太阳能电池单元及太阳能电池单元的制造方法技术

太阳能电池单元(1)具备：p型杂质扩散层(3)，其形成于n型单晶硅基板(2)的一面侧；n型杂质扩散层(10)，其具有n型的杂质元素以第1浓度扩散的第1n型杂质扩散层(11)和n型的杂质元素以比第1浓度低的第2浓度扩散的第2n型杂质扩散层(12)、形成于n型单晶硅基板(2)的另一面侧、含有比n型单晶硅基板(2)高的浓度的n型的杂质元素；p型杂质扩散层上电极，其形成于p型杂质扩散层(3)上；和n型杂质扩散层上电极，其形成于第1n型杂质扩散层(11)上。第1n型杂质扩散层(11)的表面的n型的杂质元素的浓度为5×10

The manufacturing method of solar cell unit and solar cell unit

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池单元及太阳能电池单元的制造方法
本专利技术涉及使用n型的硅基板的太阳能电池单元(セル)及太阳能电池单元的制造方法。
技术介绍
当前，作为谋求太阳能电池单元的高光电转换效率化的构造，在专利文献1中，已知如下构造：在n型硅基板的受光面侧具备p型发射极层、在另一面侧具备BSF(BackSurfaceField，背面电场)层，BSF层处的电极的下部区域与其它区域相比杂质浓度被设为高浓度。在这样的结构中，能够降低电极的下部区域与电极的接触电阻。另外，在电极的下部区域以外的区域，由于BSF效果而能够得到钝化效果。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第5379767号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，根据上述专利文献1的技术，在形成与其它区域相比杂质浓度被设为高浓度的电极的下部区域时，使用平板印刷技术。因此，专利文献1的技术存在制造工序变繁杂、另外制造成本变昂贵的问题。另外，在谋求高光电转换效率化方面，为了有效地发挥电极的下部区域以外的区域中的钝化的性能，重要的是适当地调整杂质浓度。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于得到能够以简便的工序便宜地形成并可高光电转换效率化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池单元，其特征在于，具备：n型硅基板；p型杂质扩散层，其形成于所述n型硅基板的一面侧、含有p型的杂质元素；n型杂质扩散层，其具有n型的杂质元素以第1浓度扩散的第1n型杂质扩散层和n型的杂质元素以比所述第1浓度低的第2浓度扩散的第2n型杂质扩散层、形成于所述n型硅基板的另一面侧、且以比所述n型硅基板高的浓度含有n型的杂质元素；p型杂质扩散层上电极，其形成于所述p型杂质扩散层上；和n型杂质扩散层上电极，其形成于所述第1n型杂质扩散层上，所述第1n型杂质扩散层的表面的所述n型的杂质元素的浓度为5×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种太阳能电池单元，其特征在于，具备：n型硅基板；p型杂质扩散层，其形成于所述n型硅基板的一面侧、含有p型的杂质元素；n型杂质扩散层，其具有n型的杂质元素以第1浓度扩散的第1n型杂质扩散层和n型的杂质元素以比所述第1浓度低的第2浓度扩散的第2n型杂质扩散层、形成于所述n型硅基板的另一面侧、且以比所述n型硅基板高的浓度含有n型的杂质元素；p型杂质扩散层上电极，其形成于所述p型杂质扩散层上；和n型杂质扩散层上电极，其形成于所述第1n型杂质扩散层上，所述第1n型杂质扩散层的表面的所述n型的杂质元素的浓度为5×1020atoms/cm3以上且2×1021atoms/cm3以下，所述第2n型杂质扩散层的表面的所述n型的杂质元素的浓度为5×1019atoms/cm3以上且2×1020atoms/cm3以下。2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元，其特征在于，所述第1n型杂质扩散层的薄层电阻为20Ω/sq.以上且80Ω/sq.以下，所述第2n型杂质扩散层的薄层电阻比150Ω/sq.大。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池单元，其特征在于，所述n型硅基板的外形形状是一边的长度为156mm以上且158mm以下的正方形形状，所述第1n型杂质扩散层具有100根以上且300根以下的根数的宽度为50μm以上且150μm以下的长尺寸细长的栅电极形成区域，所述n型杂质扩散层上电极在所述栅电极形成区域的区域内具有100根以上且300根以下的根数的长尺寸细长的n型杂质扩散层上栅电极。4.根据权利要求1所述的太阳能电池单元，其特征在于，所述n型的杂质元素为磷。5.一种太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，包括：第1工序，在n型硅基板的一面侧形成含有p型的杂质元素的p型杂质扩散层；第2工序，将含有n型杂质元素的含n型掺杂剂糊涂布于所述n型硅基板的另一面侧；第3工序，在处理室内对所述n型硅基板实施不含有n型的杂质元素的气体的气氛下的第1热处理，使n型的杂质元素从所述含n型掺杂剂糊扩散到所述n型硅基板中的所述含n型掺杂剂糊的下部区域，由此在所述n型硅基板的所述含n型掺杂剂糊的下部区域形成n型的杂质元素以第1浓度被扩散的第1n型杂质扩散层；第4工序，在所述处理室内对所述n型硅基板实施含有n型的杂质元素的含掺杂剂气体的气氛下的第2热处理，使n型的杂质元素从所...

【专利技术属性】
技术研发人员：森川浩昭，滨笃郎，幸畑隼人，过能慎太郎，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP