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本发明提供一种非晶质硅膜的形成方法，并且包括如下步骤：沉积步骤，在腔室内的基板上沉积非晶质硅膜；后处理步骤，为了改善所述非晶质硅膜的蚀刻速率或者表面粗糙度，利用等离子体激活后处理气体，在所述非晶质硅膜上部表面部执行后处理，其中所述后处理气体...
该专利属于圆益IPS股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圆益IPS股份有限公司授权不得商用。

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