The invention discloses a drive circuit of AC servo MOSFET three level based on the increase in the number of level three level topology structure of MOSFET main circuit based on the voltage waveform of the motor input to improve, reduce the distortion of motor voltage waveform, reduce motor current harmonics, low motor temperature rising; at the same time, Du/ Dt switch diode diode the stress is reduced, effectively prevent the insulation breakdown characteristics of motor rotor winding, EMI improve the servo driver; switching frequency up to 50KHZ, significantly improve the overall performance of the servo control, especially the dynamic performance, the speed response bandwidth.
【技术实现步骤摘要】
一种基于MOSFET三电平的交流伺服驱动主回路
本专利技术涉及伺服驱动领域,尤其涉及伺服驱动主回路方面,更具体地说,涉及一种基于MOSFET三电平的交流伺服驱动主回路。
技术介绍
随着机器人、人工智能技术的发展,伺服作为其中一个重要的执行机构,其性能直接决定了智能制造的水平。目前交流伺服驱动电路主要由IGBT、金氧半场效晶体管MOSFET分立器件或集成的IPM模块构成,主要拓扑结构为两电平三相逆变结构,图1为目前主流伺服驱动使用的拓扑电路,其中U、V、W为电机的所需的三路驱动电源输出端子。IGBT模式的交流伺服驱动主回路耐压高,但开关速度慢,而金氧半场效晶体管MOSFET模式的交流伺服驱动主回路开关速度快,但耐压性能差。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于,针对上述的交流伺服驱动电路IGBT速度慢和金氧半场效晶体管MOSFET耐压问题的技术缺陷,提供了一种基于MOSFET三电平的交流伺服驱动主回路。本专利技术为解决其技术问题,提供了一种基于MOSFET三电平的交流伺服驱动主回路,包含整流电路、驱动电路以及逆变电路,整流电路包含电容组以及用于将交流输入转换为直流电后存储至电容组的交直流转换电路,交直流转换电路与电容组并联,每个电容组由两个串联的电容组成;逆变电路包含三组逆变子电路,各组逆变子电路均并接在P点和N点之间,每组逆变子电路均包含4个金氧半场效晶体管MOSFET1-金氧半场效晶体管MOSFET4以及6个二极管D1-D6;金氧半场效晶体管MOSFET1-金氧半场效晶体管MOSFET4的栅极均分别连接至所述驱动电路以接受所述驱动电路分别发送的PWM ...
【技术保护点】
一种基于MOSFET三电平的交流伺服驱动主回路,包含整流电路、驱动电路以及逆变电路,其特征在于,所述整流电路包含电容组以及用于将交流输入转换为直流电后存储至电容组的交直流转换电路,交直流转换电路与电容组并联,每个电容组由两个串联的电容组成;其中电容组与交直流转换电路的两个并联连接点分别记为P点和N点,电容组中两个电容的连接点记为O点;所述逆变电路包含三组逆变子电路,各组逆变子电路均并接在P点和N点之间,每组逆变子电路均包含4个金氧半场效晶体管MOSFET1‑MOSFET4以及6个二极管D1‑D6;金氧半场效晶体管MOSFET1‑MOSFET4的栅极均分别连接至所述驱动电路以接受所述驱动电路分别发送的PWM信号的控制,金氧半场效晶体管MOSFET1的漏极连接P点,金氧半场效晶体管MOSFET1的源极连接金氧半场效晶体管MOSFET2的漏极,金氧半场效晶体管MOSFET2的源极连接金氧半场效晶体管MOSFET3的漏极,金氧半场效晶体管MOSFET3的源极连接金氧半场效晶体管MOSFET4的漏极,金氧半场效晶体管MOSFET4源极连接N点;二极管D1‑D4分别连接在金氧半场效晶体管MOSFE ...
【技术特征摘要】
1.一种基于MOSFET三电平的交流伺服驱动主回路,包含整流电路、驱动电路以及逆变电路,其特征在于,所述整流电路包含电容组以及用于将交流输入转换为直流电后存储至电容组的交直流转换电路,交直流转换电路与电容组并联,每个电容组由两个串联的电容组成;其中电容组与交直流转换电路的两个并联连接点分别记为P点和N点,电容组中两个电容的连接点记为O点;所述逆变电路包含三组逆变子电路,各组逆变子电路均并接在P点和N点之间,每组逆变子电路均包含4个金氧半场效晶体管MOSFET1-MOSFET4以及6个二极管D1-D6;金氧半场效晶体管MOSFET1-MOSFET4的栅极均分别连接至所述驱动电路以接受所述驱动电路分别发送的PWM信号的控制,金氧半场效晶体管MOSFET1的漏极连接P点,金氧半场效晶体管MOSFET1的源极连接金氧半场效晶体管MOSFET2的漏极,金氧半场效晶体管MOSFET2的源极连接金氧半场效晶体管MOSFET3的漏极,金氧半场效晶体管MOSFET3的源极连接金氧半场效晶体管MOSFET4的漏极,金氧半场效晶体管MOSFET4源极连接N点;二极管D1-D4分别连接在金氧半场效晶体管MOSFET1-MOSFET4的漏极和栅极之间,且二极管D1-D4的阴极分别连接在对应金氧半场效晶体管的漏极上,二极管D1-D4的阳极分别连接在对应金氧半场效晶体管的源极上,二极管D5的阴极连接金氧半场效晶体管MOSFET1的源极,二极管D5的阳极连接O点,二极管D6的阴极连接O点,二极管D6的阳极连接二极管D3的源极;三组逆变子电路各自的金氧半场效晶体管MOSFET2的源极分别连接输入端子,以输出电机所需的三路驱动电源。2.根据权利要求1所述的交流伺服驱动主回路,其特征在于,电容组的组数为3组,3组电容组均并接在P点和N点之间,每组电容组的两个电容的连接点均与其他电容组的两个电容的连接点相连接。3.根据权利要求1所述的交流伺服驱动主回...
【专利技术属性】
技术研发人员:尹泉,李海春,罗慧,刘洋,
申请(专利权)人:华中科技大学,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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