温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种选择性发射极电池结构的制备方法，括以下步骤：S1、取制绒后的硅片，在APCVD沉积磷源或硼源，形成轻掺区；S2、激光开膜，轻掺区形成呈行列分隔的方块阵结构；S3、将硅片返回APCVD沉积磷源或硼源，进行高温推进，形成重掺区。...
该专利属于东方环晟光伏（江苏）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东方环晟光伏（江苏）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。