The utility model relates to a sapphire crystal with double arc plate seeding growth furnace, the base and the seeding surface as a whole, the seed surface of horizontal and vertical respectively with the upper inner concave, oblique, oblique plane bottom and another oblique surface connected at the bottom, and the formation of the inner groove surface and oblique top another oblique top surface is arranged between the strip groove on both sides of the seed surface were inclined to the bottom, and the longitudinal side coplanar with the base. The utility model is in accordance with the gradient change of the temperature curve of the heat field in the two directions, the change of the arc in the two directions, and the growth of the crystal.
【技术实现步骤摘要】
蓝宝石单晶生长炉用双弧面引晶板
本技术涉及蓝宝石炉用设备
,特别是一种符合两个方向热场温度曲线的梯度变化、两个方向都有弧度变化、益于晶体生长的蓝宝石单晶生长炉用双弧面引晶板。
技术介绍
蓝宝石晶体具有优异的光学性能、机械性能和化学稳定性,强度高、硬度大、耐腐蚀,可在接近2000℃高温的恶劣条件下工作,因而得到广泛的应用。是半导体发光二极管(LED),大规模集成电路SOI和SOS及超导纳米结构薄膜等最为理想的衬底材料。蓝宝石单晶生长炉行业,国内导模法模具都是板与板组成模具组合,由于对热场温度曲线的认识差异,基本上都是单弧度,也就是只有一个方向有随着温度曲线变化的拟合弧度,另一个方向是没有进行温度曲线拟合的弧度。这样的模具设计并不能客观反映热场温度的梯度变化。为充分考虑到X、Y两个方向热场温度曲线的梯度变化,需要一种符合两个方向热场温度曲线的梯度变化、两个方向都有弧度变化、益于晶体生长的蓝宝石单晶生长炉用双弧面引晶板。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种符合两个方向热场温度曲线的梯度变化、两个方向都有弧度变化、益于晶体生长的蓝宝石单晶生长炉用双弧面引晶板。蓝宝石单晶生长炉用双弧面引晶板,包括:底座,所述底座和引晶面为一体,所述引晶面横向和纵向分别为内凹形,上部设有斜向面,所述斜向面的底部和另一斜向面的底部相连,并形成内凹槽,所述斜向面的顶部和另一斜向面的顶部之间设有条形槽,所述引晶面两侧分别为斜向面的底部,并与底座的纵向侧面共面。所述底座的底部为底座卡,沿底座的纵向分布。所述底座的两侧面与引晶面的接触处设有边卡,所述边卡向外突出。所述底座为长方体。所述条形槽的 ...
【技术保护点】
蓝宝石单晶生长炉用双弧面引晶板,其特征在于,包括:底座(1),所述底座(1)和引晶面(2)为一体,所述引晶面(2)横向和纵向分别为内凹形,上部设有斜向面(3),所述斜向面(3)的底部和另一斜向面(3)的底部相连,并形成内凹槽,所述斜向面(3)的顶部和另一斜向面(3)的顶部之间设有条形槽(4),所述引晶面(2)两侧分别为斜向面(3)的底部,并与底座(1)的纵向侧面共面。
【技术特征摘要】
1.蓝宝石单晶生长炉用双弧面引晶板,其特征在于,包括:底座(1),所述底座(1)和引晶面(2)为一体,所述引晶面(2)横向和纵向分别为内凹形,上部设有斜向面(3),所述斜向面(3)的底部和另一斜向面(3)的底部相连,并形成内凹槽,所述斜向面(3)的顶部和另一斜向面(3)的顶部之间设有条形槽(4),所述引晶面(2)两侧分别为斜向面(3)的底部,并与底座(1)的纵向侧面共面。2.根据权利要求1所述的蓝宝石单晶生长炉用双弧面引晶板,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕立强,陈有生,
申请(专利权)人:上海朗兆机电设备有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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