选择性发射极电池结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种选择性发射极电池结构的制备方法，括以下步骤：S1、取制绒后的硅片，在APCVD沉积磷源或硼源，形成轻掺区；S2、激光开膜，轻掺区形成呈行列分隔的方块阵结构；S3、将硅片返回APCVD沉积磷源或硼源，进行高温推进，形成重掺区。本发明专利技术优势在于重掺区可根据激光开膜宽度进行调试，开膜对硅体损伤较小，扩散只需要升温推进即可，工艺制备简单，良率高、损伤小。

The structure and preparation method of selective emitter battery

The invention discloses a selective emitter cell structure preparation method includes the following steps: S1, wafer preparation after wool, APCVD in sedimentary phosphorus source or boron source, forming lightly doped region; S2, laser film opening, lightly doped region formed a square array structure, the S3 ranks separated; the wafer return APCVD sedimentary phosphorus or boron source source, high temperature to promote the formation of heavily doped region. The advantage of the invention is that the heavy doping area can be debugged according to the width of the laser opening film, and the damage of the silicon body is smaller due to the opening of the film. The diffusion can only be promoted by heating. The process is simple, high yield and little damage.

【技术实现步骤摘要】
选择性发射极电池结构及其制备方法
本专利技术属于太阳电池结构设计
，具体是一种选择性发射极电池结构的制备方法。
技术介绍
目前现有的制备SE工艺方案有激光烧蚀，化学腐蚀等。现有的SE激光烧蚀对硅体损伤较大，需要经过退火修复才能体现优势，化学腐蚀线宽难以控制，加工成本、不良及污染率相对较高。
技术实现思路
本专利技术主要目的在于克服上述的现有制备方法所造成的不良率高、损伤大、成本高，提供一种简单的热推进选择性发射极，工艺制备简单，良率高、损伤小、成本低。技术方案：本专利技术公开了一种选择性发射极电池结构的制备方法，包括以下步骤：S1、取制绒后的硅片，在APCVD沉积含有低浓度磷源或硼源的SiO2，形成轻掺区；S2、激光开膜，开膜直线分割轻掺区形成呈分隔的长条矩阵结构；S3、将硅片返回APCVD沉积含有高浓度磷源或硼源的SiO2，进行高温推进，形成重掺区，重掺区侵入开膜直线并覆盖轻掺区。优选的，S1中轻掺区磷源或硼源的浓度为0.01～5％，S3中重掺区磷源或硼源的浓度为0.02～5.01％；重掺区中磷源或硼源的浓度高于轻掺区中磷源或硼源的浓度；磷源/硼源浓度是指磷/硼元素含量在SiO2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选择性发射极电池结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、取制绒后的硅片(1)，在APCVD沉积含有低浓度磷源或硼源的SiO2，形成轻掺区(3)；S2、激光开膜，开膜直线(2)分割轻掺区(3)形成分隔的长条矩阵结构；S3、将硅片(1)返回APCVD，沉积含有高浓度磷源或硼源的SiO2，进行高温推进，形成重掺区(4)，重掺区(4)侵入开膜直线(2)并覆盖轻掺区(3)。

【技术特征摘要】
1.一种选择性发射极电池结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、取制绒后的硅片(1)，在APCVD沉积含有低浓度磷源或硼源的SiO2，形成轻掺区(3)；S2、激光开膜，开膜直线(2)分割轻掺区(3)形成分隔的长条矩阵结构；S3、将硅片(1)返回APCVD，沉积含有高浓度磷源或硼源的SiO2，进行高温推进，形成重掺区(4)，重掺区(4)侵入开膜直线(2)并覆盖轻掺区(3)。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：S1中轻掺区(3)磷源或硼源的浓度为0.01～5％，S3中重掺区(4)磷源或硼源的浓度为0.02～5.01％；重掺区(4)中磷源或硼源的浓度高于轻掺区(3)中磷源或硼源的浓度。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：轻掺区(3)磷源或硼源的浓度为0.3％，重掺区(4)磷源或硼源的浓度为1％。4.根据权利要求1所述的选择性发射极电池结构，其特征在于S2中激光开膜选用激光波长532，NS绿光；开膜功率根据沉积的膜厚SiO2膜厚不同而设置，具体的：膜厚10～50nm时，开膜功率≤10w；膜厚50～100nm时，10w≤开膜功率≤15w。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：S3中所述高温推进根据方阻需求设定升温时间及最高温度：...

【专利技术属性】
技术研发人员：张子森，李慧，王峰，胡健康，陈克，
申请(专利权)人：东方环晟光伏江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32