本发明专利技术涉及一种新型的电致发光器件,特别是一种发光二极管,尤其特别是基于无机半导体发光量子点或有机发光材料的发光二极管,此器件包含有一功能层(Ferroelectric thin layer，FTL),所述的功能层具有铁电性能或包含有一铁电材料。本发明专利技术也涉及所述的电致发光器件的器件结构,其生产方法。本发明专利技术还涉及所述的电致发光器件在照明和显示技术及其他场合中的应用。
An electroluminescent device
The invention relates to a novel electroluminescent device, especially a light emitting diode, light emitting diode is especially inorganic semiconductor quantum dots or organic electroluminescent materials based on this device comprises a functional layer (Ferroelectric thin layer, FTL), the function layer has the ferroelectric properties or contain a ferroelectric material. The invention also relates to the device structure of the electroluminescent device, and the production method thereof. The invention also relates to the application of the electroluminescent device in lighting and display technology and in other situations.
【技术实现步骤摘要】
一种电致发光器件所属
:本专利技术涉及一种新型的电致发光器件,特别是一种发光二极管,尤其特别是基于量子点或有机发光材料的发光二极管，其器件结构,其生产方法及其在照明和显示技术及其他场合中的应用。
技术介绍
:薄膜电致发光器件,特别是有机发光二极管(OLEDs)(参见TANG等Appl.Phys.Lett.1987,51,p913),和量子点发光二极管(QDLEDs)(参见Allvisatos等Nature1994，370,p354),由于其自主发光,高亮度,丰富的通过化学合成对颜色的可调性,柔性等成为目前最有希望的下一代显示及照明技术。特别是它们可能通过打印的方法,如喷墨打印(InkJetPrinting),丝网印刷(ScreenPrinting)等技术从溶液中成膜,从而可大大降低制造成本,因此对大屏幕显示器和照明器就特别有吸引力。从器件的稳定性方面考虑，使用高活性，低功函数的金属（如钡或钙）作为阴极材料是传统的OLED器件架构的主要关注的一个问题，因为在氧气和水分的存在下，它们很容易降解。QDLEDs也有同样的问题,因为在QDLEDs中通常要用有机材料作为电子传输材料(参见Nature2002,420,p800)。因此，开发更稳定的电极系统或电子传输材料或其组合对实现稳定和高效率的OLED或QDLED是极为重要的。LEEC(LightEmittingelectrochemicalCell)(参见Pei&Heeger,Science(1995),269,pp1086-1088)，即发光电池，通过在OLED的发光层中加入离子液体形成的,移动离子在电极和发光层形成离子双电层，从而降低或取消电子或空穴的注入能垒。但移动离子也造成器件的开关速度慢,及低寿命。另外，在显示器中,如果每个点素有一定的记忆功能，可以简化驱动电路的设计。
技术实现思路
为了克服综上所述的现有的薄膜电致发光器件的缺点，本专利技术提供一种全新的包含有一功能层(Ferroelectricthinlayer，FTL)的电致发光器件,其功能层具有铁电性能或包含有一铁电材料，特别是OLED或QDLED,从而扩展了可用于显示器件，照明及其他场合中的技术选项。按照本专利技术的发光器件将利用铁电功能层降低或取消电子或空穴的注入能垒,并在发光器件引入记忆功能。本专利技术的第二个目的是提供此薄膜电致发光器件的制备方法。本专利技术的第三个目的是提供此薄膜电致发光器件的各种应用。附图简述图1是按照本专利技术的一种发光器件结构图。图中101.基板，102.阳极，103.发光层，104.阴极，105.FTL。图2是按照本专利技术的另一种发光器件结构图。图中201.基板，202.阴极，203.发光层，204.阳极，205.FTL。图3是按照本专利技术的一种优先的发光器件结构图。图中301.基板，302.阴极，303.发光层，304.阳极，305.FTL，306.HIL或HTL或EBL。图4是按照本专利技术的另一种优先的发光器件结构图。图中401.基板，402.阳极，403.发光层，404.阴极，405.FTL，406.EIL或ETL或HBL。专利技术的详细描述应当认识到，以下所做的描述和显示的具体实施是本专利技术的实例，并不意味着以任何方式另外限制本专利技术的范围。实际上，出于简洁的目的，在此可能没有详细描述常规电子器件、制造方法、半导体器件，以及纳米晶体、纳米线(NW)、纳米棒、纳米管和纳米带技术，相关的有机材料，以及系统的其它功能。本专利技术提供一种新型的电致发光器件,包含1)两个电极;2)置于两个电极之间的一发光层(EML);3)至少一个置于一个电极和发光层之间的层(FTL),它具有铁电性能或包含有一铁电材料。在某种实施方案中，发光层可以由单一的发光体组成.在一个优先的实施方案中，发光层包含有至少一个的主体材料及至少一个的发光体组成。在本专利技术中，Host，主体材料，基体材料和基质材料具有相同的含义，它们可以互换。原则上，所有的有发光性能的材料都可能作为发光体用于本专利技术的器件中。这里所谓的发光性能是指此材料吸收一定量某一形式的能量后(如光能，电能，化学能，机械能)，以光能的形式重新释放。优先选择的发光材料是具有直接带隙的半导体材料。按照本专利技术的电致发光器件的发光波长范围从380nm到1000nm，更好的从380nm到850nm，最好是从400nm到680nm。在一个的实施方案中，按照本专利技术的电致发光器件的发光光谱较窄，有鲜明的颜色，如红，蓝，绿等。在另一个的实施方案中，按照本专利技术的电致发光器件的发光光谱较宽，如白光。在一个优先的实施方案中，本专利技术中的EML包含有无机半导体纳米晶体作为发光体。在某些实施例中，无机半导体纳米发光晶体的平均粒径约在1到1000nm范围内。在某些实施例中，无机半导体纳米发光晶体的平均粒径约在1到100nm。在某些实施例中，无机半导体纳米发光晶体的平均粒径约在1到20nm，最好从1到10nm。特别是,具有粒径单分散分布的无机半导体纳米晶体将称为量子点。形成半导体纳米发光晶体的半导体可以包含一个第四族元素，一组II-VI族化合物，一组II-V族化合物，一组III-VI族化合物，一组III-V族化合物，一组IV-VI族化合物，一组I-III-VI族化合物,一组II-IV-VI族化合物,一组II-IV-V族化合物，一个包括上述任何一类的合金，和/或包括上述各化合物的混合物，包括三元，四元的混合物或合金。一个非限制性的例子清单包括氧化锌，硫化锌，硒化锌，碲化锌，氧化镉，硫化镉，硒化镉，碲化镉，硫化镁，硒化镁，砷化镓，氮化镓，磷化镓，硒化镓，锑化镓，氧化汞，硫化汞，硒化汞，碲化汞，砷化铟，氮化铟，磷化铟，锑化铟，砷化铝，氮化铝，磷化铝，锑化铝，氮化钛,磷化钛,砷化钛,锑化钛，氧化铅，硫化铅，硒化铅，碲化铅，锗，硅，一个包括上述任何化合物的合金，和/或一个包括上述任何化合物的混合物，包括三元，四元混合物或合金。在一个很优先的实施例中，无机半导体纳米发光晶体包含有II-VI族半导体材料，优先选自CdSe,CdS,CdTe,ZnO,ZnSe,ZnS,ZnTe,HgS,HgSe,HgTe,CdZnSe及它们的任何组合。在合适的实施方案中，由于CdSe的合成相对成熟而将此材料用作用于可见光的纳米发光材料。在另一个优先的实施例中，半导体纳米发光晶体包含有III-V族半导体材料，优先选自InAs,InP,InN,GaN,InSb,InAsP,InGaAs,GaAs,GaP,GaSb,AlP,AlN,AlAs,AlSb,CdSeTe,ZnCdSe及它们的任何组合。在另一个优先的实施例中，半导体纳米发光晶体包含有IV-VI族半导体材料，优先选自PbSe,PbTe,PbS,PbSnTe,Tl2SnTe5及它们的任何组合。半导体纳米晶体的形状和其他纳米粒子的例子可以包括球形，棒状，盘状，十字形，T形，其他形状，或它们的混合物。制造半导体纳米晶体的方法有多种,一个优先的方法是控制生长的溶液相胶体法。有关此法的详细内容可参见Alivisatos,A.P,Science1996,271,p933；X.Peng等,J.Am.Chem.Soc.1997,119,p7019；和C.B.Murray等J.Am.Che本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电致发光器件,包含1)两个电极；2)置于两个电极之间的一发光层EML；3)至少一个置于一个电极和发光层EML之间的层FTL；其特征在于，(1)所述的层FTL具有铁电性能，(2)所述的层FTL与所述的发光层EML直接接触。
【技术特征摘要】
2012.12.11 CN 20121054352121.一种电致发光器件,包含1)两个电极；2)置于两个电极之间的一发光层EML；3)至少一个置于一个电极和发光层EML之间的层FTL；其特征在于，(1)所述的层FTL具有铁电性能，(2)所述的层FTL与所述的发光层EML直接接触。2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：其EML中包含有一无机材料。3.根据权利要求1-2任何一个所述的电致发光器件，其特征在于：其EML中包含有一无机半导体纳米发光体,它选自具有单分布的胶体量子点或纳米棒。4.根据权利要求1-2任何一个所述的电致发光器件，其特征在于：其EML中包含有一无机半导体材料，选自CdSe,CdS,CdTe,ZnO,ZnSe,ZnS,ZnTe,HgS,HgSe,HgTe,CdZnSe,InAs,InP,InN,GaN,InSb,InAsP,InGaAs,GaAs,GaP,GaSb,AlP,AlN,AlAs,AlSb,CdSeTe,ZnCdSe,PbSe,PbTe,PbS,Pb...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘才法，
申请(专利权)人：潘才法，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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