一种射频同轴继电器的TTL控制电路制造技术
A TTL control circuit for a radio frequency coaxial relay
The utility model discloses a coaxial RF relay TTL control circuit, which comprises a coil L1, L2 coil, auxiliary contacts T1, T2 auxiliary contacts, contact RF S1, RF contact S2, TTL control circuit, TTL control circuit of the L1 coil, L2 coil, and gate circuit; L1 coil, auxiliary contacts T1 S1, RF contacts are connected in series connected coils L2, T2, S2 contact RF auxiliary contacts are connected in series connected TTL control circuit coil L1 connected through the gate circuit and TTL control terminal, a control terminal connected directly with the TTL control circuit of TTL coil L2. The utility model is added to the 2 gate circuit, TTL control circuit is connected, only 1 way control power supply to achieve the 2 way control power supply function, do not need to consider the logical relationship of power supply, reduce external power supply control circuit, improves the reliability of the product.
【技术实现步骤摘要】
一种射频同轴继电器的TTL控制电路
本技术涉及射频同轴继电器领域，具体是一种射频同轴继电器的TTL控制电路。
技术介绍
射频同轴继电器通常有单刀双掷，双刀双掷及单刀多掷等类型，单刀双掷应用最为广泛，单刀双掷的控制方式有：去激励复位、自保持自关断，直接加电控制、TTL控制等，而在TTL控制电路中，现有的产品均采用了2个TTL控制端子控制两路线圈，实现射频通道及辅助触点的切换，即需要2路控制电源，且要保证控制电源之间输入的逻辑关系，一路高电平输出，另一路必须是低电平，如果逻辑关系偏差，射频继电器会产生误动作，使产品功能失效。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种射频同轴继电器的TTL控制电路，只需要1路控制电源，既减少了控制电源数量，又不存在两路输入控制电源的逻辑关系要求，简化了外围电源控制电路，提高了产品的可靠性。本技术的技术方案为：一种射频同轴继电器的TTL控制电路，包括有线圈L1，线圈L2，辅助触点T1，辅助触点T2，射频触点S1，射频触点S2，线圈L1的TTL控制电路，线圈L2的TTL控制电路，以及非门电路；所述的线圈L1、辅助触点T1、射频触点S1顺次串联...
【技术保护点】
一种射频同轴继电器的TTL控制电路，其特征在于：包括有线圈L1，线圈L2，辅助触点T1，辅助触点T2，射频触点S1，射频触点S2，线圈L1的TTL控制电路，线圈L2的TTL控制电路，以及非门电路；所述的线圈L1、辅助触点T1、射频触点S1顺次串联连接，所述的线圈L2、辅助触点T2、射频触点S2顺次串联连接；所述的线圈L1的TTL控制电路包括有自关断电容C1、电阻R3、NPN三极管V1和NPN三极管V2，自关断电容C1的输出端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与NPN三极管V1的基极连接，NPN三极管V1的发射极与NPN三极管V2的基极连接，NPN三极管V2的发射极与电源...
【技术特征摘要】
1.一种射频同轴继电器的TTL控制电路，其特征在于：包括有线圈L1，线圈L2，辅助触点T1，辅助触点T2，射频触点S1，射频触点S2，线圈L1的TTL控制电路，线圈L2的TTL控制电路，以及非门电路；所述的线圈L1、辅助触点T1、射频触点S1顺次串联连接，所述的线圈L2、辅助触点T2、射频触点S2顺次串联连接；所述的线圈L1的TTL控制电路包括有自关断电容C1、电阻R3、NPN三极管V1和NPN三极管V2，自关断电容C1的输出端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与NPN三极管V1的基极连接，NPN三极管V1的发射极与NPN三极管V2的基极连接，NPN三极管V2的发射极与电源公共端连接，NPN三极管V1的集电极、NPN三极管V2的集电极均与线圈L1的一端连接，线圈L1的另一端连接电源输入端；所述的线圈L2的TTL控制电路自关断电容C2、电阻R6、NPN三极管V4和NPN三极管V5，自关断电容C2的输入端与TTL控制端连接，自关断电容C2的输出端与电阻R6的一端连接，电阻R6的另一端与NPN三极管V4的基极连接，NPN三极管V4的发射极与NPN三极管V5的基极连接，NPN三极管V5的发射极与电源公共端连接，NPN三极管V4的集电极、NPN三极管V5的集电极均与线圈L2的一端连接，线圈L2的另一端连接电源输入端；所述的非门电路包括有电阻R7、电阻R8和三极管V8，电阻R7的一端与TTL控制端连接，电阻R7的另一端与三极管V8的基极连接，电阻R8的一端、自关断电容C1的输入端均与三极管V8的集电极连接，电阻R8的另一端与电...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙绍强，周维禹，操基德，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十研究所，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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