属氧化物半导体场效应晶体管依次导通与截止，从而对所述电感及电容充电与放电，其特征在于所述直流降压转换器还包括电路检测电路及压控转换器，所述检测电路电性连接至所述电感两端，所述压控转换器电性连接至所述充电电源、电流检测电路及驱动器，所述压控转换器将所述供电电源提供的供电电压转换为驱动电压输出至所述驱动器，所述检测电路检测所述电感上流过的输出电流，并将所述输出电流转换为对应的参考电压，所述压控转换器根据所述参考电压来调节所述驱动电压，所述驱动电压随所述输出电流的变化而正向线性变化。2.如权利要求I所述的直流降压转换器，其特征在于所述检测电路包括电流传感器，所述电流传感器并联至所述电感两端，所述电流传感器用于检测所述电感上流过的所述输出电流的大小，并将所述输出电流转换为电压信号。3.如权利要求2所述的直流降压转换器，其特征在于所述电流传感器包括感测电阻及感测电容，所述感测电阻及感测电容相互串联后并联至所述电感两端，所述感测电容两端的压降与所述电感的等效电阻两端的压降相等。4.如权利要求3所述的直流降压转换器，其特征在于所述电流传感器还包括运算放大器，所述运算放大器的的正向输入端及反向输入端分别电性连接至所述感测电容两端，所述运算放大器的输出端电性连接至所述压控转换器，所述运算放大器用于将所述感测电容两端的电压进行放大。全文摘要一种直流降压转换器，包括依次电性连接的供电电源、驱动器、高侧金属氧化物半导体场效应晶体管、低侧金属氧化物半导体场效应晶体管、电感、电容、电路检测电路及压控转换器，所述检测电路电性连接至所述电感两端，所述压控转换器电性连接至所述充电电源、电流检测电路及驱动器，所述压控转换器将所述供电电源提供的供电电压转换为驱动电压输出至所述驱动器，所述检测电路检测所述电感上流过的输出电流，并将所述输出电流转换为对应的参考电压，所述压控转换器根据所述参考电压来调节所述驱动电压，所述驱动电压随所述输出电流的变化而正向线性变化。所述直流降压转换器能有效较小其自身的功率损耗。文档编号H02M3/157GK102820783SQ201110153960公开日2012年12月12日 申请日期2011年6月9日 优先权日2011年6月9日专利技术者戴方达, 孙任范, 林承庠, 林承毅 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种直流降压转换器，包括依次电性连接的供电电源、驱动器、电感及电容，所述直流降压转换器还包括均电性连接至所述驱动器的高侧金属氧化物半导体场效应晶体管、低侧金属氧化物半导体场效应晶体管及脉冲宽度调制信号产生器，所述驱动器根据脉冲宽度调制信号产生器产生的一脉冲宽度调制信号来驱动所述高侧金属氧化物半导体场效应晶体管及低侧金属氧化物半导体场效应晶体管依次导通与截止，从而对所述电感及电容充电与放电，其特征在于：所述直流降压转换器还包括电路检测电路及压控转换器，所述检测电路电性连接至所述电感两端，所述压控转换器电性连接至所述充电电源、电流检测电路及驱动器，所述压控转换器将所述供电电源提供的供电电压转换为驱动电压输出至所述驱动器，所述检测电路检测所述电感上流过的输出电流，并将所述输出电流转换为对应的参考电压，所述压控转换器根据所述参考电压来调节所述驱动电压，所述驱动电压随所述输出电流的变化而正向线性变化。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：戴方达，孙任范，林承庠，林承毅，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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