整体防泄漏式真空电子束熔炼装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，包括真空室，以及水冷坩埚；所述的水冷坩埚包括，包括顶部中心形成有物料池的坩埚，以及与所述的坩埚底部固定连接的法兰板；本发明专利技术的水冷坩埚结合热源及真空容器，用于真空金属冶炼提纯的工艺技术，提高了安全性和可靠性。尤其是安装式机构，将进出水口安置在真空室外侧，真空室内部无焊缝，无加工面，即使漏水也会流向真空室外，保证了安全性能。

Holistic leak proof vacuum electron beam smelting device

The invention discloses a leak proof type vacuum electron beam melting device, which comprises a vacuum chamber, and the water cooled crucible; the water-cooled crucible comprises a crucible material including the pool forming the top center, and the flange plate is fixedly connected to the bottom of the crucible; water cooled crucible of the invention combine heat source and vacuum vessel and for the purification technology of vacuum metal smelting, improving the reliability and safety of the. In particular, the installation mechanism places the inlet and outlet of the vacuum chamber outside the vacuum chamber. There is no weld and no processing surface in the vacuum chamber. Even if the water leakage will flow to the vacuum room, it will ensure the safety performance.

【技术实现步骤摘要】
整体防泄漏式真空电子束熔炼装置
本专利技术涉及一种真空电子束熔炼装置，特别是涉及一种整体防泄漏式真空电子束熔炼装置。
技术介绍
真空金属冶炼提纯技术，在蒸发系统中，使用水冷焊接铜坩埚作为蒸发热源的载体，铜具有非常好的导热性能，在水冷条件下，可以很好的降低自身温度，保证使用性能。现有的冷却水道一般采用下进上出的水路结构。而且现有的真空电子束熔炼装置都是直接将水冷坩埚直接放置在真空室内做载体使用，导致真空室内管路连接复杂，存在安全隐患。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术中存在的技术缺陷，而提供一种整体防泄漏式真空电子束熔炼装置。为实现本专利技术的目的所采用的技术方案是：一种整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，包括真空室，以及水冷坩埚；所述的水冷坩埚包括，包括顶部中心形成有物料池的坩埚，以及与所述的坩埚底部固定连接的法兰板；物料池底部水冷机构包括于坩埚于物料池底部向内凹陷地形成的水槽，所述的水槽由所述的法兰板将下开口封闭，其中，在所述的水槽内固定设置有导流立柱，所述的导流立柱上端或下端形成有过流孔以使所述的水槽与过流孔配合构成上下迂回式水道；物料池周侧水冷机构包括形成在所述的坩埚于物料池周侧的底部且下端口被所述的法兰板密封的n个水孔，n为不小于3的自然数；形成在所述的法兰板上的n个通孔；与所述的通孔一一对应地固定设置且可匹配插入所述的水孔中并与水孔保持间隔的导水管，以及形成在所述的法兰板底面的连通部，水孔两两为一组且由连接槽连通，所述的连通部用以连通两组水孔间对应的导水管，所述的真空室开设有安装孔，所述的水冷坩埚通过法兰板固定设置在所述的安装孔处。所述的水槽与所述的水孔或导水管由接引部导通；所述的水槽互不直接连通，所述的连通部互不直接连通，所述的水孔、连接槽、导水管、水槽、接引部及连通部构成整体单向通道。所述的水槽为一段C型水槽，所述的水槽的一端与进水管连通，另一端与导水管或水孔由接引部导通，或者，所述的水槽的两端分别与导水管或水孔由接引部导通，对应的导水管或水孔与进水管和出水管导通。所述的水槽为两段直线水槽，直线水槽的一端分别对应设置进水管或出水管，所述的直线水槽的另一端分别与导水管或水孔由接引部导通物料池周侧水冷机构的水槽的两端和物料池底部水冷机构的两个未设置连通部的导水管分别对应与进水管和出水管连接。所述的水孔沿坩埚的轴向平行设置，水槽等宽等深设置且深度方向均与坩埚的轴向平行，所述的水孔和水槽的壁厚在5-10mm。还包括测温机构，在坩埚的物料池底部和/或物料池周侧设置有轴向延伸的测量孔，在法兰板上对应设置穿孔，所述的测温机构匹配地穿过穿孔插入所述的测量孔。还包括与所述的法兰板密封固定连接底法兰板，在所述的法兰板底面形成有连通槽，所述的底法兰板将所述的连通槽下端口封闭以构成所述的连通部。所述的连接槽形成在坩埚的下表面或法兰板的上表面并由法兰板或坩埚将连接槽的槽口封闭以构成水流通道。所述的过流孔由导流立柱端部的通孔形成，所述的过流孔由所述的导流立柱端面与水槽顶面或法兰板上表面间的间隙构成。所述的水槽两侧形成有弧形凹窝以定位所述的导流立柱，所述的导流立柱过渡配合或者过盈配合地设置在所述的水槽内。所述的连通部为连通管，所述的连通管与对应的导通的两根所述的导水管一体形成。所述的坩埚底端形成有外凸式与法兰板匹配的连接环，所述的连接环与所述的真空室外壁固定连接。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术的水冷坩埚结合热源及真空容器，用于真空金属冶炼提纯的工艺技术，提高了安全性和可靠性。尤其是安装式机构，将进出水口安置在真空室外侧，真空室内部无焊缝，无加工面，即使漏水也会流向真空室外，保证了安全性能。附图说明图1所示为本专利技术的真空电子束熔炼用冷坩埚的爆炸态结构示意图；图2所示为图1所示的另一视角结构示意图；图3所示为坩埚底部侧视图；图4所示为坩埚的另一视角结构示意图；图4所示为底座示意图；图5所示为底座装载于坩埚底部的结构示意图；图6所示为水冷坩埚的组状态结构示意图。图7所示为本专利技术的水冷坩埚安装示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如图所示，本专利技术公开了一种整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，包括真空室5，以及水冷坩埚；所述的水冷坩埚，包括，包括顶部中心形成有物料池11的坩埚1，以及与所述的坩埚底部固定连接的底座2；其中，所述的坩埚为热良导体，如铜材质，所述的座板2为不锈钢材质，充分结合不锈钢的良好加工性和铜的导热性。其中，为实现坩埚和座板的密封连接，两者相接触面优选为平面并在两者间设置密封板，如橡胶板密封。物料池底部水冷机构包括于坩埚于物料池底部向内凹陷地形成的水槽12，所述的水槽由所述的底座将下开口封闭，其中，在所述的水槽内固定设置有导流立柱13，所述的导流立柱上端或下端形成有过流孔以使所述的水槽与过流孔配合构成上下迂回式水道；其中，所述的过流孔为导流立柱端部的通孔，或者由导流立柱与水槽顶面或者座板上表面间的间隙构成，即导流立柱的长度小于水槽深度，通过插入到底或者底端与坩埚底部齐平构成过流孔，其中，导流立柱优选为圆柱形或方柱形，当然也可采用其他截面形状，只要能实现对液体的阻断即可。在坩埚底部设置水槽且该水槽由座板将水槽的下端面封闭形成腔式水道，同时在水道内设置导流立柱，该导流立柱将水道阻断只留有过流孔，相邻的两导流立柱的过流孔成上下交错配置，即在坩埚内形成上下迂回式单向水道，通过水流在单向水道的流动实现降温效果。物料池周侧水冷机构包括形成在所述的坩埚于物料池周侧的底部且下端口被所述的底座密封的n个水孔14，n为不小于3的自然数；形成在所述的底座2上的n个通孔；与所述的通孔一一对应地固定设置且可匹配插入所述的水孔中并与水孔保持间隔的导水管21，以及形成在所述的底座底面的连通部22，水孔两两为一组且由连接槽连通，所述的连通部用以连通两组水孔间对应的导水管，所述的水槽11与所述的水孔14由接引部23导通；所述的连接槽15形成在所述的坩埚的底面或者座板的上表面，只需要满足坩埚和座板的密封连接即可。所述的水槽互不直接连通，所述的连通部互不直接连通，所述的水孔、连接槽、导水管、水槽、接引部23及连通部22构成整体单向通道。所述的水冷坩埚作为真空室的一部分，即所述的真空室5开设有安装孔，所述的水冷坩埚埚通过法兰板固定设置在所述的安装孔51处。具体地说，所述的坩埚底端形成有外凸式连接环10，所述的连接环10与所述的真空室外壁法兰式固定连接，同时，所述的连接环10的上表面内圈形成有凹槽，在所述的凹槽内嵌设有密封圈。本专利技术的水冷坩埚，对不同部位采用不同方式的流道设计，针对性强，可有效保证水冷管坩埚的水冷效果和均匀性，同时，两种流道设计，均在坩埚体内无焊缝，避免了漏水的安全隐患，提高了设备的可靠性，降低了加工成本，通过打水孔和内嵌导水管的方式以及套管内外循环式共同形成循环水道，可以保证加工精度，可通过调整孔径和水孔位置以及水槽宽度灵活调整水道冷却面积，使得冷却面积增大，满足不同热负荷的要求。在具体实现上，为实现流路的整体设计，如图所示，本专利技术第一实施例为所述的水槽为两段直线水槽，所述的n为偶数，所述的连通部为n/2-1个以将对应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，包括真空室，以及水冷坩埚；所述的水冷坩埚包括，包括顶部中心形成有物料池的坩埚，以及与所述的坩埚底部固定连接的法兰板；物料池底部水冷机构包括于坩埚于物料池底部向内凹陷地形成的水槽，所述的水槽由所述的法兰板将下开口封闭，其中，在所述的水槽内固定设置有导流立柱，所述的导流立柱上端或下端形成有过流孔以使所述的水槽与过流孔配合构成上下迂回式水道；物料池周侧水冷机构包括形成在所述的坩埚于物料池周侧的底部且下端口被所述的法兰板密封的n个水孔，n为不小于3的自然数；形成在所述的法兰板上的n个通孔；与所述的通孔一一对应地固定设置且可匹配插入所述的水孔中并与水孔保持间隔的导水管，以及形成在所述的法兰板底面的连通部，水孔两两为一组且由连接槽连通，所述的连通部用以连通两组水孔间对应的导水管，所述的真空室开设有安装孔，所述的水冷坩埚通过法兰板固定设置在所述的安装孔处。

【技术特征摘要】
1.一种整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，包括真空室，以及水冷坩埚；所述的水冷坩埚包括，包括顶部中心形成有物料池的坩埚，以及与所述的坩埚底部固定连接的法兰板；物料池底部水冷机构包括于坩埚于物料池底部向内凹陷地形成的水槽，所述的水槽由所述的法兰板将下开口封闭，其中，在所述的水槽内固定设置有导流立柱，所述的导流立柱上端或下端形成有过流孔以使所述的水槽与过流孔配合构成上下迂回式水道；物料池周侧水冷机构包括形成在所述的坩埚于物料池周侧的底部且下端口被所述的法兰板密封的n个水孔，n为不小于3的自然数；形成在所述的法兰板上的n个通孔；与所述的通孔一一对应地固定设置且可匹配插入所述的水孔中并与水孔保持间隔的导水管，以及形成在所述的法兰板底面的连通部，水孔两两为一组且由连接槽连通，所述的连通部用以连通两组水孔间对应的导水管，所述的真空室开设有安装孔，所述的水冷坩埚通过法兰板固定设置在所述的安装孔处。2.如权利要求1所述的整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的水槽与所述的水孔或导水管由接引部导通；所述的水槽互不直接连通，所述的连通部互不直接连通，所述的水孔、连接槽、导水管、水槽、接引部及连通部构成整体单向通道。3.如权利要求2所述的整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的水槽为一段C型水槽，所述的水槽的一端与进水管连通，另一端与导水管或水孔由接引部导通，或者，所述的水槽的两端分别与导水管或水孔由接引部导通，对应的导水管或水孔与进水管和出水管导通。4.如权利要求2所述的整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的水槽为两段直线水槽，直线水槽的一端分别对应设置进水管或出水管，所述的直线水槽的另一端分别与导水管或水孔由接引部导通。5.如权利要求1所述的整体防泄漏式真空电子束熔炼装置，其特征在于，物料池周侧水冷机构的水槽的两端和物料池底部水冷机构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗立平，慈连鳌，赵国华，许文强，张晓卫，高学林，
申请(专利权)人：核工业理化工程研究院，沈阳腾鳌真空技术有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12