具有光束形状修改的激光器制造技术

本申请涉及具有光束形状修改的激光器。提供一种用于半导体激光器的光束控制结构，其允许光束形状修改，从而允许例如更高的耦合到光纤中。所述结构可以包含倾斜天井、阶梯、反射顶板和反射侧壁中的一个或多个。

【技术实现步骤摘要】
具有光束形状修改的激光器本申请是申请日为2013年5月7日、申请号为201380024259.3、专利技术名称为“具有光束形状修改的激光器”的中国专利申请的分案申请。相关申请案本专利申请要求2012年5月8日提交的美国临时专利申请号61/644,270的优先权，所述申请以引用的方式整体并入本文。
本公开一般涉及光子器件，更具体来说涉及改进的光子器件和其制造方法。
技术介绍
通常通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)在衬底上生长适当的层状半导体材料以形成具有平行于衬底表面的有源层的外延结构而在晶片上制造半导体激光器。然后利用多种半导体处理工具处理晶片以制造包括有源层并且包括附着到半导体材料的金属触点的激光器光腔。通常通过沿半导体材料的晶体结构解理半导体材料以限定激光器光腔的边缘或末端而在激光器腔的末端形成激光器腔面，使得当在触点上施加偏压时，所产生的流过有源层的电流使光子在垂直于电流的方向上从有源层的腔面边缘出射。由于解理半导体材料以形成激光器腔面，故腔面的位置和定向是有限的；此外，一旦晶片被解理，晶片通常就成为小块，以致不容易用常规的光刻技术来进一步处理激光器。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成半导体芯片的方法，包括：提供具有表面的衬底；在所述衬底的所述表面上形成外延激光器；以及蚀刻所述外延激光器以在所述外延激光器上形成蚀刻腔面；其中所述衬底从所述蚀刻腔面向外延伸以形成天井，所述天井包含形成在其中的复数个台阶和暴露的反射表面。

【技术特征摘要】
2012.05.08 US 61/644,2701.一种用于形成半导体芯片的方法，包括：提供具有表面的衬底；在所述衬底的所述表面上形成外延激光器；以及蚀刻所述外延激光器以在所述外延激光器上形成蚀刻腔面；其中所述衬底从所述蚀刻腔面向外延伸以形成天井，所述天井包含形成在其中的复数个台阶和暴露的反射表面。2.如权利要求1所述的方法，还包括形成至少一个从所述蚀刻腔面向外延伸的反射侧壁。3.如权利要求1所述的方法，还包括形成顶板，所述顶板设置为与从所述蚀刻腔面向外延伸的所述天井相对。4.如权利要求1所述的方法，还包括形成沉积在所述天井上的反射涂层。5.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底选自包含InP、GaAs和GaN的组。6.一种用于形成半导体芯片的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成外延激光器；蚀刻所述外延激光器以在所述外延激光器上形成蚀刻腔面；以及在所述衬底中形成从所述蚀刻腔面向外延伸的天井，所述天井包含形成在其中的复数个台阶和暴露的反射表面。7.如权利要求6所述的方法，还包括形成至少一个从所述蚀刻腔面向外延伸的反射侧壁。8.如权利要求6所述的方法，其中所述衬底选自包含InP、GaAs和GaN的组。9.一种用于形成半导体芯片的方法，包括：提供衬底；在所述衬底的表面上形成外延激光器；蚀刻所述外延激光器以在所述外延激光器上形成蚀刻腔面，所述蚀刻腔面具有与所述衬底的所述表面成非90°的角度；以及形成邻近...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯蒂安·斯塔加雷斯库，亚历克斯·A·贝法尔，诺曼·塞强·广，
申请(专利权)人：镁可微波技术有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US