碳化钛-二硼化钛双相增强铜基复合材料及其制备方法技术
Dual phase titanium carbide TiB2 reinforced copper matrix composite material and preparation method thereof
The invention discloses a copper based composite material enhanced dual phase titanium carbide titanium diboride, TiC and TiB2 exist in the matrix of Cu, TiC and TiB2 were granular. The invention also discloses a preparation method of the composite material, by mechanical milling of the original Cu, TiH2, B4C powder bonding, in the hot pressing process to reduce the diffusion distance, easy to produce TiC and TiB2 two kinds of particles, after sintering the TiC and TiB2 two kinds of granular also exist in the Cu matrix. Enhancement is realized between the complementary advantages, improve the performance of the material, the copper matrix composites in the electrical conductivity decreased proportion of cases, improve the hardness.
【技术实现步骤摘要】
碳化钛-二硼化钛双相增强铜基复合材料及其制备方法
本专利技术属于金属基复合材料
，具体涉及一种碳化钛-二硼化钛双相增强铜基复合材料，本专利技术还涉及上述复合材料的制备方法。
技术介绍
铜基复合材料由于兼备高强度、高导电率及良好的热特性等综合性能，广泛应用于电器、电子等工业部门。铜基复合材料按其制备技术一般分为非原位自生法和原位自生法；按其微观组织结构不同可分为颗粒增强、晶须增强和纤维增强三种类型。原位自生颗粒增强铜基复合材料因其具有制备工艺简单、成本低，增强相尺寸细小且分布均匀，与基体界面结合紧密无污染等优势，成为最有发展前途、最有可能实现产业化的方法之一。目前，铜基复合材料的研究大多集中于一种增强相，因此强度和导电性能的协同提高遇到瓶颈。TiC、TiB2两种颗粒的性能比较接近，都是具有高电导率、高硬度、高熔点和热稳定性好的陶瓷增强相；但是两者的晶体结构又有显著差异，因此两者对复合材料性能的贡献可以实现互补TiB2颗粒晶体结构为C32型六方结构，属于准金属化合物，其导电性优；而TiC为面心立方结构，易形成等轴晶粒，在受到载荷时，TiC断裂并不会向铜基体内延伸...
【技术保护点】
碳化钛‑二硼化钛双相增强铜基复合材料，其特征在于，TiC和TiB2同时存在于Cu基体中，TiC和TiB2均为颗粒状。
【技术特征摘要】
1.碳化钛-二硼化钛双相增强铜基复合材料，其特征在于，TiC和TiB2同时存在于Cu基体中，TiC和TiB2均为颗粒状。2.根据权利要求1所述的碳化钛-二硼化钛双相增强铜基复合材料，其特征在于，所述复合材料中Cu:TiB2:TiC的质量比为89.99～98.57：1～7：0.43～3.01。3.碳化钛-二硼化钛双相增强铜基复合材料的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，称取原料：按照材料中生成的TiB2和TiC的量称取分别纯Cu、TiH2和B4C粉末；步骤2，球磨、压坯：将步骤1称取的粉末和过程控制剂加入球磨机中，在Ar气氛保护下，球磨；然后将复合粉末晾干，并预压制成毛坯；步骤3，烧结：将步骤2压制的毛坯置于热压烧结炉中，并在N2气氛保护下，烧结、冷却至室温，即得TiC-TiB2双相增强Cu基复合材料。4.根据权利要求3所述的碳化钛-二硼化钛双相增强铜基复合材料的制备方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁淑华，张昕楠，姜伊辉，邹军涛，肖鹏，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61
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