阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:17045946 阅读:31 留言:0更新日期:2018-01-17 17:11
本发明专利技术公开了一种阵列基板制作方法,包括:在制作栅极层时,将所述栅极层中的栅极引线与参考信号线电性连接;在制作完成有源层后,断开所述栅极引线与所述参考信号线的电性连接。本发明专利技术还公开了一种阵列基板和显示装置。本发明专利技术提出的阵列基板及其制作方法、显示装置,能够防止有源层在制作时被静电击穿。

Array substrate and its making method and display device

The invention discloses a method for manufacturing an array substrate, which comprises the following steps: when making the grid layer, the grid lead wire in the grid layer is electrically connected with the reference signal line; after the active layer is completed, the electrical lead connection between the grid lead and the reference signal line is disconnected. The invention also discloses an array substrate and a display device. The array substrate and the making method and display device of the present invention can prevent the active layer from being statically penetrated when the active layer is made.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
目前随着液晶面板业竞争趋于激烈,降低面板成本且要提升性能成为面板厂商竞争点。其中,GOA(GatedriveronArray,阵列基板行驱动技术)的采用可以减少IC使用量,因此成为降低成本的一个直接的方法,该新结构的尝试与采用有效的提升了性能及功耗。并且,在阵列基板制造工艺中,静电击穿一直是阵列基板面临的重要难题,需要从产品设计、制作工艺上尽可能考虑减少静电击穿。但是,在实现本专利技术的过程中,专利技术人发现,现有技术中在制作阵列基板时至少存在以下问题:通常GOA产品外围走线设计中,参考信号线(VSS)放置在GOA和像素区之间。但在栅极层完成后制作有源层时,容易导致栅极引线与参考信号线之间产生同层静电击穿。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的目的在于提出一种阵列基板及其制作方法、显示装置,能够防止有源层在制作时被静电击穿。基于上述目的,本专利技术实施例的第一个方面,提供了一种阵列基板制作方法,包括:在制作栅极层时,将所述栅极层中的栅极引线与参考信号线电性连接;在制作完成有本文档来自技高网...
阵列基板及其制作方法、显示装置

【技术保护点】
一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括:在制作栅极层时,将所述栅极层中的栅极引线与参考信号线电性连接;在制作完成有源层后,断开所述栅极引线与所述参考信号线的电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括:在制作栅极层时,将所述栅极层中的栅极引线与参考信号线电性连接;在制作完成有源层后,断开所述栅极引线与所述参考信号线的电性连接。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将栅极引线与参考信号线电性连接,包括:在所述栅极引线与所述参考信号线之间形成连接引线,所述连接引线的两端分别连接所述栅极引线与所述参考信号线。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在制作栅极层时,同时制作所述栅极引线和连接引线。4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述断开所述栅极引线与所述参考信号线的电性连接,包括:去除所述连接引线。5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,还包括:在所述栅极层上制作栅极绝缘层时,去除所述连接引线对应部位的栅极绝缘材料并暴露所述连接引线;在形成所述栅极绝缘层之后制作源漏极层时,去除所述连接引线。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在制作栅极绝缘层时,去除所述连接引线对应部位的栅极绝缘材料并暴露所述连接引线,...

【专利技术属性】
技术研发人员:张心杰刘成伟
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司合肥鑫晟光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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