线栅偏振器及其制造方法技术

提供一种线栅偏振器及其制造方法。所述线栅偏振器包括：基板；多个导电布线图案，平行地形成以从基板的顶表面突出；第一硬掩模图案，设置在导电布线图案上；第二硬掩模图案，设置在第一硬掩模图案上，其中，第二硬掩模图案的锥角与第一硬掩模图案的锥角的比值为1或更大。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年4月8日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0049381号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的内容将通过引用全部包含于此。
本公开的实施例针对线栅偏振器及其制造方法。
技术介绍
线栅偏振器是导电布线平行地布置以使来自电磁波的特定光偏振的平行导电布线阵列。响应于非偏振入射光，具有比入射光的波长小的周期的线栅偏振器使与其布线平行的方向上的偏振光反射并使与其布线垂直的方向上的偏振光透射通过。不同于吸收偏振器，线栅偏振器允许反射的偏振光被再使用。
技术实现思路
本公开的示例性实施例提供一种具有优异的可加工性的线栅偏振器、一种包括所述线栅偏振器的显示装置以及一种制造所述线栅偏振器的方法。根据本公开的示例性实施例，一种线栅偏振器包括：基板；多个导电布线图案，平行地形成，所述多个导电布线图案从基板的顶表面突出；第一硬掩模图案，设置在导电布线图案上；第二硬掩模图案，设置在第一硬掩模图案上，其中，第二硬掩模图案的锥角与第一硬掩模图案的锥角的比值为大约1或更大。第一硬掩模图案的锥角可为大约90度或更小。第二硬掩模图案的锥角可为大约90度或更大。第二硬掩模图案的底部宽度与第一硬掩模图案的顶部宽度的比值可为大约1或更小。第一硬掩模图案的厚度可在大约10nm至大约30nm的范围内。线栅偏振器还可包括：保护层，与基板分隔开设置，保护层与基板的形成有导电布线图案的整个表面叠置。线栅偏振器还可包括在基板上设置在导电布线图案之间的反射层，其中，第一硬掩模图案设置在反射层上。根据本公开的另一示例性实施例，一种线栅偏振器包括：基板；多个导电布线图案，平行地形成，所述多个导电布线图案从基板的顶表面突出；第一硬掩模图案，设置在导电布线图案上；第二硬掩模图案，设置在第一硬掩模图案上，其中，第二硬掩模图案的底部宽度与第一硬掩模图案的顶部宽度的比值为大约1或更小。第二硬掩模图案的锥角与第一硬掩模图案的锥角的比值可为大约1或更大。第一硬掩模图案的锥角可为大约90度或更小。第二硬掩模图案的锥角可为大约90度或更大。第一硬掩模图案的厚度可在大约10nm至大约30nm的范围内。根据另一示例性实施例的线栅偏振器还可包括：保护层，与基板分隔开设置，保护层与基板的形成有导电布线图案的整个表面叠置。根据另一示例性实施例的线栅偏振器还可包括在基板上设置在导电布线图案之间的反射层，其中，第一硬掩模图案设置在反射层上。一种制造线栅偏振器的方法包括下述步骤：在基板上顺序地沉积导电布线无图案层和第一硬掩模层；在第一硬掩模层上形成抗蚀图案；在抗蚀图案之间形成第二硬掩模图案；去除抗蚀图案；利用第二硬掩模图案对第一硬掩模层进行图案化；利用第一硬掩模图案和第二硬掩模图案对导电布线无图案层进行图案化。制造方法还可包括，在形成第二硬掩模图案之前，对抗蚀图案的表面执行选择性疏水处理工艺。对导电布线无图案层进行图案化的步骤可包括形成导电布线图案。制造方法还可包括，在图案化导电布线无图案层之后，在第二硬掩模图案上形成保护层，其中，保护层与基板分隔开并与基板的整个表面叠置。对导电布线无图案层进行图案化的步骤可包括形成反射层。形成抗蚀图案的步骤可包括使用滚动抗蚀方法。根据示例性实施例，能够提供具有优异的可加工性的线栅偏振器。然而，本公开的示例性实施例不限制于在此所阐述的。通过参照以下本公开的详细描述、附图和权利要求，对本公开所属领域的技术人员而言，本公开的以上和其他示例性实施例将变得更加明显。附图说明图1是根据本公开示例性实施例的线栅偏振器的竖直剖视图。图2是图1中的A区域的局部放大图。图3是根据本公开另一示例性实施例的线栅偏振器的竖直剖视图。图4是根据本公开另一示例性实施例的线栅偏振器的竖直剖视图。图5是根据本公开另一示例性实施例的线栅偏振器的竖直剖视图。图6至图13是示出根据本公开示例性实施例的制造线栅偏振器的方法的剖视图。图14至图21是示出根据本公开另一示例性实施例的制造线栅偏振器的方法的剖视图。图22是示出根据本公开示例性实施例的制造抗蚀图案的方法的剖视图。图23是示出根据本公开另一示例性实施例的制造抗蚀图案的方法的剖视图。具体实施方式通过参照以下示例性实施例的详细描述和附图，可更加容易理解专利技术构思的特征和完成专利技术构思的方法。然而，专利技术构思的实施例可以采用许多不同的形式，并且不应被理解为限制于在此所阐述的实施例。在附图中，为了清楚，会夸大层和区域的厚度。将要理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接至”或者“结合至”另一元件或层时，此元件或层可直接在另一元件或层上、直接连接至或直接结合至另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。如在此所使用的，连接可指元件物理地、电气地和/或流体地连接到彼此。同样的标号可以始终指同样的元件。在此，当一个值被描述为大约等于另一个值时，要理解的是，这些值在测量误差范围内彼此相等，或者如果测量的不相等，那么这些值在值上是足够的接近为在功能上彼此等同，正如本领域普通技术人员将理解的。以下将参照附图描述示例性实施例。图1是根据本公开示例性实施例的线栅偏振器的竖直剖视图，图2是图1中的A区域的局部放大图。参照图1和图2，线栅偏振器可包括基板110、平行地形成为从基板110的顶表面突出的多个导电布线图案121、设置在导电布线图案121上的多个第一硬掩模图案131以及设置在第一硬掩模图案131上的多个第二硬掩模图案141。基板110的材料使可见光透射通过，并且可考虑到基板110的使用目的和基板110将要经受的处理类型而另外适当地选择。例如，基板110可由诸如玻璃、石英、丙烯酸材料、三乙酰纤维素(TAC)、环烯烃共聚物(COP)、环烯烃聚合物(COC)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚醚砜(PES)的各种材料形成，但是本公开不局限于此。基板110可由柔性光学膜材料形成。导电布线图案121可以以预定的周期布置。当导电布线图案121的周期短于入射光的波长时，线栅偏振器的偏振消光比增加。然而，周期越短，制造线栅偏振器就变得越有挑战。可见光光谱通常在大约380nm至大约780nm的范围。线栅偏振器应具有至少200nm或更小的周期，以具有针对三原色(即，红色、绿色和蓝色)光的高消光比。只有那样，才可期待偏振特性。线栅偏振器可具有但不限于大约120nm或更小的周期，以展现出与相关领域偏振器的偏振性能等同或比之更好的偏振性能。导电布线图案121可由任何导电材料形成。在示例性实施例中，导电布线图案121可由金属形成。更具体地，导电布线图案121可由从基本由铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)、钨(W)、钛(Ti)、钴(Co)和钼(Mo)组成的组中选择的金属或者该金属的合金形成，但是本公开不局限于此。导电布线图案121可包括两个或更多个层。例如，导电布线图案121可包括由铝(Al)形成的第一导电布线图案和由钛(Ti)或钼(Mo)形成的第二导电布线图案，但是本公开的实施例不局限于此。如果第一导电布线图案由铝(Al)形成，则根据温度，在随后的工艺中会在第一导电布线图案的顶部形成小丘。结果，线栅偏振器的顶表面会变得不规则，并且线栅偏振器的光学性质会劣化。为了处理这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线栅偏振器，所述线栅偏振器包括：基板；多个导电布线图案，平行地形成，所述多个导电布线图案从所述基板的顶表面突出；第一硬掩模图案，设置在所述多个导电布线图案上；以及第二硬掩模图案，设置在所述第一硬掩模图案上，其中，所述第二硬掩模图案的锥角与所述第一硬掩模图案的锥角的比值为1或更大。

【技术特征摘要】
2015.04.08 KR 10-2015-00493811.一种线栅偏振器，所述线栅偏振器包括：基板；多个导电布线图案，平行地形成，所述多个导电布线图案从所述基板的顶表面突出；第一硬掩模图案，设置在所述多个导电布线图案上；以及第二硬掩模图案，设置在所述第一硬掩模图案上，其中，所述第二硬掩模图案的锥角与所述第一硬掩模图案的锥角的比值为1或更大。2.根据权利要求1所述的线栅偏振器，其特征在于，所述第一硬掩模图案的锥角为90度或更小。3.根据权利要求1所述的线栅偏振器，其特征在于，所述第二硬掩模图案的锥角为90度或更大。4.根据权利要求1所述的线栅偏振器，其特征在于，所述第二硬掩模图案的底部宽度与所述第一硬掩模图案的顶部宽度的比值为1或更小。5.根据权利要求1所述的线栅偏振器，其特征在于，所述第一硬掩模图案的厚度在10nm至30nm的范围内。6.根据权利要求1所述的线栅偏振器，其特征在于，所述线栅偏振器还包括：保护层，与所述基板分隔开设置，所述保护层与所述基板的形成有所述多个导电布线图案的整个表面叠置。7.根据权利要求1所述的线栅偏振器，其特征在于，所述线栅偏振器还包括：反射层，在所述基板上设置在所述多个导电布线图案之间，其中，所述第一硬掩模图案设置在所述反射层上。8.一种线栅偏振器，所述线栅偏振器包括：基板；多个导电布线图案，平行地形成，所述多个导电布线图案从所述基板的顶表面突出；第一硬掩模图案，设置在所述多个导电布线图案上；以及第二硬掩模图案，设置在所述第一硬掩模图案上，其中，所述第二硬掩模图案的底部宽度与所述第一硬掩模图案的顶部宽度的比值为1或更小。9.根据权利要求8所述的线栅偏振器，其特征在于，所述第二硬掩模图案的锥角与所述第一硬掩模图案的锥角的比值为1或更大，并且所述第一硬掩模图案的锥角为90度或更小。10.根据权利要求8所述的线栅偏...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴知勋，安泰泳，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR