一种晶硅太阳能电池SiO2钝化工序用双喷淋装置制造方法及图纸

一种晶硅太阳能电池SiO2钝化工序用双喷淋装置包括待处理的电池片、位于电池片上方的喷淋装置及抽气装置，所述喷淋装置为两组呈相对设置的喷淋装置，所述电池片置于两组喷淋装置之间，所述两组喷淋装置的两侧端均设置有抽气装置，在两组喷淋装置及四组抽气装置运行状态下，抽气口设置在外侧，增加了气氛区的面积，使硅片在气氛区的时间变长，电池边缘及侧面受到钝化气体的处理更充分，从而钝化效果更好，增加钝化气体与电池片的接触次数，增加钝化效果，特别是对电池背面的边缘裸露区域以及电极与铝背场之间的裸露区域，实现了电池背面和侧面的全钝化。

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅太阳能电池SiO2钝化工序用双喷淋装置
本专利技术属于晶硅太阳能电池制作领域，具体涉及一种对晶硅太阳能电池片一步实现双面SiO2钝化装置。
技术介绍
当前常规电池为提高抗PID效果，一般通过O3或笑气处理电池片扩散后绒面，在电池p-n结与氮化硅膜层之间生长一层SiO2层，利用SiO2层的高致密性阻挡金属Na离子浸入p-n结。同时，SiO2与Si匹配性更好；可有效降低Si表面的界面态密度，减少硅片表面的高复合缺陷，对硅片表面有更好的钝化作用，从而提高电池的性能。晶硅太阳能电池的背面高复合缺陷也是晶硅太阳能电池需要改善和解决的重要问题；由于硅片背面的铝背场距离电池边缘存在约0.5~1mm的距离，这部分区域的硅未经过钝化处理而直接裸露在外面，是电池背面高复合的重要来源之一；背面银电极与铝背场交界的地方也存在裸露的硅，也是电池背面高复合的重要来源之一。目前利用SiO2钝化处理硅片一般仅钝化处理硅片的绒面，硅片的背面SiO2钝化处理仅在PERC等特殊结构的高效电池上有少量使用，而且工艺复杂，并需要特殊的设备，成本太高；并且缺少SiO2的双面钝化处理设备，常规设备为单面SiO2钝化处理设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶硅太阳能电池SiO2钝化工序用双喷淋装置，包括待处理的电池片、位于电池片上方的喷淋装置及抽气装置，其特征在于所述喷淋装置为两组呈相对设置的喷淋装置，所述电池片置于两组喷淋装置之间，所述两组喷淋装置的两侧端均设置有抽气装置，在两组喷淋装置及四组抽气装置运行状态下，抽气装置对喷淋装置所喷淋的气体进行干扰，分别在电池片上方及电池片下方形成气氛区，从而对电池片双面进行有效钝化。

【技术特征摘要】
1.一种晶硅太阳能电池SiO2钝化工序用双喷淋装置，包括待处理的电池片、位于电池片上方的喷淋装置及抽气装置，其特征在于所述喷淋装置为两组呈相对设置的喷淋装置，所述电池片置于两组喷淋装置之间，所述两组喷淋装置的两侧端均设置有抽气装置，在两组喷淋装置及四组抽气装置运行状态下，抽气装置对喷淋装置所喷淋的气体进行干扰，分别在电池片上方及电池片下方形成气氛区，从而对电池片双面进行有效钝化。2.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池SiO2钝化工序用双喷淋装置，其特征在于所述喷淋装置包括壳体、位于壳体上方的钝化气体进气孔及位于壳体下方的喷淋...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨永平，陈阳泉，钱金梁，孙光辉，
申请(专利权)人：润峰电力有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37