一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法技术
A cadmium telluride thin film solar cell and its preparation method
The invention discloses a cadmium telluride thin film solar cell and a preparation method thereof, wherein the solar battery is arranged with a substrate layer, a barrier layer, a transparent conductive layer, a n type semiconductor layer, a p type semiconductor layer, a back contact layer, a back electrode layer, the N type semiconductor layer including CDs layer and doped with magnesium cadmium sulfide layer. The battery can use a thin n layer to reduce the absorption of light without the N layer that produces the photocurrent, and increase the short circuit current of the cadmium telluride thin film solar cell.
【技术实现步骤摘要】
一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及碲化镉薄膜太阳能电池
，具体涉及一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
随着全球气候变暖、生态环境恶化和常规能源的短缺，越来越多的国家开始大力发展太阳能利用技术。太阳能光伏发电是零排放的清洁能源，具有安全可靠、无噪音、无污染、资源取之不尽、建设周期短、使用寿命长等优势，因而备受关注。碲化镉是一种直接带隙的P型半导体材料，其吸收系数高。碲化镉薄膜太阳电池作为新一代的薄膜电池具有成本低、性能稳定、抗辐射能力强、弱光也能发电等优点，其转换效率在薄膜太阳能电池中是很高的，目前实验室的转化率已超过22％。由于碲化镉薄膜太阳电池目前的工艺技术是先在透明导电氧化物镀膜玻璃上沉积硫化镉(CdS)层，然后在硫化镉(CdS)层上通过近空间升华(CSS)或者气相输运沉积(VTD)技术沉积碲化镉(CdTe)层。然后进行CdCl2的活化处理以及背电极的Cu扩散掺杂。碲化镉沉积沉积工艺无论是近空间升华还是气象运输沉积，为了获得好的碲化镉薄膜质量，都需要高的衬底温度，目前传统的CdTe层的沉积温度在500℃到630℃之间。Cd...
【技术保护点】
一种碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池依次设置有衬底层、阻挡层、透明导电层、n型半导体层、p型半导体层、背接触层、背电极层，所述n型半导体层包括硫化镉层和掺镁硫化镉层。
【技术特征摘要】
1.一种碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池依次设置有衬底层、阻挡层、透明导电层、n型半导体层、p型半导体层、背接触层、背电极层，所述n型半导体层包括硫化镉层和掺镁硫化镉层。2.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于，所述p型半导体层为碲化镉吸收层，所述掺镁硫化镉层位于所述硫化镉层和所述碲化镉吸收层之间。3.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于，所述硫化镉层的厚度为2～300nm，所述掺镁硫化镉层的厚度为2～100nm。4.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于，所述掺镁硫化镉的分子式为MgxCd1-xS，其中，0＜x＜0.5。5.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于，所述硫化镉层可以为掺氧硫化镉或硫化镉，所述掺氧硫化镉的分子式为CdOxS1-x，其中0＜x＜0.5。6.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层与所述n型半导体层中间还设置有高阻层。7.根据权利要求6所述的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于，所述高阻层为的材料为ZnO，SnO2，Zn2xSn1-xO2中的任意一种，其中0＜x＜1。8.根据权利要求6所述的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，马立云，潘锦功，殷新建，杨少飞，
申请(专利权)人：成都中建材光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51
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