多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器及其制造方法，它包括薄膜衬底(1)，在薄膜衬底(1)上方设有薄膜覆盖层(2)，在薄膜覆盖层(2)内设有多层由金属线(3)间隔设置组成的金属线栅(4)，且相邻层的金属线栅(4)交叉设置。本发明专利技术在宽带太赫兹波谱上仍有较高的消光比，可以很好地适用于高频太赫兹波的应用。此外，本发明专利技术消除了不同光学介质间引起的反射损耗，增强了薄膜器件的整体机械强度和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器及其制造方法
本专利技术涉及一种偏振器及其制造方法，特别是一种多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器及其制造方法，属于太赫兹偏振器领域。
技术介绍
太赫兹偏振器是用于太赫兹波中对不同偏振特性进行研究的器件，可以将太赫兹源发出的带有各向偏振分量太赫兹波信号转换/过滤为(主要)仅向某一方向偏振的线偏振波。主要的参数有：消光比(希望透过偏振模式和截至偏振模式的分贝比例，越高越好)，(插入)损耗(越小越好)，有效工作频率(决定是否可用于某些应用，有效工作频谱越宽越好)。现有的太赫兹波用偏振器分两类：一类是没有衬底支持，只有金属丝或纳米线缠绕中空的托架形成对不同偏振的选择性反射。这类偏振器中对金属丝的绕线最早实现工业化，但是对于金属线的缠绕间隔的均匀性控制不佳和对缠绕线间隔周期的降低(以提升消光比)是有很多的工艺限度(周期大约在250μm，导致消光比在1THz时大约只在30dB)。另一类是有衬底的支持，但是有些衬底使用硅材料，导致介面间的菲涅耳反射损耗很大(3dB以上)，另一方面，厚的衬底会造成在太赫兹时域频谱仪中引入额外的多反射干扰。因此，之前我们有实现过两本文档来自技高网...

【技术保护点】
多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器，其特征在于：包括薄膜衬底(1)，在薄膜衬底(1)上方设有薄膜覆盖层(2)，在薄膜覆盖层(2)内设有多层由金属线(3)周期间隔设置组成的金属线栅(4)，且相邻层的金属线栅(4)交叉设置。

【技术特征摘要】
1.多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器，其特征在于：包括薄膜衬底(1)，在薄膜衬底(1)上方设有薄膜覆盖层(2)，在薄膜覆盖层(2)内设有多层由金属线(3)周期间隔设置组成的金属线栅(4)，且相邻层的金属线栅(4)交叉设置。2.根据权利要求1所述的多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器，其特征在于：在薄膜衬底(1)的底部设有铜片托架(5)，铜片托架(5)中部设有通光圆孔(6)，铜片托架(5)的下方设有薄膜基底(7)。3.根据权利要求1所述的多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器，其特征在于：所述的金属线(3)选自铝线、金线、银线或铬线。4.根据权利要求1所述的多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器，其特征在于：所述的薄膜覆盖层(2)内设有三层平行设置的金属线栅(4)。5.根据权利要求1所述的多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器，其特征在于：所述的薄膜衬底、薄膜覆盖层和薄膜基底为薄膜材料，且为Epocore薄膜材料。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄喆，陈孝平，
申请(专利权)人：浙江科技学院，
类型：发明
国别省市：浙江,33