【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低功率的基于电流重用变压器的双频带压控振荡器
本公开一般地涉及压控振荡器(VCO),并且更特别地涉及基于电流重用变压器的双频带VCO。
技术介绍
锁相环(PLL)广泛地使用在许多电子器件领域中,包括电信作为控制系统。PLL可以包括生成信号的VCO,该信号由PLL用来将振荡器的相位与接收信号的相位相匹配。PLL可以向VCO供应电压以保持接收信号和VCO信号的相位相匹配。许多电子设备(例如,移动通信设备)在宽频率范围上操作。然而,展宽单个VCO的转向范围的努力导致相位噪声恶化或功耗增加。双频带VCO可以采用两个振荡器核心并且操作在两个频带中,例如在大约2.4-4.0GHz(低频带)的范围和大约3.3-5.6GHz(高频带)的范围中,并且可以操作在偶模式(即,两个核心的输出信号同相)或奇模式(即,两个核心的输出信号异相)中。常规的双频带VCO可以具有两个VCO核心,该两个VCO核心具有n沟道金属氧化物半导体(NMOS)交叉耦合的晶体管。然而,交叉耦合的NMOSVCO架构可能要求高操作电流。进一步地,常规的双频带VCO可能变得不稳定,即,在高频带和/或低频带操作期间,VCO可能在多于一个频率处振荡。
技术实现思路
提供了用于实施基于电流重用变压器的双频带VCO的装置和方法。根据各种实施例,提供了一种双频带VCO。在一些实施例中,双频带VCO可以包括:第一振荡器电路,包括第一电感器;第二振荡器电路,包括第二电感器;第一模式开关,被配置为电连接或断开第一振荡器电路的第一输出端子和第二振荡器电路的第一输出端子;第二模式开关,被配置为电连接或断开第一振荡器电路的第二输出端子和 ...
【技术保护点】
一种双频带压控振荡器(VCO),包括:第一振荡器电路,包括第一电感器;第二振荡器电路,包括第二电感器;第一模式开关,被配置为电连接或断开所述第一振荡器电路的第一输出端子和所述第二振荡器电路的第一输出端子;第二模式开关,被配置为电连接或断开所述第一振荡器电路的第二输出端子和所述第二振荡器电路的第二输出端子;第三模式开关,被配置为电连接或断开所述第一电感器的第一端子和所述第二电感器的第一端子;以及第四模式开关,被配置为电连接或断开所述第一电感器的第二端子和所述第二电感器的第二端子。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.19 US 14/745,0331.一种双频带压控振荡器(VCO),包括:第一振荡器电路,包括第一电感器;第二振荡器电路,包括第二电感器;第一模式开关,被配置为电连接或断开所述第一振荡器电路的第一输出端子和所述第二振荡器电路的第一输出端子;第二模式开关,被配置为电连接或断开所述第一振荡器电路的第二输出端子和所述第二振荡器电路的第二输出端子;第三模式开关,被配置为电连接或断开所述第一电感器的第一端子和所述第二电感器的第一端子;以及第四模式开关,被配置为电连接或断开所述第一电感器的第二端子和所述第二电感器的第二端子。2.根据权利要求1所述的双频带VCO,进一步包括:第一耦合电容器,被配置为将所述第一振荡器电路的所述第一输出端子电耦合到所述第二振荡器电路的所述第一输出端子;以及第二耦合电容器,被配置为将所述第一振荡器电路的所述第二输出端子电耦合到所述第二振荡器电路的所述第二输出端子。3.根据权利要求2所述的双频带VCO,其中所述双频带VCO以低频带配置操作,所述第一模式开关和所述第二模式开关处于断路状态并且所述第三模式开关和所述第四模式开关处于闭合状态。4.根据权利要求3所述的双频带VCO,其中在所述断路状态下,所述第一模式开关断开所述第一振荡器电路的所述第一输出端子和所述第二振荡器电路的所述第一输出端子,并且使得所述第一耦合电容器电耦合所述第一振荡器电路的所述第一输出端子和所述第二振荡器电路的所述第一输出端子;以及其中在所述断路状态下,所述第二模式开关断开所述第一振荡器电路的所述第二输出端子和所述第二振荡器电路的所述第二输出端子,并且使得所述第二耦合电容器电耦合所述第一振荡器电路的所述第二输出端子和所述第二振荡器电路的所述第二输出端子。5.根据权利要求3所述的双频带VCO,其中在所述闭合状态下,所述第三模式开关连接所述第一电感器的所述第一端子和所述第二电感器的所述第一端子;其中在所述闭合状态下,所述第四模式开关连接所述第一电感器的所述第二端子和所述第二电感器的所述第二端子。6.根据权利要求2所述的双频带VCO,其中所述双频带VCO以高频带配置操作,所述第一模式开关和所述第二模式开关处于闭合状态并且所述第三模式开关和所述第四模式开关处于断路状态。7.根据权利要求6所述的双频带VCO,其中在所述闭合状态下,所述第一模式开关使所述第一耦合电容器短路,并且电耦合所述第一振荡器电路的所述第一输出端子和所述第二振荡器电路的所述第一输出端子;以及其中在所述闭合状态下,所述第二模式开关使所述第二耦合电容器短路,并且电耦合所述第一振荡器电路的所述第二输出端子和所述第二振荡器电路的所述第二输出端子。8.根据权利要求6所述的双频带VCO,其中在所述断路状态下,所述第三模式开关引起所述第一电感器的所述第二端子与所述第二电感器的所述第一端子之间的电连接;其中在所述断路状态下,所述第四模式开关引起所述第一电感器的所述第一端子与所述第二电感器的所述第二端子之间的电连接。9.根据权利要求1所述的双频带VCO,其中所述第一电感器和所述第二电感器被配置作为变压器。10.根据权利要求9所述的双频带VCO,其中所述变压器包括平面变压器,所述平面变压器使得所述第二电感器布置在由所述第一电感器描述的区域内。11.根据权利要求9所述的双频带VCO,其中所述第一电感器和所述第二电感器具有相同的电感值。12.根据权利要求9所述的双频带VCO,其中所述变压器在所述第一电感器与所述第二电感器之间具有大约0.2的耦合系数。13.根据权利要求1所述的双频带VCO,其中所述第一模式开关、所述第二模式开关、所述第三模式开关和所述第四模式开关选自由以下各项构成的组:n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管、p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、以及微机电开关。14.根据权利要求1所述的双频带VCO,进一步包括:第一放大器电路,包括耦合到所述第一电感器的p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管的交叉耦合对;以及第二放大器电路,包括耦合到所述第二电感器的n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管的交叉耦合对。15.根据权利要求14所述的双频带VCO,进一步包括:第一退化阻抗,被配置为将所述第一放大器电路耦合到第一电源;以及第二退化阻抗,被配置为将所述第二放大器电路耦合到第二电源。16.一种移动通信设备,包括:锁相环(PLL);...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·法拉齐安,M·穆斯勒赫巴杰斯坦,唐艺伍,朴钟民,荣苏江,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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