一种强耦合的金纳米超晶格结构及其自组装制备方法技术

本发明专利技术公开了一种强耦合的金纳米超晶格结构及其自组装制备方法，所述超晶格结构是由一系列三十二面体金纳米颗粒密集排布所组成，颗粒平均间距控制在几十纳米到几纳米，整个超晶格呈现为一种单层薄膜形态，可见‑近红外波段范围内其存在两个特征化的等离子体耦合共振峰；自组装制备方法是结合了静电和毛细吸附的共同作用。本发明专利技术所选用的试剂和仪器设备简单易得、自组装方式灵活高效，所制备的强耦合金纳米超晶格结构实际面积达到cm

【技术实现步骤摘要】
一种强耦合的金纳米超晶格结构及其自组装制备方法
本专利技术涉及功能型纳米材料的合成制备领域，特别涉及一种具有强耦合效应的金纳米超晶格结构及其自组装制备方法。
技术介绍
近年来，利用化学自组装技术将胶体纳米粒子构造设计形成各类大规模的块体超结构成为了一种功能型纳米复合材料有效制备及其工程化应用的主要研究方式。具有耦合效应的贵金属纳米超晶格结构，特别是二维或三维的超晶薄膜，由于其在特定频率电磁波下能够产生多种奇异的物理特性，例如异常的光学吸收或散射、可调的近场及分布、方向性的等离子体极化等，在整个化学自组装研究中倍受人们的关注。基于以上多种奇异物理特性的存在，耦合贵金属纳米超晶格在谱传感、等离子体超材料、表面增强拉曼散射、新型的光吸收系统等领域有着潜在的研究应用价值。截至目前，人们已对具有简单形貌的贵金属纳米粒子(包括球形、棒状、立方、八面体)开展了一些的超晶格结构的自组装研究工作，但是由于制备方法上的局限性，很难精确控制相邻纳米粒子间距达到理想的尺寸范围，从而产生可能的表面等离子体耦合。尤其是对于单层的贵金属超晶格薄膜结构来说，已报道的化学自组装方法并不能够有效地调控纳米粒子聚集及分布本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种强耦合的金纳米超晶格结构，其特征在于：所述金纳米超晶格结构是由一系列形貌统一的三十二面体金纳米颗粒经过密集化排布所组成，外形上呈现为一种二维的单层薄膜，可见‑近红外宽波段范围内其存在两个特征化的等离子体耦合共振峰。

【技术特征摘要】
1.一种强耦合的金纳米超晶格结构，其特征在于：所述金纳米超晶格结构是由一系列形貌统一的三十二面体金纳米颗粒经过密集化排布所组成，外形上呈现为一种二维的单层薄膜，可见-近红外宽波段范围内其存在两个特征化的等离子体耦合共振峰。2.根据权利要求1所述的强耦合金纳米超晶格结构，其特征在于：所选用的三十二面体金纳米颗粒均包含有8个六边形面和24个五边形面，颗粒尺寸选择小于100nm。3.根据权利要求1所述的强耦合金纳米超晶格结构，其特征在于：排布的相邻三十二面体金纳米颗粒之间平均间距控制在1nm～100nm范围，每一个纳米颗粒空间取向呈现为无序状态。4.根据权利要求1所述的强耦合金纳米超晶格结构，其特征在于：两个等离子体耦合共振峰出现在400nm～1000nm的波长范围内，且第一特征峰位于400nm～580nm之间,峰型显现的强而尖锐；第二特征峰位于600nm～1000nm之间，峰型显现的弱而宽化。5.一种强耦合的金纳米超晶格结构自组装制备方法，其特征在于：所选用自组装方式是结合了静电和毛细吸附的共同作用，包含两个步骤：第一步，将固态基片用多种溶液清洗干净然后将其置于水虎鱼沸腾溶液中一段时间进行表面负电羟基化处理；第二步，将带负电处理完毕后的干燥基片浸...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海斌，刘红，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：四川,51