兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法技术

本发明专利技术提供一种兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，包括如下步骤：获取晶圆以及晶圆上Die的属性信息；根据晶圆以及晶圆上Die的属性信息，绘制原始状态的晶圆图，原始状态的晶圆图包括晶圆外形轮廓和多个Die；获取子Die属性信息，根据子Die属性信息和晶圆图上多个Die图形化子Die。本发明专利技术通过对半导体晶圆图增加Die以及子Die(SubDie)的类型维度，解决了单次测量无法完成整片多目标晶圆(Multi‑Project Wafer)测试的问题，使得外部程序通过检索Die、SubDie的类型信息，可以一次扫描完成整片多目标晶圆(Multi‑Project Wafer)的测试，无需分为多个阶段，通过在Die内SubDie集合布局描绘方法，使得SubDie的展现更加直观，其构造方法更容易使用。

【技术实现步骤摘要】
兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法
本专利技术涉及晶圆图构造方法的
，尤其涉及一种兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法。
技术介绍
在半导体晶圆测试测量过程中，为了达到自动化测试测量，人们往往借助于计算机晶圆(Wafer)图程序来记录和展现实际的半导体晶圆实体属性、测量过程和测量结果。一般半导体上按照一定的布局方式排布上器件(Die)，每个器件的位置，大小尺寸，Die直接的间距都是确定的。具体说来，晶圆图在半导体晶圆测试过程中主要起到如下作用：描绘半导体晶圆(Wafer)图外形及物理尺寸(直径，豁口或切边大小，朝向方位等)；设定半导体晶圆(Wafer)上器件(Die)的物理尺寸(长，宽等)；设定在半导体晶圆(Wafer)上的探测路径；展现半导体晶圆(Wafer)上每个器件(Die)的必要信息，如坐标，编号，测量结果与状态等。在实际的半导体晶圆(Wafer)自动化测量过程中，通过晶圆图上记录的器件(Die)位置与尺寸信息及探测路径，驱动硬件设备进行位移到探测位置进行测量。早期的计算机晶圆图程序一般只有单目标晶圆(Single-ProjectWafer，简称SPW)图形结构，即单一的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，其特征在于，包括如下步骤：获取晶圆以及晶圆上Die的属性信息；根据所述晶圆以及晶圆上Die的属性信息，绘制原始状态的晶圆图，所述原始状态的晶圆图包括晶圆外形轮廓和多个Die；获取子Die属性信息，根据所述子Die属性信息和晶圆图上多个Die图形化子Die。

【技术特征摘要】
1.一种兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，其特征在于，包括如下步骤：获取晶圆以及晶圆上Die的属性信息；根据所述晶圆以及晶圆上Die的属性信息，绘制原始状态的晶圆图，所述原始状态的晶圆图包括晶圆外形轮廓和多个Die；获取子Die属性信息，根据所述子Die属性信息和晶圆图上多个Die图形化子Die。2.根据权利要求1所述的兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，其特征在于，所述晶圆属性信息包括晶圆直径、晶圆上Die的高度和宽度、晶圆上Die的高度偏移量和宽度偏移量、晶圆探测的路由、晶圆的批次编号以及晶圆编号。3.根据权利要求1所述的兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，其特征在于，所述晶圆上Die的属性信息包括Die的类型、Die的编号、Die在晶圆上的相对坐标位置、Die的状态信息以及子Die的集合。4.根据权利要求1所述的兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，其特征在于，所述子Die属性信息包括子Die的类型、子Die的高度和宽度、子Die的状态以及子Die相对于父Die的左上角坐标位置。5.根据权利要求1～3任一项所述的兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，其特征在于，所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈景山，张海洋，吕文波，
申请(专利权)人：苏州伊欧陆系统集成有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32