一种基于双栅工艺的辐照检测传感器及检测电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种基于双栅工艺的辐照检测传感器，包括用于对辐照剂量变化做出响应的N个级联的双栅PMOS管。本实用新型专利技术还公开一种基于双栅工艺的辐照检测电路。本实用新型专利技术中的基于双栅工艺的辐照检测传感器及检测电路，通过采用双栅工艺的场效应管，提高了载流子的运输迁移率，降低了场效应管的阈值电压，增大了漏源电流，缩短了延迟时间，减弱了短沟道效应的影响，进一步缩小了辐照检测电路的体积，改善了对辐照检测的实时监控及反馈性能。通过增加场效应管的栅氧厚度，提高了辐照检测的灵敏度，从而增强了检测的准确性，实现了提供一种体积小、重量轻、功耗低、测试简便且够适用于大辐射剂量范围的辐照检测传感器及简单、高效、便捷检测电路。

【技术实现步骤摘要】
一种基于双栅工艺的辐照检测传感器及检测电路
本技术涉及微电子器件性能可靠性评估领域。更具体地，涉及一种基于双栅工艺的辐照检测传感器及检测电路。
技术介绍
随着空间技术、核技术和战略武器技术的发展，各种电子设备已经广泛用于人造卫星、宇宙飞船、运载火箭、远程导弹和核武器控制系统中，因此，构成电子设备的电子元器件不可避免地要处于空间辐射和核辐射等强辐射应用环境之中。由于辐射作用会对元器件性能造成不同程度的破坏，进而使整个电子设备发生故障，所以器件的抗辐射加固技术水平的全面提高就显得更为重要和迫切。抗辐射最基本的任务之一就是对空间辐射环境数据的收集和研究。通过对这些数据的收集与研究，一方面可在地面人工模拟空间辐照环境，进行相关元器件的辐照评估实验验证，不仅可以大大减少辐照评估验证方案的实施难度，也极大的降低成本；另一方面，在空间设备运作过程中通过实时检测周边环境的辐照剂量，可有效评估周边环境危险程度，能够及时、有效的规避风险，避免更大的损失。目前，在众多辐照检测传感器中，PMOS辐照检测传感器以其自身体积小、重量轻、功耗低、测试简便等诸多优点在测量空间辐射总剂量方面得到了广泛的应用。传统的P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于双栅工艺的辐照检测传感器，其特征在于，包括用于对辐照剂量变化做出响应的N个级联的双栅PMOS管，其中第一双栅PMOS管源极S1与电流源正极电连接，第一双栅PMOS管栅极G1与第一双栅PMOS管漏极D1电连接；第n双栅PMOS管源极Sn与第n‑1双栅PMOS管漏极Dn‑1电连接，第n双栅PMOS管栅极Gn与第n双栅PMOS管漏极Dn电连接；第N双栅PMOS管漏极DN与参考端电连接，第N双栅PMOS管栅极GN与第N双栅PMOS管漏极DN电连接；其中，n、N为自然数且1＜n＜N。

【技术特征摘要】
1.一种基于双栅工艺的辐照检测传感器，其特征在于，包括用于对辐照剂量变化做出响应的N个级联的双栅PMOS管，其中第一双栅PMOS管源极S1与电流源正极电连接，第一双栅PMOS管栅极G1与第一双栅PMOS管漏极D1电连接；第n双栅PMOS管源极Sn与第n-1双栅PMOS管漏极Dn-1电连接，第n双栅PMOS管栅极Gn与第n双栅PMOS管漏极Dn电连接；第N双栅PMOS管漏极DN与参考端电连接，第N双栅PMOS管栅极GN与第N双栅PMOS管漏极DN电连接；其中，n、N为自然数且1＜n＜N。2.根据权利要求1所述的基于双栅工艺的辐照检测传感器，其特征在于，所述N个双栅PMOS管采用共衬底方式级联。3.根据权利要求2所述的基于双栅工艺的辐照检测传感器，其特征在于，所述N个中任一个双栅PMOS管的衬底Bx与第一双栅PMOS管源极S1电连接，其中，x为自然数且1≤x≤N。4.根据权利要求1所述的基于双栅工艺的辐照检测传感器，其特征在于，所述N个双栅PMOS管采用不共衬底方式级联。5.根据权利要求4所述的基于双栅工艺的辐照检...

【专利技术属性】
技术研发人员：常国，张薇，刘刚，
申请(专利权)人：北京锐达芯集成电路设计有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京,11