带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管制造技术

本发明专利技术提出了一种带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区，在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板，相邻两个可调型场板之间间隔设定距离；每一个可调型场板均连接调节电容；通过调节可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸，能够调节可调型场板上的感应电荷量和感应电位，使得漂移区内获得均匀的表面横向电场分布。该结构器件可以改善器件漂移区表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力和很小的导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
本专利技术涉及功率半导体器件领域，更具体的说，是涉及一种适用于高压应用的带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)。
技术介绍
横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)是双扩散金属氧化物半导体场效应管器件(DMOS)的一种横向结构。具有耐压高、增益大、易驱动等优点，并且更易与CMOS工艺兼容，因此在智能功率集成电路中得到广泛的应用。目前横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)设计的重点是如何合理缓和击穿电压与导通电阻之间的矛盾，并且保证其有较高的稳定性。当前人们对横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)研究的焦点主要集中在其漂移区浓度的设计，通过埋层技术减小器件表面电场强度(ReducdSfuraceField,简称RESURF)，以及电阻场极板、SuperJunction、漂移区渐变掺杂等技术来实现击穿电压与导通电阻的折中。传统的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管结构如图1所示，为使LDMOS器件在芯片中发挥更好的作用，改善器件的击穿电压和导通电阻折中关系是LDMOS设计的一个重要研究本文档来自技高网...

【技术保护点】
带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：源极金属，场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区，其特征在于，在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板，相邻两个可调型场板之间间隔设定距离；每一个可调型场板均连接调节电容；所述可调型场板与调节电容的正电极相连接，在所述调节电容正电极上方设置调节电容负电极；所有调节电容的负电极通过金属互连线与源极金属连接；通过设置可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸，能够调节可调型场板上的感应电荷量和感应电位，使得漂移区内获得均匀的表面横向电场分布。

【技术特征摘要】
1.带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：源极金属，场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区，其特征在于，在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板，相邻两个可调型场板之间间隔设定距离；每一个可调型场板均连接调节电容；所述可调型场板与调节电容的正电极相连接，在所述调节电容正电极上方设置调节电容负电极；所有调节电容的负电极通过金属互连线与源极金属连接；通过设置可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸，能够调节可调型场板上的感应电荷量和感应电位，使得漂移区内获得均匀的表面横向电场分布。2.如权利要求1所述的带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述调节电容的正、负电极大小相等，完全对齐。3.如权利要求1所述的带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，在源极金属到漏极金属的方向上，所述调节电容的正、负电极之间相互覆盖的面积依次递减。4.如权利要求1所述的带有...

【专利技术属性】
技术研发人员：张春伟，岳文静，李阳，付小倩，李志明，
申请(专利权)人：济南大学，
类型：发明
国别省市：山东,37