硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太赫兹波分束器，尤其涉及一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器。
技术介绍
近年来，在电磁波谱上介于发展已相当成熟的毫米波和红外光之间的太赫兹波无疑是一个崭新的研究领域。太赫兹波频率0.1～10THz，波长为30μm～3mm。长期以来，由于缺乏有效的太赫兹波产生和检测方法，与传统的微波技术和光学技术相比较，人们对该波段电磁辐射性质的了解甚少，以至于该波段成为了电磁波谱中的太赫兹空隙。随着太赫兹辐射源和探测技术的突破，太赫兹独特的优越特性被发现并在材料科学、气体探测、生物和医学检测、通信等方面展示出巨大的应用前景。可以说太赫兹技术科学不仅是科学技术发展中的重要基础问题，又是新一代信息产业以及基础科学发展的重大需求。高效的太赫兹辐射源和成熟的检测技术是推动太赫兹技术科学发展和应用的首要条件，但太赫兹技术的广泛应用离不开满足不同应用领域要求的实用化功能器件的支撑。在太赫兹通信、多谱成像、物理、化学等众多应用系统中，对太赫兹波导、开关、偏振分束器、滤波及功分等功能器件的需求是迫切的。太赫兹波偏振分束器是一类重要的太赫兹波功能器件，近年来太赫兹波偏振分束器已成为...
【技术保护点】
一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于包括基底层(1)、中央矩形硅波导(2)、左一长矩形硅波导(3)、左二长矩形硅波导(4)、左三长矩形硅波导(5)、中一短矩形硅波导(6)、中二短矩形硅波导(7)、中三短矩形硅波导(8)、下一长矩形硅波导(9)、下二长矩形硅波导(10)、右一长矩形硅波导(11)、倒L形硅波导(12)、右二长矩形硅波导(13)、L形硅波导(14)、信号输入端(15)、第一信号输出端(16)、第二信号输出端(17)；基底层(1)左侧中央设有中央矩形硅波导(2)，中央矩形硅波导(2)上部与左一长矩形硅波导(3)、左二长矩形硅波导(4)、左三长矩形硅波导(...
【技术特征摘要】
1.一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于包括基底层(1)、中央矩形硅波导(2)、左一长矩形硅波导(3)、左二长矩形硅波导(4)、左三长矩形硅波导(5)、中一短矩形硅波导(6)、中二短矩形硅波导(7)、中三短矩形硅波导(8)、下一长矩形硅波导(9)、下二长矩形硅波导(10)、右一长矩形硅波导(11)、倒L形硅波导(12)、右二长矩形硅波导(13)、L形硅波导(14)、信号输入端(15)、第一信号输出端(16)、第二信号输出端(17)；基底层(1)左侧中央设有中央矩形硅波导(2)，中央矩形硅波导(2)上部与左一长矩形硅波导(3)、左二长矩形硅波导(4)、左三长矩形硅波导(5)、中一短矩形硅波导(6)、中二短矩形硅波导(7)、中三短矩形硅波导(8)相连，中央矩形硅波导(2)下部与下一长矩形硅波导(9)、下二长矩形硅波导(10)相连，右一长矩形硅波导(11)的右端与倒L形硅波导(12)的左端相连，右二长矩形硅波导(13)的右端与L形硅波导(14)的左端相连；中央矩形硅波导(2)的左端设有信号输入端(15)，倒L形硅波导(12)的右端设有第一信号输出端(16)，L形硅波导(14)的右端设有第二信号输出端(17)，信号从信号输入端(15)输入，第一信号输出端(16)输出TE波，第二信号输出端(17)输出TM波，获得偏振分束性能。2.根据权利要求1所述的一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的基底层(1)的材料为二氧化硅，折射率为1.5，其长度为22～24μm，宽度为16～18μm，厚度为9～10μm。3.根据权利要求1所述的一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的中央矩形硅波导(2)的长度为16～18μm，宽度为1～1.5μm，厚度为0.4～0.5μm。4.根据权利要求1所述的一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的左一长矩形硅波导(3)的左侧与基底层(1)左侧边缘的距离为2～2.5μm；左一长矩形硅波导(3)与左二长矩形硅波导(4)之间、左二长矩形硅波导(4)与左三长矩形硅波导(5)之间的距离相等均为1～1.5μm，左一长矩形硅波导(3)与左三长矩形硅波导(5)的尺寸参数相同，长度均为6～6.5μm，宽度均为1～1.5μm，厚度均为0....
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