The invention discloses a method for reducing silicon reflectivity of cashmere, the method comprises the following steps: processing of silicon into the cleaning liquid, washing with deionized water 2 4 times, drying after cleaning the wafer to spare; on the target platform, in a vacuum environment, under the protection of nitrogen, silicon nitride and silicon sputtering will the formation of doped silicon nitride, silicon wafer; silicon doped silicon nitride is dipped in the hydrophilic polymer in 25 30h after hydrophilic doped silicon nitride; the first step treatment of hydrophilic silicon nitride doped silicon in rutin ethyl alcohol solution for 20 30h, drying after rinse with deionized water 4 can be 6 times. The method is not limited by silicon, polycrystalline silicon wafer type restrictions on flocking processing, and simple operation, low cost, simple operation, by covering the silicon nitride layer, and on the surface of the silicon nitride with hydrophilic compounds, each other through hydrogen bonds to form a network, improve the wear resistance of silicon surface.
【技术实现步骤摘要】
一种降低硅片反射率的制绒方法
本专利技术属于多晶硅太阳能电池制造领域,具体涉及一种降低硅片反射率的制绒方法。
技术介绍
随着工业化经济的快速发展,生态环境的恶化,传统不可再生能源如煤、石油、天然气等面临着日益衰竭的危机,寻找新型可再生能源迫在眉睫。其中太阳能因其取之不尽、用之不竭成为替代传统石化能源的新型能源。太阳能光伏发电是利用光能转化为电能,光伏组件具有绿色环保、使用寿命长、成本低、高效便利等特点,成为世界普遍关注的焦点并成为重点发展的新兴产业。降低反射率使硅片尽可能多地吸收太阳光,增强太阳能电池转换效率的有效途径。目前目前针对晶硅绒面结构的制备主要有机械开槽法、反应离子蚀刻法(RIE)和化学蚀刻法三种,机械开槽和反应离子蚀刻不适合大面积商业化生产。CN102157628B公开了一种制造硅片绒面的方法,该方法包括如下步骤如下:(1)利用水膜方式或者印刷方式在硅片上形成含有聚苯乙烯微粒的掩膜层:(2)利用等离子刻蚀方法对已有掩膜层的硅片进行刻蚀,形成特定的减反结构;(3)去除硅片表面剩余的掩膜层物质。本方法为非化学方法,它杜绝了酸碱类化学物质的大量使用,保护了生态环境。虽然本专利技术不受单晶、多晶限制,单晶硅和多晶硅都可利用本方法制造绒面,从而降低反射率,使硅片尽可能多地吸收太阳光,但该工艺复杂,成本高,不适合产业化。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种降低硅片反射率的制绒方法,该方法成本低,工艺简单,适合产业化,且所得硅片太阳能转化率高。为解决现有技术问题,本专利技术采取的技术方案为:一种降低硅片反射率的制绒方法,包括以下步骤: ...
【技术保护点】
一种降低硅片反射率的制绒方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,将硅片进入清洗液中处理,再用去离子水清洗2‑4次,烘干备用;步骤2,将清洁后的硅片置于靶台上,在真空环境,氮气保护下,将氮化硅溅射至硅片上,形成掺杂氮化硅的硅片;步骤3,将掺杂氮化硅的硅片浸于高分子亲水化合物中25‑30h后得亲水性掺杂氮化硅的硅片;步骤4,将经步骤3处理的亲水性掺杂氮化硅的硅片置于芦丁乙醇溶液中浸泡20‑30h,烘干后去离子水冲洗4‑6次,即可。
【技术特征摘要】
1.一种降低硅片反射率的制绒方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,将硅片进入清洗液中处理,再用去离子水清洗2-4次,烘干备用;步骤2,将清洁后的硅片置于靶台上,在真空环境,氮气保护下,将氮化硅溅射至硅片上,形成掺杂氮化硅的硅片;步骤3,将掺杂氮化硅的硅片浸于高分子亲水化合物中25-30h后得亲水性掺杂氮化硅的硅片;步骤4,将经步骤3处理的亲水性掺杂氮化硅的硅片置于芦丁乙醇溶液中浸泡20-30h,烘干后去离子水冲洗4-6次,即可。2.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱国东,
申请(专利权)人:无锡厚发自动化设备有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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