挠性显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种挠性显示装置，包含挠性基板、无机阻障层、金属层、有机缓冲层与绝缘层。无机阻障层位于挠性基板上。金属层位于无机阻障层上，且金属层接触无机阻障层。有机缓冲层覆盖无机阻障层与金属层。有机缓冲层具有至少一个导电通道。导电通道连接金属层。绝缘层位于有机缓冲层上。由于金属层非有机材料，因此能让金属层与无机阻障层之间具有优良的附着力。当挠性显示装置因受力而弯折时，金属层不易因挠曲而断裂。

【技术实现步骤摘要】
挠性显示装置
本专利技术是有关于一种挠性显示装置。
技术介绍
在制作具有有机薄膜晶体管(OrganicThinFilmTransistor；OTFT)的挠性显示装置时，可在挠性基板上依序形成阻障层、缓冲层与线路层。由于缓冲层一般为有机材质，而线路层一般为金属材料，当线路层形成在缓冲层上方时，会造成线路层与缓冲层之间存在附着力不佳的问题。当挠性显示装置因受力而弯折时，由于位于缓冲层上方的线路层因为附着力不佳，而造成线路层位移。如此一来，缓冲层上的线路层易因挠曲而断裂。此外，在湿蚀刻工艺中，非显示区的缓冲层上的线路层，也易产生临界尺寸变化(CDloss)过大的问题。因此，非显示区的线宽与线距难以减少，使得非显示区的宽度难以缩减。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种挠性显示装置，其能让金属层与无机阻障层之间具有优良的附着力。当挠性显示装置因受力而弯折时，金属层不易因挠曲而断裂。根据本专利技术一实施方式，一种挠性显示装置包含挠性基板、无机阻障层、金属层、有机缓冲层与绝缘层。无机阻障层位于挠性基板上。金属层位于无机阻障层上，且金属层接触无机阻障层。有机缓冲层覆盖无机阻障层与金属层。有机缓本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种挠性显示装置，其特征在于，包含：挠性基板；无机阻障层，位于所述挠性基板上；金属层，位于所述无机阻障层上，且所述金属层接触所述无机阻障层；有机缓冲层，覆盖所述无机阻障层与所述金属层，所述有机缓冲层具有至少一个导电通道，且所述导电通道连接所述金属层；以及绝缘层，位于所述有机缓冲层上。

【技术特征摘要】
2016.07.05 TW 1051212561.一种挠性显示装置，其特征在于，包含：挠性基板；无机阻障层，位于所述挠性基板上；金属层，位于所述无机阻障层上，且所述金属层接触所述无机阻障层；有机缓冲层，覆盖所述无机阻障层与所述金属层，所述有机缓冲层具有至少一个导电通道，且所述导电通道连接所述金属层；以及绝缘层，位于所述有机缓冲层上。2.如权利要求1所述的挠性显示装置，其特征在于，具有显示区与围绕所述显示区的周围区，所述挠性显示装置还包含：源极/漏极层，位于所述显示区且位于所述有机缓冲层上，所述源极/漏极层具有分开的源极区与漏极区；以及半导体层，位于所述源极区与所述漏极区之间的所述有机缓冲层上，且所述半导体层延伸至所述源极区与所述漏极区背对所述有机缓冲层的表面上。3.如权利要求2所述的挠性显示装置，其特征在于，还包含：半导体保护层，位于所述半导体层上，且位于所述绝缘层与所述半导体层之间。4.如权利要求3所述的挠性显示装置，其特征在于，还包含：光阻层，位于所述半导体保护层上，且位于所述绝缘层与所述半导体保护层之间。5.如权利要求2所述的挠性显示装置，其特征在于，所述导电通道连接所述源极区或所述漏极区。6.如权利要求1所述的挠性显示装置，其特征在于，具有显示区与围绕所述显示区的周围区，所述挠性显示装置还包含：至少一个导电接点，位于所述周围区中，且位于所述绝缘层上。7.如权利要求6所述的挠性显示装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：林冠峄，陈昱文，洪裕杰，卢俊宇，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71