一种自驱动光电探测器及其制备方法技术
A self actuated photodetector and its preparation method
The invention discloses a self - driving photoelectric detector and a preparation method, which belongs to the field of photoelectric detection technology. The present invention set the N 2D layer and P 2D layer on an insulating substrate, at zero bias can drive the light induced carriers, fast separation potential can be achieved under the action of self driving device. The luminous current is stable and has good selectivity for violet light (<, 500nm). It can be used as an energy saving self driving detector, and its manufacturing method is simple, and its cost is low. It plays an important role in photoelectric detection and photovoltaic cells.
【技术实现步骤摘要】
一种自驱动光电探测器及其制备方法
本专利技术涉及光电探测
，具体涉及一种自驱动光电探测器及其制备方法。
技术介绍
光电探测器在日常生活和军事红外制导等方面都有广泛的应用。作为一种探测器件，它能将光学信号转变成电学信号，进而用来探测物体的相关信息。传统的光电探测器的制作，不但需要在单晶衬底(基片)上外延生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，然后用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。但是所用原材料、设备价格昂贵，生产制作工艺复杂，难度较高，基底单一，往往需要较高温度。而且传统的光电探测器都需要电压驱动才能够正常使用。在这种背景下，二维层状薄膜材料的出现，给光电探测器领域带来了新的曙光。以硫化钼为例，这种新兴的二维碳原子层薄膜，表现出了强光与物质相作用，光的吸收很强。又因为其优异的半导体电学特性和方便加工特性，二维层状薄膜材料异质结光电探测器展现出巨大的潜力。现...
【技术保护点】
一种自驱动光电探测器，其特征在于，包括：绝缘基底、设置于所述绝缘基底上的半导体薄膜层以及设置于所述半导体薄膜层上的金属电极层；其中，所述半导体薄膜层包括由过渡金属硫化物构成的n‑型二维层以及由金属碘化物构成的p‑型二维层，所述n‑型二维层设置于所述绝缘基底上，所述p‑型二维层成型在所述n‑型二维层上；其中，所述金属电极层包括源电极层和漏电极层，所述源电极层和所述漏电极层均包括层叠布置的钛层和金层。
【技术特征摘要】
1.一种自驱动光电探测器，其特征在于，包括：绝缘基底、设置于所述绝缘基底上的半导体薄膜层以及设置于所述半导体薄膜层上的金属电极层；其中，所述半导体薄膜层包括由过渡金属硫化物构成的n-型二维层以及由金属碘化物构成的p-型二维层，所述n-型二维层设置于所述绝缘基底上，所述p-型二维层成型在所述n-型二维层上；其中，所述金属电极层包括源电极层和漏电极层，所述源电极层和所述漏电极层均包括层叠布置的钛层和金层。2.根据权利要求1所述的自驱动光电探测器，其特征在于，所述源电极层和所述漏电极层均设置于所述n-型二维层上，或者所述源电极层和所述漏电极层均设置于所述p-型二维层，或者，所述源电极层和所述漏电极层分别设置于所述n-型二维层和所述p-型二维层上。3.根据权利要求1或2所述的自驱动光电探测器，其特征在于，所述绝缘基底为SiO2或Al2O3基底。4.根据权利要求1或2所述的自驱动光电探测器，其特征在于，所述过渡金属硫化物为WS2或MoS2。5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：李春，户守明，何天应，肖入彬，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51
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