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本发明提供的鳍式场效应晶体管的栅极制备方法及栅极，通过采用对二氧化硅基底进行刻蚀，形成具有鳍片结构的衬底，在衬底层的表面淀积硅元素和锗元素，形成第一淀积层，对第一淀积层进行热氧化处理，以使第一淀积层中的锗元素扩散至衬底，并在衬底靠近所述第一...
该专利属于北京工业职业技术学院所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业职业技术学院授权不得商用。

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