非晶质硅膜的形成方法技术

本发明专利技术提供一种非晶质硅膜的形成方法，并且包括如下步骤：沉积步骤，在腔室内的基板上沉积非晶质硅膜；后处理步骤，为了改善所述非晶质硅膜的蚀刻速率或者表面粗糙度，利用等离子体激活后处理气体，在所述非晶质硅膜上部表面部执行后处理，其中所述后处理气体包含氮基和氧基中至少任意一种；净化步骤，供给净化气体至所述腔室内；及抽吸步骤，抽吸所述腔室。

Formation method of amorphous silicon film

The present invention provides a method for forming an amorphous silicon film, which comprises the following steps: deposition step, deposition of amorphous silicon film on a substrate chamber; postprocessing steps, in order to improve the amorphous silicon film etching rate or surface roughness, live postprocessing gas by plasma, in the the upper surface of the amorphous silicon film to perform postprocessing, wherein the postprocessing gas containing nitrogen and oxygen radicals in at least one; purification steps, supply gas to the suction chamber; and the suction chamber steps.

【技术实现步骤摘要】
非晶质硅膜的形成方法
本专利技术涉及一种物质膜的形成方法，更详细地说涉及一种非晶质硅膜的形成方法。
技术介绍
为了由使用193nm波长的浸渍氟化氩(ArF)曝光装备而非高价的EUV装备实现10纳米以下的微细工艺，建议使用类似DPT(DoublePatterningTechnology，双重图案化技术)或QPT(QuadraplePatterningTechnology，四重图案化技术)的多功能图案化工艺技术。在这种多功能图案化工艺中，在硬掩膜结构体使用SiON膜，但是随着微细工艺变得更加严格，在蚀刻工艺中与下部膜的蚀刻选择性比率成为重要的问题。相关现有技术有大韩民国公开公报第2009-0114251号。(2009.11.03公开、专利技术名称：利用隔片图案化技术的微图案形成方法)
技术实现思路
(要解决的问题)本专利技术是为了解决包括上述问题的多个问题而提出的，其目的在于，提供一种可改善蚀刻选择比特性的非晶质硅膜的形成方法。但是，该问题仅仅是预示性的，并不由此限定本专利技术的范围。(解决问题的手段)为了解决上述问题，提供根据本专利技术一观点的非晶质硅膜的形成方法。所述非晶质硅膜的形成方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非晶质硅膜的形成方法，其特征在于，包括：沉积步骤，在腔室内的基板上沉积非晶质硅膜；后处理步骤，通过等离子体激活后处理气体，在所述腔室内所述非晶质硅膜上部表面部执行后处理，所述后处理气体包含氮基和氧基中的至少任意一种；净化步骤，供给净化气体至所述腔室内；及抽吸步骤，抽吸所述腔室。

【技术特征摘要】
2016.08.19 KR 10-2016-01056661.一种非晶质硅膜的形成方法，其特征在于，包括：沉积步骤，在腔室内的基板上沉积非晶质硅膜；后处理步骤，通过等离子体激活后处理气体，在所述腔室内所述非晶质硅膜上部表面部执行后处理，所述后处理气体包含氮基和氧基中的至少任意一种；净化步骤，供给净化气体至所述腔室内；及抽吸步骤，抽吸所述腔室。2.根据权利要求1所述的非晶质硅膜的形成方法，其特征在于，所述后处理步骤为，利用所述等离子体使用由氮气和一氧化二氮构成的后处理气体对所述非晶质硅膜进...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔暎喆，
申请(专利权)人：圆益IPS股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR