触控面板结构与其制造方法技术

本揭露提供一种触控面板结构，包含显示装置、介电层、第一感应线路、第二感应线路以及屏蔽层。介电层位于显示装置上。第一感应线路包含复数个第一感应电极及复数个导电桥，其中第一感应电极位于介电层上，而导电桥位于介电层与显示装置之间，且相邻的两第一感应电极藉由导电桥电性连接。第二感应线路包含复数个第二感应电极，其位于介电层上，并与第一感应线路交错绝缘设置。屏蔽层位于介电层与显示装置之间，并与导电桥同一平面。本揭露提供的技术方案整合屏蔽层与导电桥的制程，使整体制程简化，且同时可以使触控面板结构的厚度薄化，并且达到屏蔽显示装置的讯号干扰的功效。

【技术实现步骤摘要】
触控面板结构与其制造方法
本专利技术是有关于一种触控面板结构与其制造方法。
技术介绍
近年来，由于电容式触控面板具有较高的灵敏度，广泛的应用各式触控产品上。其中由于可挠式屏幕是未来的趋势，各界无不致力于开发更薄的触控装置迭构，以符合市场需求，但是过薄的结构会导致触控感测电极距离显示装置过近，造成讯杂比过低，影响触控信息的判读。习知技术中，会在感测电极与显示装置之间配置绝缘层以及屏蔽层，以解决上述的问题。但是如此会造成触控装置厚度增加，不符合未来发展的趋势，故如何解决上述问题，且能兼顾其尺寸，是目前面临的主要课题。
技术实现思路
本揭露之一态样，系提供一种触控面板结构，包含显示装置、介电层、第一感应线路、第二感应线路以及屏蔽层。介电层位于显示装置上。第一感应线路包含复数个第一感应电极以及复数个导电桥，其中第一感应电极位于介电层上，而导电桥位于介电层与显示装置之间，且相邻的两第一感应电极藉由导电桥电性连接。第二感应线路包含复数个第二感应电极，其位于介电层上，并与第一感应线路交错绝缘设置。屏蔽层位于介电层与显示装置之间，并与导电桥同一平面，其中屏蔽层与导电桥电性绝缘。根据本揭露一或多个实施方式，触控面板结构更包含黏着层以及基板，配置于导电层与显示装置之间，其中基板位于黏着层之上。根据本揭露一或多个实施方式，触控面板结构更包含黏着层以及基板，其中黏着层配置于导电层与显示装置之间，基板配置于第一感应电极与第二感应电极之上。根据本揭露一或多个实施方式，屏蔽层与导电桥的间距≧5μm。根据本揭露一或多个实施方式，导电层的材料为氧化铟锡(ITO)、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene),PEDOT)、奈米碳管(CarbonNanotube,CNT)、奈米银线(SilverNanowire,AgNW)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidenedifluoride,PVDF)、可转移透明导电膜(TransparentConductiveTransferFilm,TCTF)或其组合。根据本揭露一或多个实施方式，介电层的厚度≧0.5μm。本揭露之一态样，系提供一种触控面板结构的制造方法，包含：形成导电层；蚀刻导电层以形成屏蔽层与复数个导电桥，其中导电桥及屏蔽层位于同一平面；形成介电层于导电层上；形成复数个感应电极以及复数条第一感应线路于介电层上，第一感应线路与感应电极系绝缘设置；以及将两相邻之感应电极与导电桥之一电性连结以形成复数条第二感应线。根据本揭露一或多个实施方式，导电层是形成于第一显示装置或基板上。根据本揭露一或多个实施方式，触控面板结构的制造方法中，导电层是形成于基板上，更包含将基板与第二显示装置贴合。本揭露之一态样，系提供一种触控面板结构的制造方法，包含：提供基板；形成复数个感应电极与复数条第一感应线路于基板上，第一感应线路与感应电极系绝缘设置；形成介电层于感应电极与第一感应线路上；形成屏蔽层与复数个导电桥于介电层上，并将两相邻之感应电极与导电桥之一电性连结，藉由导电桥串接感应电极以形成复数条第二感应电路；以及将显示装置与导电层贴合。本揭露提供一种触控面板结构与其制造方法，其整合屏蔽层与导电桥，使整体制程简化，且同时可以使触控面板结构的厚度薄化，并且达到屏蔽显示装置的讯号干扰的功效。附图说明图1绘示根据本揭露的部分实施方式的一种触控面板结构的上视图；图2绘示根据习知技术之触控面板结构的剖面图；图3绘示根据本揭露实施例之一的触控面板结构的剖面图；图4绘示根据本揭露实施例之一的触控面板结构的剖面图；图5绘示根据本揭露实施例之一的触控面板结构的剖面图；图6绘示根据本揭露实施例之一的导电层的上视图；图7-10绘示根据本揭露之一实施例的触控面板结构的制程各步骤的剖面图；图11-15绘示根据本揭露之一实施例的触控面板结构的制程各步骤的剖面图；以及图16-20绘示根据本揭露之一实施例的触控面板结构的制程各步骤的剖面图。附图标记：110：显示装置120：第一感应电极130：第二感应电极140：导电桥150：第一感应线路160：第二感应线路170：介电层1001、1002：方向210：屏蔽层220：绝缘层310：屏蔽层320：导电层410：黏着层420：基板具体实施方式以下公开提供许多不同实施例，或示例，以建置所提供之标的物的不同特征。以下叙述之成份和排列方式的特定示例是为了简化本公开。这些当然仅是做为示例，其目的不在构成限制。举例而言，组件的尺寸不被揭露之范围或数值所限制，但可以取决于组件之制程条件与/或所需的特性。此外，第一特征形成在第二特征之上或上方的描述包含第一特征和第二特征有直接接触的实施例，也包含有其他特征形成在第一特征和第二特征之间，以致第一特征和第二特征没有直接接触的实施例。为了简单与清晰起见，不同特征可以任意地绘示成不同大小。再者，空间相对性用语，例如「下方(beneath)」、「在…之下(below)」、「低于(lower)」、「在…之上(above)」、「高于(upper)」等，是为了易于描述图式中所绘示的元素或特征和其他元素或特征的关系。空间相对性用语除了图式中所描绘的方向外，还包含组件在使用或操作时的不同方向。仪器可以其他方式定向(旋转90度或在其他方向)，而本文所用的空间相对性描述也可以如此解读。图1绘示触控面板结构100的上视图。第一感应线路150及第二感应线路160配置于显示装置110之上，并且彼此间隔交错配置，其中第一感应线路150及第二感应线路160系为绝缘配置。第一感应线路150包含第一感应电极120以及导电桥140。相邻的两个第一感应电极120在第一方向1001藉由导电桥140彼此电性连结。第二感应线路160包含第二感应电极130。第二感应电极130在第二方向1002彼此电性连结。第一感应电极120及第二感应电极130未直接接触，且彼此电性绝缘。介电层170系位于第一感应电极120以及第二感应电极130与显示装置110之间。显示装置110可以为薄膜晶体管液晶显示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay,TFT-LCD)、有机发光二极管显示器(organiclight-emittingdiodedisplay,OLEDdisplay)或其他适合的装置。值得注意的是，在本揭露的某些实施例中，第一感应线路150与第二感应线路160可以互换，两者皆用于感测触控。也就是说，可以依照处理芯片的定义，第一感应线路150以及第二感应线路160的延伸方向可以依序为图1的方向1001以及方向1002，也可以依序为图1的方向1002以及方向1001。图2绘示先前技术中，用以解决感应电极距离显示装置过近而导致的讯杂比过低的触控面板结构。图2系为触控面板结构的剖面图。如图2所示，在习知技术中，为了改善上述问题，通常会在第一感应电极120及第二感应电极130与显示装置110之间加上绝缘层(insulationlayer)220以及屏蔽层(shieldinglayer)210。第一感应线路150包含第一感应电极120及导电桥140，其中导电桥140用以将相邻的两个第一感应电极120电性连接。第二感应线路160包含第二感应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控面板结构，其特征在于，包含：一显示装置；一介电层配置于该显示装置上；一第一感应线路，包含：复数个第一感应电极，配置于该介电层上；以及复数个导电桥，配置于该介电层与该显示装置之间，其中该两相邻之第一感应电极藉由该些导电桥之一电性连接；一第二感应线路，包含复数个第二感应电极，配置于该介电层上，并与该第一感应线路交错绝缘配置；以及一屏蔽层，配置于该介电层与该显示装置之间，与该些导电桥同一平面，并与该些导电桥电性绝缘，其中该些导电桥与该屏蔽层构成一导电层。

【技术特征摘要】
1.一种触控面板结构，其特征在于，包含：一显示装置；一介电层配置于该显示装置上；一第一感应线路，包含：复数个第一感应电极，配置于该介电层上；以及复数个导电桥，配置于该介电层与该显示装置之间，其中该两相邻之第一感应电极藉由该些导电桥之一电性连接；一第二感应线路，包含复数个第二感应电极，配置于该介电层上，并与该第一感应线路交错绝缘配置；以及一屏蔽层，配置于该介电层与该显示装置之间，与该些导电桥同一平面，并与该些导电桥电性绝缘，其中该些导电桥与该屏蔽层构成一导电层。2.如权利要求1所述之触控面板结构，更包含一黏着层与一基板配置于该导电层与该显示装置之间，其中该基板位于该黏着层之上。3.如权利要求1所述之触控面板结构，更包含：一黏着层配置于该导电层与该显示装置之间；以及一基板配置于该些第一感应电极与该些第二感应电极之上。4.如权利要求1至3中任一项所述之触控面板结构，其中该屏蔽层与该些导电桥的一间距≧5μm。5.如权利要求1至3中任一项所述之触控面板结构，其中该导电层的材料为氧化铟锡、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)、奈米碳管、奈米银线、聚偏二氟乙烯、可转移透明导电膜或其组合。6.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊铭，
申请(专利权)人：业成科技成都有限公司，业成光电深圳有限公司，英特盛科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51