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本发明涉及一种离子注入能量测试结构及测试方法、电子装置。所述测试结构包括：半导体衬底，具有第一导电类型；第二注入区域，位于所述半导体衬底中，具有第二导电类型；第一注入区域，位于所述第二注入区域中，具有第一导电类型；其中，所述半导体衬底和所述...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。