鳍式场效应晶体管的栅极制备方法及栅极技术

本发明专利技术提供的鳍式场效应晶体管的栅极制备方法及栅极，通过采用对二氧化硅基底进行刻蚀，形成具有鳍片结构的衬底，在衬底层的表面淀积硅元素和锗元素，形成第一淀积层，对第一淀积层进行热氧化处理，以使第一淀积层中的锗元素扩散至衬底，并在衬底靠近所述第一淀积层的区域形成锗元素注入层，刻蚀经热氧化处理后的第一淀积层，直至所述锗元素注入层完全露出，在所述锗元素注入层的表面依次形成栅极绝缘层和栅电极层，对所述衬底、所述锗元素注入层、所述栅极绝缘层和所述栅电极层进行栅极图形化处理，形成栅极的方式，从而使得在栅极中心区域形成氧化层，有效的阻断了源极和漏极之间的漏电通道，避免漏电损耗。

Grid fabrication method and grid of fin type field effect transistors

The invention provides a fin field effect transistor gate gate and preparation method, by etching the silica substrate, forming a substrate having a fin structure, the substrate layer is deposited on the surface of silicon and germanium, forming the first layer deposition on the first deposition in thermal oxidation treatment, in order to make the first illuvium the germanium diffusion to the substrate, and the substrate adjacent the first deposition region formed germanium implanted layer, etching by thermal oxidation treatment after the first deposit, until the germanium implantation layer completely exposed, the germanium surface layer are formed into a gate insulating layer and a gate electrode layer on the substrate, and the germanium implanted layer, the gate insulating layer and the gate electrode layer of the gate graphical processing, forming a gate way, so that at the center of the gate The oxidation layer is formed in the region, which effectively blocks the leakage channel between the source and the drain, so as to avoid the leakage loss.

【技术实现步骤摘要】
鳍式场效应晶体管的栅极制备方法及栅极
本专利技术涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种鳍式场效应晶体管的栅极制备方法及栅极。
技术介绍
随着半导体集成电路工业的迅速发展，半导体器件的尺寸逐渐的趋近于物理尺寸的极限，为了进一步提高半导体器件的集成度，半导体器件逐渐由平面结构向三维结构过渡。鳍式场效应晶体管(FinField-EffectTransistor，简称FinFET)便应运而生。FinFET是一种具有鳍片结构的半导体器件，该鳍片结构被栅电极材料包围，并形成FinFET的栅极。通过对栅极加载驱动电流，从而完成对FinFET的启动和控制。但是，现有的FinFET的栅极一般采用单晶硅基底制备而成的，其制备形成的FinFET在工作时，栅极中心区域容易被电流击穿，致使源极和漏极之间出现漏电，增加了FinFET的电流功耗，降低FinFET的器件性能。
技术实现思路
本专利技术提供一种鳍式场效应晶体管的栅极制备方法及栅极，用于解决在现有的鳍式场效应晶体管的栅极制备方法中出现的源极和漏极之间出现漏电，FinFET的电流功耗高的问题。本专利技术提供的一种鳍式场效应晶体管的栅极制备方法，包括：对二氧化硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍式场效应晶体管的栅极制备方法，其特征在于，包括：对二氧化硅基底进行刻蚀，形成具有鳍片结构的衬底；在所述衬底的表面淀积硅元素和锗元素，形成第一淀积层；对所述第一淀积层进行热氧化处理，以使所述第一淀积层中的锗元素扩散至所述衬底，并在所述衬底靠近所述第一淀积层的区域形成锗元素注入层；刻蚀经热氧化处理后的第一淀积层，直至所述锗元素注入层完全露出；在所述锗元素注入层的表面依次形成栅极绝缘层和栅电极层；对所述衬底、所述锗元素注入层、所述栅极绝缘层和所述栅电极层进行栅极图形化处理，形成栅极。

【技术特征摘要】
1.一种鳍式场效应晶体管的栅极制备方法，其特征在于，包括：对二氧化硅基底进行刻蚀，形成具有鳍片结构的衬底；在所述衬底的表面淀积硅元素和锗元素，形成第一淀积层；对所述第一淀积层进行热氧化处理，以使所述第一淀积层中的锗元素扩散至所述衬底，并在所述衬底靠近所述第一淀积层的区域形成锗元素注入层；刻蚀经热氧化处理后的第一淀积层，直至所述锗元素注入层完全露出；在所述锗元素注入层的表面依次形成栅极绝缘层和栅电极层；对所述衬底、所述锗元素注入层、所述栅极绝缘层和所述栅电极层进行栅极图形化处理，形成栅极。2.根据权利要求1所述的栅极制备方法，其特征在于，所述对二氧化硅基底进行刻蚀，形成具有鳍片结构的衬底，包括：根据预设的鳍片的高度、宽度和数量，对所述对二氧化硅基底进行刻蚀，形成衬底。3.根据权利要求2所述的栅极制备方法，其特征在于，所述鳍片的数量为多个，多个鳍片均匀分布。4.根据权利要求1所述的栅极制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的表面淀积硅元素和锗元素，形成第一淀积层，包括：采用原子层淀积工艺，在所述衬底表面依次淀积硅和锗硅混合物，形成第一淀积层。5.根据权利要求1所述的栅极制备方法，其特征在于，所述在所述锗元素注入层的表面依次形成栅极绝缘层和栅电极层，包括：在所述锗元素注入层表面淀积二氧化硅、氮化硅或高电介质氧化物，形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：周亚夫，许辰雨，
申请(专利权)人：北京工业职业技术学院，
类型：发明
国别省市：北京,11