二次电池保护电路制造技术

本发明专利技术提供一种二次电池保护电路，其具有：在二次电池和MOS晶体管之间与电源路径连接第1端子；在负载和MOS晶体管之间与电源路径连接的第2端子；与MOS晶体管的栅极连接的第3端子；与MOS晶体管的背栅连接的第4端子；基于二次电池的异常状态使第4端子和第1端子连接的第1开关；及基于二次电池的异常状态使第4端子和第2端子连接的第2开关。介由第1开关被连接了的第4端子和第1端子之间的电阻值或介由第2开关被连接了的第4端子和第2端子之间的电阻值大于MOS晶体管的开启电阻值。

Two battery protection circuit

The invention provides a two battery protection circuit, comprising between two cell and MOS transistors and power path connecting first terminals; the second terminal between the load and the MOS transistor is connected with a power supply path; the third terminal is connected to the gate of a MOS transistor; the fourth terminal is connected with the back gate MOS transistor. The first switch two times; the abnormal state of the battery so that the fourth and first terminal connection based on the abnormal state of two times; and the battery based on the fourth terminal and the second terminal of the second switch connection. The resistance value between the fourth terminals and first terminals connected by the first switch or the electrical resistance between the fourth terminals and the second terminals connected by the second switch is larger than that of the MOS transistor.

【技术实现步骤摘要】
二次电池保护电路
本专利技术涉及一种二次电池保护电路。
技术介绍
现有技术中，熟知有一种藉由对插入二次电池和负载之间的电源路径上的开关元件进行关闭(off)以保护所述二次电池的保护电路(例如，参照专利文献1)。图1是表示专利文献1中所公开的保护电路12的结构的图。当二次电池11与充电器15连接时，控制电路14将开关元件13的栅极(gate)电压作为开关元件13的开启(on)电压。此时，如图1所示，背栅触点(backgatecontact)21的电位为漏极(drain)电位。如果二次电池11的电压高于最高设定电压，则控制电路14将开关元件13的栅极电压作为截止(cutoff)电压。据此，充电电流被开关元件13和寄生二极管26的二极管26B切断，此外，如果二次电池11与负载16连接，则放电电流介由二极管26B流动。另一方面，如果二次电池11的电压低于最低设定电压，则控制电路14将开关元件13的栅极电压作为截止电压，并将背栅触点21的电位从漏极电位切换至源极(source)电位。据此，放电电流被开关元件13和寄生二极管26的二极管26A切断，此外，如果二次电池11与充电器15连接，则充电电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二次电池保护电路，其为藉由对串联插入二次电池和负载之间的电源路径上的MOS晶体管进行控制以保护所述二次电池的二次电池保护电路，所述二次电池保护电路具有：第1端子，在所述二次电池和所述MOS晶体管之间与所述电源路径连接；第2端子，在所述负载和所述MOS晶体管之间与所述电源路径连接；第3端子，与所述MOS晶体管的栅极连接；第4端子，与所述MOS晶体管的背栅连接；异常检测电路，用于检测所述二次电池的异常；控制电路，根据所述二次电池的异常检测结果，输出开关控制信号；及开关控制电路，根据所述控制电路的输出，将用于控制所述MOS晶体管的栅极的栅极控制信号输出至所述第3端子，并且，根据所述控制电路的输出...

【技术特征摘要】
2016.07.11 JP 2016-1371001.一种二次电池保护电路，其为藉由对串联插入二次电池和负载之间的电源路径上的MOS晶体管进行控制以保护所述二次电池的二次电池保护电路，所述二次电池保护电路具有：第1端子，在所述二次电池和所述MOS晶体管之间与所述电源路径连接；第2端子，在所述负载和所述MOS晶体管之间与所述电源路径连接；第3端子，与所述MOS晶体管的栅极连接；第4端子，与所述MOS晶体管的背栅连接；异常检测电路，用于检测所述二次电池的异常；控制电路，根据所述二次电池的异常检测结果，输出开关控制信号；及开关控制电路，根据所述控制电路的输出，将用于控制所述MOS晶体管的栅极的栅极控制信号输出至所述第3端子，并且，根据所述控制电路的输出，将用于控制所述MOS晶体管的背栅的电位的背栅控制信号输出至所述第4端子，所述开关控制电路具备：基于所述二次电池的异常状态，使所述第4端子和所述第1端子连接的...

【专利技术属性】
技术研发人员：安部修平，罗赫辉，黄镐石，金荣奭，安商勋，
申请(专利权)人：三美电机株式会社，ITM半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP