一种微型磁通门传感器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种微型磁通门传感器，包括相互键合的第一高阻硅片和第二高阻硅片，第一高阻硅片和第二高阻硅片的对合面之间具有铁芯腔，铁芯腔的外周围绕设置有多个填充有线圈材料的螺线管腔，铁芯腔的一端开口设置，铁芯腔内插设有带材磁芯，自铁芯腔的开口通过填充材料将带材磁芯密封固定在铁芯腔内，第一高阻硅片、第二高阻硅片的外表面上分别蚀刻有与螺线管腔相联通的电极窗口。该微型磁通门传感器可以采用一次成型填充工艺制作螺线管线圈，避免了使用微电镀工艺，不仅有效简化了工艺流程，提高了连接通孔的成功率，而且降低了对环境的污染，缩减了环保成本。

【技术实现步骤摘要】
一种微型磁通门传感器
本技术涉及微型磁通门传感器
，具体涉及一种基于微机械电子系统(MEMS)技术的微型磁通门传感器
技术介绍
传统的磁通门传感器是通过在软磁薄膜磁芯上绕制三维螺线管线圈的方式制作的。此种类型的磁通门传感器存在体积大、重量大、功耗高、灵敏度低和长期稳定性差等缺点，难以满足电子元器件微型化的发展需求。MEMS技术是近几十年发展起来的微机械加工技术。通过MEMS技术可以实现芯片尺寸的磁通门传感器的制作，不仅可以大大减小传统磁通门传感器的体积和重量，而且还可以有效降低功耗并提高其长期稳定性。本专利技术就是一项基于MEMS技术的磁通门传感器制作方法。微型磁通门传感器的制作主要包括三维螺线管线圈和软磁薄膜磁芯两个关键部分。要制作出具备优异性能的微型磁通门传感器，需要在充分满足整体性能的前提下，考虑工艺的兼容性和制造成本问题。经过现有技术的文献检索发现，Chun-LeiKang等在《MicrosystemTechnologies》(Vol.15，Issue.3，pp413-419，2009)上发表了“Electroplatingamagneticcoreformicrofl本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微型磁通门传感器，包括相互键合的第一高阻硅片(1)和第二高阻硅片(2)，所述第一高阻硅片(1)和第二高阻硅片(2)的对合面之间具有铁芯腔(100)，所述铁芯腔(100)的外周围绕设置有多个填充有线圈材料的螺线管腔(200)，其特征在于：所述铁芯腔(100)的一端开口设置，所述铁芯腔(100)内插设有带材磁芯(101)，自所述铁芯腔(100)的开口通过填充材料将所述带材磁芯(101)密封固定在所述铁芯腔(100)内，所述第一高阻硅片(1)、第二高阻硅片(2)的外表面上分别蚀刻有与所述螺线管腔(200)相联通的电极窗口(300)。

【技术特征摘要】
1.一种微型磁通门传感器，包括相互键合的第一高阻硅片(1)和第二高阻硅片(2)，所述第一高阻硅片(1)和第二高阻硅片(2)的对合面之间具有铁芯腔(100)，所述铁芯腔(100)的外周围绕设置有多个填充有线圈材料的螺线管腔(200)，其特征在于：所述铁芯腔(100)的一端开口设置，所述铁芯腔(100)内插设有带材磁芯(101)，自所述铁芯腔(100)的开口通过填充材料将所述带材磁芯(101)密封固定在所述铁芯腔(100)内，所述第一高阻硅片(1)、第二高阻硅片(2)的外表面上分别蚀刻有与所述螺线管腔(200)相联通的电极窗口(300)。2.根据权利要求1所述的微型磁通门传感器，其特征在于：所述铁芯腔(100)的内壁上沉积有绝缘层，所述螺线管腔(200)的内壁上沉积有绝缘层。3.根据权利要求1或2所述的微型磁通门传感器，其特征在于：所述第一高阻硅片(1)或第二高阻硅片(2)的内表面上蚀刻有磁芯槽(4)，使得第一高阻硅片(1)和...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯晓伟，王飞，倪大成，郑良广，郭俊杰，
申请(专利权)人：宁波中车时代传感技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33