兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法技术

本发明专利技术提供一种兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，包括如下步骤：获取晶圆以及晶圆上Die的属性信息；根据晶圆以及晶圆上Die的属性信息，绘制原始状态的晶圆图，原始状态的晶圆图包括晶圆外形轮廓和多个Die；获取子Die属性信息，根据子Die属性信息和晶圆图上多个Die图形化子Die。本发明专利技术通过对半导体晶圆图增加Die以及子Die(SubDie)的类型维度，解决了单次测量无法完成整片多目标晶圆(Multi‑Project Wafer)测试的问题，使得外部程序通过检索Die、SubDie的类型信息，可以一次扫描完成整片多目标晶圆(Multi‑Project Wafer)的测试，无需分为多个阶段，通过在Die内SubDie集合布局描绘方法，使得SubDie的展现更加直观，其构造方法更容易使用。

【技术实现步骤摘要】
兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法
本专利技术涉及晶圆图构造方法的
，尤其涉及一种兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法。
技术介绍
在半导体晶圆测试测量过程中，为了达到自动化测试测量，人们往往借助于计算机晶圆(Wafer)图程序来记录和展现实际的半导体晶圆实体属性、测量过程和测量结果。一般半导体上按照一定的布局方式排布上器件(Die)，每个器件的位置，大小尺寸，Die直接的间距都是确定的。具体说来，晶圆图在半导体晶圆测试过程中主要起到如下作用：描绘半导体晶圆(Wafer)图外形及物理尺寸(直径，豁口或切边大小，朝向方位等)；设定半导体晶圆(Wafer)上器件(Die)的物理尺寸(长，宽等)；设定在半导体晶圆(Wafer)上的探测路径；展现半导体晶圆(Wafer)上每个器件(Die)的必要信息，如坐标，编号，测量结果与状态等。在实际的半导体晶圆(Wafer)自动化测量过程中，通过晶圆图上记录的器件(Die)位置与尺寸信息及探测路径，驱动硬件设备进行位移到探测位置进行测量。早期的计算机晶圆图程序一般只有单目标晶圆(Single-ProjectWafer，简称SPW)图形结构，即单一的Die尺寸与Die之间的间距，且每个Die的物理特性均相同。这样的晶圆图比较容易构造，设定一个Die构型，然后均匀分布到整个晶圆上，再减除边缘越界的Die即可。随着半导体制程的发展以及研发能力的增强，同时也出于节约成本考虑，国内外越来越多的研发机构不断涌现出多目标晶圆(Multi-ProjectWafer，简称MPW)构型(即SubDie，在Multi-ProjectWafer情况下，逻辑上把Wafer上最小不可分的裸片，芯片，器件叫做一个子Die(SubDie)，几个SubDie组成一个逻辑的Die，此时Die不是真实存在的，而SubDie是真实存在的)，即在单个晶圆上制作出多种图形结构的Die结构，这些结构可能在外形尺寸、器件类别、物理结构、信号、测量的输入输出量等上存在差异，因此一些晶圆测试厂商逐渐开始提供满足多目标晶圆的半导体晶圆图计算机程序。如日本的一家半导体设备制造研发公司，全球第二大半导体设备供应商(TokyoElectronLtd，简称TEL)、东京精密株式会社,一个著名的日本探针台厂商(TokoSeiki,Ltd，简称TSK)、一个著名的美国探针台厂商(CascadeMicrotech，简称Cascade)等探针台厂商。但是，从市场上来看，这些厂商提供的晶圆图程序都存在以下几个缺点：(1)SubDie创建的方法复杂，不容易掌握，由于目前一般采用列表形式创建，输入位置参数后，还需要用户自行计算Subdie与Die的相对位置及Subdie之间的相对位置；(2)不直观，无法从图上看出当前SubDie的相对和绝对位置；(3)可操控性差，不能单独设定某个SubDie的一些属性；(4)与外部程序交互能力差，由于缺少SubDie类型和绝对，相对位置等维度，外部程序无法直接对SubDie进行操控(如直接从图上定位到指定的SubDie处)和属性检索(如位置，尺寸，类型等)；(5)对于同一个半导体晶圆上存在不同的物理属性(如信号与输入输出量)无法单次扫描完成测量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，用以解决现有技术中晶圆图构造方法单一以及多目标晶圆图构造方法复杂的问题。本专利技术提供了一种兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，包括如下步骤：获取晶圆以及晶圆上Die的属性信息；根据晶圆以及晶圆上Die的属性信息，绘制原始状态的晶圆图，原始状态的晶圆图包括晶圆外形轮廓和多个Die；获取子Die属性信息，根据子Die属性信息和晶圆图上多个Die图形化子Die。进一步的，晶圆属性信息包括晶圆直径、晶圆上Die的高度和宽度、晶圆上Die的高度偏移量和宽度偏移量、晶圆探测的路由、晶圆的批次编号以及晶圆编号。进一步的，晶圆上Die的属性信息包括Die的类型、Die的编号、Die在晶圆上的相对坐标位置、Die的状态信息以及子Die的集合。进一步的，子Die属性信息包括子Die的类型、子Die的高度和宽度、子Die的状态以及子Die相对于父Die的左上角坐标位置。进一步的，多个Die中的每一个Die分别为一个矩形框，每一个Die的位置通过探测路由根据晶圆属性信息自动排布生成。进一步的，晶圆以及晶圆上Die的属性信息、子Die属性信息通过专用配置文件夹存储。进一步的，根据晶圆以及晶圆上Die的属性信息，绘制原始状态的晶圆图的操作具体包括：利用GDI、GDI+或OpenGL绘制晶圆外形轮廓；在晶圆外形轮廓内生成最大Die矩阵；根据晶圆以及晶圆上Die的属性信息确定Die相对于晶圆的坐标以及Die的顶点坐标；根据Die相对于晶圆的坐标以及Die的顶点坐标绘制Die的矩形轮廓。进一步的，获取子Die属性信息，根据子Die属性信息和晶圆图上多个Die图形化子Die的操作具体包括：获取子Die属性信息，根据子Die属性信息和父Die的矩形轮廓确定子Die相对于父Die的坐标；根据子Die相对于父Die的坐标绘制子Die的矩形轮廓。采用上述本专利技术技术方案的有益效果是：通过对半导体晶圆图增加Die以及子Die(SubDie)的类型维度，解决了单次测量无法完成整片多目标晶圆(Multi-ProjectWafer)测试的问题，使得外部程序通过检索Die、SubDie的类型信息，可以一次扫描完成整片多目标晶圆(Multi-ProjectWafer)的测试，无需分为多个阶段，通过在Die内SubDie集合布局描绘方法，使得SubDie的展现更加直观，其构造方法更容易使用。附图说明图1为本专利技术兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法的流程示意图；图2为图1中步骤S102的实现流程示意图；图3为晶圆Die的结构示意图；图4为图1中步骤S103的实现流程示意图；图5为晶圆子Die的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。本专利技术实施例公开了一种兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，如图1所示，包括如下步骤：步骤S101，获取晶圆以及晶圆上Die的属性信息；在本专利技术实施例中，具体的，晶圆属性信息包括晶圆直径(Diameter，mm)、晶圆上Die的高度(Y，um)和宽度(X，um)、晶圆上Die的高度偏移量(OffsetY，％)和宽度偏移量(OffsetX，％)、晶圆探测的路由(探测扫描的路径，方向及顺序)、晶圆的批次编号(LotID)以及晶圆编号(WaferID)。晶圆上Die的属性信息包括Die的类型、Die的编号、Die在晶圆上的相对坐标位置(X：um，Y：um)、Die的状态信息(包括可探测、不可探测或不存在)以及子Die(SubDie)的集合。其中，Die是指晶圆上的器件、单元、芯片裸片、芯片，在封装前的单个单元的裸片叫做die；在单目标晶圆(Single-ProjectWafer)情况下，Die指的是Wafer上最小不可分的裸片、芯片、器件；在多目标晶圆(Mul本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，其特征在于，包括如下步骤：获取晶圆以及晶圆上Die的属性信息；根据所述晶圆以及晶圆上Die的属性信息，绘制原始状态的晶圆图，所述原始状态的晶圆图包括晶圆外形轮廓和多个Die；获取子Die属性信息，根据所述子Die属性信息和晶圆图上多个Die图形化子Die。

【技术特征摘要】
1.一种兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，其特征在于，包括如下步骤：获取晶圆以及晶圆上Die的属性信息；根据所述晶圆以及晶圆上Die的属性信息，绘制原始状态的晶圆图，所述原始状态的晶圆图包括晶圆外形轮廓和多个Die；获取子Die属性信息，根据所述子Die属性信息和晶圆图上多个Die图形化子Die。2.根据权利要求1所述的兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，其特征在于，所述晶圆属性信息包括晶圆直径、晶圆上Die的高度和宽度、晶圆上Die的高度偏移量和宽度偏移量、晶圆探测的路由、晶圆的批次编号以及晶圆编号。3.根据权利要求1所述的兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，其特征在于，所述晶圆上Die的属性信息包括Die的类型、Die的编号、Die在晶圆上的相对坐标位置、Die的状态信息以及子Die的集合。4.根据权利要求1所述的兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，其特征在于，所述子Die属性信息包括子Die的类型、子Die的高度和宽度、子Die的状态以及子Die相对于父Die的左上角坐标位置。5.根据权利要求1～3任一项所述的兼具单目标、多目标晶圆图的构造方法，其特征在于，所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈景山，张海洋，吕文波，
申请(专利权)人：苏州伊欧陆系统集成有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32