用来管理一记忆装置的方法、记忆装置与控制器制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用来管理一记忆装置的方法，记忆装置与记忆装置的控制器，所述方法包括下列步骤：将接收自主装置的数据暂时地储存于所述控制器中的挥发性存储器作为接收数据，并动态地监控所述接收数据的数据量以决定是否立即将所述接收数据写入至少非挥发性存储器组件；以及当接收到特定信号，并且侦测到所述接收数据中存在特定数据尚未被写入所述至少非挥发性存储器组件中的特定非挥发性存储器组件当中被组态成多阶细胞记忆区块的特定区块内的相同位置达预定次数时，立即将所述特定数据写入所述至少非挥发性存储器组件中的另一区块。本发明专利技术不必使用大量的单阶细胞记忆区块，故能省下其所占用的储存空间，以提供更多的多阶细胞记忆区块。

The method, memory device and controller used to manage a memory device

The invention discloses a method for managing a memory device, memory controller device and memory device, wherein the method comprises the following steps: the volatile memory will receive independent device data temporarily stored in the controller as the receiving data, and dynamically monitor the received data to determine whether immediately the received data is written at least nonvolatile memory components; and when receiving a specific signal, and to detect the specific data in the receive data have not yet been written to the at least non specific non volatile memory components of volatile memory component which is configured with the same location specific block cell memory block in order reaches a predetermined number, immediately the specific data is written to the at least one non volatile memory component in the block. The invention does not have to use a large number of single - order cell memory blocks, so it can save the storage space that it occupies to provide more multi - order cell memory blocks.

【技术实现步骤摘要】
用来管理一记忆装置的方法、记忆装置与控制器本专利技术要求中华人民共和国申请号2014102756507(申请日2014年6月19日，标题为“用来管理一记忆装置的方法、记忆装置与控制器”)的优先权，以上申请案的所有内容以引用方式纳入。
本专利技术是有关于闪存(FlashMemory)的控制，尤指一种用来管理一记忆装置的方法以及其相关的记忆装置与控制器。
技术介绍
近年来由于闪存的技术不断地发展，各种可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC，CF，MS，XD标准的记忆卡)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些可携式记忆装置中的闪存的访问控制遂成为相当热门的议题。以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(SingleLevelCell,SLC)与多阶细胞(MultipleLevelCell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(MemoryCell；也可称为「记忆单元」)的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞的晶体管的储存能力则被充分利用，是采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录多个位的信息(例如：00，01，11，10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的两倍以上，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的可携式记忆装置竞相采用的主流。依据现有技术，由于某些类型的多阶细胞闪存的运作复杂，故传统的存储器控制器会将多阶细胞闪存内的一部分实体区块组态成单阶细胞记忆区块，以供接收来自主装置(HostDevice)的写入数据。然而，某些问题就产生了。例如：由于多阶细胞闪存内的一部分实体区块被组态成单阶细胞记忆区块，多阶细胞闪存内可供用来作为多阶细胞记忆区块的实体区块的数量就减少了，使得传统的记忆装置的整体储存容量减少了。又例如：传统的存储器控制器先将接收数据暂时地写入单阶细胞记忆区块，再将数据从单阶细胞记忆区块收集到多阶细胞记忆区块，其中这些单阶细胞记忆区块的储存空间很容易用完，故传统的存储器控制器需要频繁地抹除这些单阶细胞记忆区块。于是，传统的存储器控制器的工作负荷大幅地增加了，且这些额外的运作需要额外的处理时间，使得传统的记忆装置的整体效能变差。因此，需要一种新颖的方法来加强控管闪存的数据存取，以在不产生副作用(例如：储存数据错误)的状况下提升整体效能。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的之一在于公开一种用来管理一记忆装置的方法以及其相关的记忆装置与控制器，以解决上述问题。本专利技术的另一目的在于公开一种用来管理一记忆装置的方法以及其相关的记忆装置与控制器，以提升记忆装置的运作效能。本专利技术的至少一较佳实施例中公开一种用来管理一记忆装置的方法，所述记忆装置包括至少一非挥发性存储器组件，每一非挥发性存储器组件包括多个区块，所述方法是应用在所述记忆装置中的一控制器，所述控制器是用来控制所述至少一非挥发性存储器组件，所述方法包括下列步骤：将接收自一主装置的数据暂时地储存于所述控制器中的一挥发性存储器作为接收数据，以及当接收到一特定信号，并且侦测到所述接收数据中存在特定数据已被写入所述至少一非挥发性存储器组件中的一特定非挥发性存储器组件当中被组态成多阶细胞记忆区块的一特定区块内的相同位置至少一次但尚未达一预定次数时，将所述特定数据写入所述至少一非挥发性存储器组件中的另一区块，以避免所述特定数据的损失而所述预定次数大于一，以及所述另一区块是被组态成单阶细胞记忆区块。本专利技术在公开上述方法的同时，也对应地公开一种记忆装置，包括：至少一非挥发性存储器组件，每一非挥发性存储器组件包括多个区块；以及一控制器，用来控制所述至少一非挥发性存储器组件。所述控制器包括一处理单元，用以依据内嵌于所述处理单元或接收自所述处理单元之外的一程序代码来管理所述记忆装置，其中所述控制器将接收自一主装置的数据暂时地储存于所述控制器中的一挥发性存储器作为接收数据。当接收到一特定信号，并且侦测到所述接收数据中存在特定数据已被写入所述至少一非挥发性存储器组件中的一特定非挥发性存储器组件当中被组态成多阶细胞记忆区块的一特定区块内的相同位置至少一次但尚未达一预定次数时，所述控制器将所述特定数据写入所述至少一非挥发性存储器组件中的另一区块，以避免所述特定数据的损失，其中所述预定次数大于一，以及所述另一区块是被组态成单阶细胞记忆区块。本专利技术在公开上述方法的同时，也对应地公开一种记忆装置的控制器，所述记忆装置包括至少一非挥发性存储器组件，每一非挥发性存储器组件包括多个区块，所述控制器的特征在于包括：一处理单元，用来依据内嵌于所述处理单元或接收自所述处理单元之外的一程序代码来管理所述记忆装置，其中所述控制器将接收自一主装置的数据暂时地储存于所述控制器中的一挥发性存储器作为接收数据，并动态地监控所述接收数据的数据量以决定是否将所述接收数据写入所述至少一非挥发性存储器组件，其中接收自所述主装置的至少一写入指令指出所述主装置要求写入所述数据。当接收到一特定信号，并且侦测到所述接收数据中存在特定数据已被写入所述至少一非挥发性存储器组件中的一特定非挥发性存储器组件当中被组态成多阶细胞记忆区块的一特定区块内的相同位置至少一次但尚未达一预定次数时，所述控制器将所述特定数据写入所述至少一非挥发性存储器组件中的另一区块，以避免所述特定数据的损失，其中所述预定次数大于一，以及所述另一区块是被组态成单阶细胞记忆区块。本专利技术的好处之一是，相较于现有技术，本专利技术的方法，记忆装置与控制器不必使用大量的单阶细胞记忆区块，故能省下上述大量的单阶细胞记忆区块所占用的储存空间，以提供更多的多阶细胞记忆区块。因此，本专利技术公开较现有技术更高的储存容量。本专利技术的另一好处是，相较于现有技术，本专利技术的方法，记忆装置与控制器可在不产生副作用(例如：储存数据错误)的状况下提升整体效能。尤其是，本专利技术的方法，记忆装置与控制器可大幅地省下先将接收数据暂时地写入上述大量的单阶细胞记忆区块再将数据从上述大量的单阶细胞记忆区块收集到多阶细胞记忆区块的时间，还可省下频繁地抹除上述大量的单阶细胞记忆区块的时间。因此，本专利技术公开较现有技术更佳的效能。附图说明图1为依据本专利技术一第一实施例的一种记忆装置的示意图。图2绘示本专利技术的一实施例中关于图1所示的非挥发性存储器组件中140_0，140_1，…，与140_N的任一非挥发性存储器组件140_n的内容安排，其中所述非挥发性存储器组件于本实施例中是快闪芯片。图3绘示本专利技术的另一实施例中关于图1所示的非挥发性存储器组件中的一者的内容安排，其中所述非挥发性存储器组件140_n在本实施例中是快闪芯片CHP(n)。图4为依据本专利技术一实施例的一种用来管理一记忆装置的方法200。图5绘示图4所示的方法200在一实施例中所涉及的控制方案。图6绘示图4所示的方法200在另一实施例中所涉及的控制方案。图7绘示图4所示的方法200在另一实施例中所涉及的控制方案。图8绘示图4所示的方法200在另一实施例中所涉及的控制方案。图9绘示图4所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用来管理一记忆装置的方法，所述记忆装置包括至少一非挥发性存储器组件，每一非挥发性存储器组件包括多个区块，所述方法是应用在所述记忆装置中的一控制器，所述控制器是用来控制所述至少一非挥发性存储器组件，所述方法的特征在于包括下列步骤：将接收自一主装置的数据暂时地储存于所述控制器中的一挥发性存储器作为接收数据；以及当接收到一特定信号，并且侦测到所述接收数据中存在特定数据已被写入所述至少一非挥发性存储器组件中的一特定非挥发性存储器组件当中被组态成多阶细胞记忆区块的一特定区块内的相同位置至少一次但尚未达一预定次数时，将所述特定数据写入所述至少一非挥发性存储器组件中的另一区块，以避免所述特定数据的损失而所述预定次数大于一，以及所述另一区块是被组态成单阶细胞记忆区块。

【技术特征摘要】
2013.12.06 TW 102144911;2013.08.05 US 61/862,0941.一种用来管理一记忆装置的方法，所述记忆装置包括至少一非挥发性存储器组件，每一非挥发性存储器组件包括多个区块，所述方法是应用在所述记忆装置中的一控制器，所述控制器是用来控制所述至少一非挥发性存储器组件，所述方法的特征在于包括下列步骤：将接收自一主装置的数据暂时地储存于所述控制器中的一挥发性存储器作为接收数据；以及当接收到一特定信号，并且侦测到所述接收数据中存在特定数据已被写入所述至少一非挥发性存储器组件中的一特定非挥发性存储器组件当中被组态成多阶细胞记忆区块的一特定区块内的相同位置至少一次但尚未达一预定次数时，将所述特定数据写入所述至少一非挥发性存储器组件中的另一区块，以避免所述特定数据的损失而所述预定次数大于一，以及所述另一区块是被组态成单阶细胞记忆区块。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述特定区块中的一记忆细胞被用来储存多个位的状况下，所述多个位需被重复地写入所述记忆细胞达所述预定次数以使所述记忆细胞于所述特定非挥发性存储器组件当中被正确地程序化，以致所述多个位中的每一位均正确地储存于所述记忆细胞以供进一步读取。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于还包括：当所述接收数据中的部分数据的数据量达到一预定数据量临界值时，将所述部分数据写入所述至少一非挥发性存储器组件；其中所述挥发性存储器的储存容量大于或等于所述预定数据量临界值和所述预定次数的乘积，以容许所述接收数据的至少一部分被用在所述记忆细胞的重复写入运作。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预定数据量临界值等于所述特定非挥发性存储器组件当中属于一个字线的一组记忆细胞的储存容量。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述多个区块中的任一区块包括一预定数量的页，该预定数量大于1；以及所述方法还包括：自所述主装置分别接收多组数据，且将所述多组数据暂时地储存于所述挥发性存储器，其中所述多组数据中的每一组数据包括多页，且所述多组数据中的每一组数据的数据量等于所述预定数据量临界值；以及自所述挥发性存储器读取所述多组数据中的至少一组数据，以将所述至少一组数据直接写入所述特定区块，其中所述至少一组数据被写入所述特定区块的次数尚未达到所述预定次数；其中所述特定数据包括所述至少一组数据。6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述多个区块中的任一区块包括一预定数量的页，该预定数量大于1；以及所述方法还包括：自所述主装置逐页地接收包括多页的一组数据中的至少一页，且将所述组数据中的所述至少一页暂时地储存于所述挥发性存储器，其中所述特定数据包括所述组数据中的所述至少一页，以及在所述组数据的总接收数据量达到一预定数据量临界值之前，所述组数据并未被写入所述特定区块；以及自所述另一区块读取所述组数据中的所述至少一页，并将读取自所述另一区块的所述至少一页暂时地储存于所述挥发性存储器，以供写入所述特定区块。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于还包括：自所述主装置逐页地接收所述组数据中的至少一其它页，且将所述组数据中的所述至少一其它页暂时地储存于所述挥发性存储器；以及当所述组数据的所述总接收数据量达到所述预定数据量临界值时，自所述挥发性存储器读取所述组数据的至少一部分，以将所述组数据直接写入所述特定区块。8.如权利要求6所述的方法，其特征在于还包括：自所述主装置逐页地接收包括多页的另一组数据且将所述另一组数据暂时地储存于所述挥发性存储器，直到所述另一组数据的总接收数据量达到所述预定数据量临界值，其中在所述另一组数据的所述总接收数据量达到所述预定数据量临界值之前，所述另一组数据并未被写入所述特定区块；以及当所述另一组数据的所述总接收数据量达到所述预定数据量临界值时，自所述挥发性存储器读取所述另一组数据的至少一部分，以将所述另一组数据直接写入所述特定区块，并且再一次将所述组数据直接写入所述特定区块；其中，通过多次将所述组数据直接写入所述特定区块，所述组数据中的任一页数据的每一位均正确地储存于所述特定区块以供进一步读取。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述特定信号包括一关机指令与一电源侦测信号中的至少一者，其中所述电源侦测信号是用来指出关于所述控制器的电源丧失与电源下降中的任一者的发生。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一非挥发性存储器组件中的任一区块中的每一记忆细胞的储存容量大于一个位。11.一种记忆装置，其特征在于包括：至少一非挥发性存储器组件，每一非挥发性存储器组件包括多个区块；以及一控制器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周柏升，范育玮，詹仲元，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71