一种离子注入能量测试结构及测试方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种离子注入能量测试结构及测试方法、电子装置。所述测试结构包括：半导体衬底，具有第一导电类型；第二注入区域，位于所述半导体衬底中，具有第二导电类型；第一注入区域，位于所述第二注入区域中，具有第一导电类型；其中，所述半导体衬底和所述第二注入区域电连接至接地端，所述第一注入区域上施加有应力电流。通过所述测试结构可以监控离子注入的能量，以将WAT测试中在线捕获异常的晶圆，减小晶圆的异常风险，进一步提高半导体器件的性能和良率。

An ion implantation energy test structure and testing method and electronic device

The invention relates to an ion injection energy test structure, a test method and an electronic device. The test structure includes: a semiconductor substrate having a first conductivity type; second implanted region in the semiconductor substrate, a second conductive type; the first into the area, located in the second injection region, having a first conductivity type; wherein, the semiconductor substrate and the second injection region are electrically connected to the ground to the end, the first injection region is applied on current stress. The energy of ion implantation can be monitored through the test structure, so that the abnormal wafers can be captured online in the WAT test, and the abnormal risk of wafer will be reduced, and the performance and yield of semiconductor devices will be further improved.

【技术实现步骤摘要】
一种离子注入能量测试结构及测试方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种离子注入能量测试结构及测试方法、电子装置。
技术介绍
近年来半导体制程技术突飞猛进，目前产品讲求轻薄短小，IC体积越来越小、功能越来越强、脚数越来越多，为了降低芯片封装所占的面积与改善IC效能，现阶段覆晶(FlipChip)方式封装普遍被应用于绘图芯片、芯片组、存储器及CPU等。上述高阶封装方式单价高昂，如果能在封装前进行芯片测试，发现有不良品存在晶圆当中，即进行标记，直到后段封装制程前将这些标记的不良品舍弃，可省下不必要的封装成本。目前工艺有一种常用的方法为晶圆可接受测试(waferacceptancetest，WAT)，所述WAT方法是针对专门测试图形(testkey)进行测试通过电参数来控制各步工艺是否正常和稳定。在切割道上设置各种电参数测试结构，例如各种晶体管图案、电阻测试图案、漏电流/击穿测试图案，以决定晶圆是否经历正常的工艺。在晶片的制备过程中离子注入工艺的使用越来越多，离子注入剂量以及注入能量直接影响器件的可靠性和电参数。目前有很多测试结构可以监控注入剂量，但是没有结构能够监控注本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子注入能量测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：半导体衬底，具有第一导电类型；第二注入区域，位于所述半导体衬底中，具有第二导电类型；第一注入区域，位于所述第二注入区域中，具有第一导电类型；其中，所述半导体衬底和所述第二注入区域电连接至接地端，所述第一注入区域上施加有应力电流。

【技术特征摘要】
1.一种离子注入能量测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：半导体衬底，具有第一导电类型；第二注入区域，位于所述半导体衬底中，具有第二导电类型；第一注入区域，位于所述第二注入区域中，具有第一导电类型；其中，所述半导体衬底和所述第二注入区域电连接至接地端，所述第一注入区域上施加有应力电流。2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第二注入区域的顶部与所述第一注入区域的顶部平齐，并且所述第一注入区域顶部以下的部分被所述第二注入区域包围。3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第二注入区域的顶部与所述半导体衬底的顶部平齐，并且所述第二注入区域顶部以下的部分被所述半导体衬底包围。4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘；其中，所述第一焊盘的一端电连接至所述第一注入区域，所述第一焊盘的另一端上施加有所述应力电流；所述第二焊盘的一端电连接至所述第二注入区域，所述第二焊盘的另一端电连接至所述接地端；所述第三焊盘的一端电连接至所述半导体衬底，所述第三焊盘的另一端电连接至所述接地端。5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟丽华，王兴，李洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31