一种特快瞬态过电压测量系统技术方案

技术编号:17031112 阅读:50 留言:0更新日期:2018-01-13 18:22
本申请提供了一种特快瞬态过电压测量系统,包括:锥体电容传感器、积分器、采集装置和工控机;其中,锥体电容传感器设置有第一锥体和第二锥体;第一锥体同轴设置在第二锥体内部,第一锥体与第二锥体之间填充有电介质膜;第二锥体设置有锥体底面。使用时,第二锥体的锥体底面与GIS管道内的导体,以及锥体底面与导体之间的填充气体构成高压臂电容;第一锥体与第二锥体以及电介质膜构成低压电容臂电容,锥体结构的低压臂电容在相同的感应面积下大于平板电容传感器的低压臂电容,使锥体电容传感器具有更大的分压比和更宽的频带;低压臂电容呈锥体结构,避免了电压波在锥体电容传感器内产生折反射而引起波形振荡和畸变,从而实现对VFTO的准确测量。

【技术实现步骤摘要】
一种特快瞬态过电压测量系统
本申请涉及电力电子
,尤其涉及一种特快瞬态过电压测量系统。
技术介绍
气体绝缘开关设备(GasInsulatedSwitchgear,简称GIS),由于设备封闭而且充入绝缘气体,灭弧能力强,占地面积小,被广泛应用于超高压和特高压开关和母线设备上。GIS设备中的隔离开关,接地开关和断路器在执行操作时,会产生特快速瞬态过电压(VeryFastTransientOvervoltage,简称VFTO),由于VFTO的幅值很高,频率很高,陡度很大,会对设备安全运行构成严重威胁,因此,实现对VFTO的准确测量,能够为GIS设备实现安全运行提供参考依据。但是,VFTO上升时间极短,通常仅有几纳秒,并且,VFTO是叠加于工频电压上,并受到等效频率接近直流电的残余电荷电压的影响,此外,GIS设备在产生VFTO时,还会伴随产生很高的暂态对地电压(TransientEarthVoltage,简称TEV),并伴有很强的空间电磁干扰,因此,为了实现VFTO测量设备对VFTO进行准确测量,要求VFTO测量设备响应时间很短,频带很宽,并且具有抗干扰空间电磁干扰的能力。现有技术中,本文档来自技高网...
一种特快瞬态过电压测量系统

【技术保护点】
一种特快瞬态过电压测量系统,其特征在于,包括:锥体电容传感器(1)、积分器(2)、采集装置(3)和工控机(4);所述锥体电容传感器(1)设置有第一锥体(11)和第二锥体(12);所述第一锥体(11)同轴设置在所述第二锥体(12)内部,所述第一锥体(11)与所述第二锥体(12)之间填充有电介质膜(13);所述第二锥体(12)底部设置有锥体底面(121);所述积分器(2)包括壳体(21)和设置于所述壳体(21)内的阻容积分电路(22),所述壳体(21)上设置有输入端(211)和输出端(212);所述第二锥体(12)的顶部设置有电缆接头(122),所述第二锥体(12)通过所述电缆接头(122)与所述...

【技术特征摘要】
1.一种特快瞬态过电压测量系统,其特征在于,包括:锥体电容传感器(1)、积分器(2)、采集装置(3)和工控机(4);所述锥体电容传感器(1)设置有第一锥体(11)和第二锥体(12);所述第一锥体(11)同轴设置在所述第二锥体(12)内部,所述第一锥体(11)与所述第二锥体(12)之间填充有电介质膜(13);所述第二锥体(12)底部设置有锥体底面(121);所述积分器(2)包括壳体(21)和设置于所述壳体(21)内的阻容积分电路(22),所述壳体(21)上设置有输入端(211)和输出端(212);所述第二锥体(12)的顶部设置有电缆接头(122),所述第二锥体(12)通过所述电缆接头(122)与所述积分器(2)的所述输入端(211)同轴连接;所述积分器(2)的所述输出端(212)与所述采集装置(3)的一端连接;所述采集装置(3)的另一端与所述工控机(4)连接。2.根据权利要求1所述的特快瞬态过电压测量系统,其特征在于,所述采集装置(3)和所述工控机(4)之间还设置有电光转换装置(5)和光电转换装置(6),所述采集装置(3)与所述电光转换装置(5)电连接,所述工控机(4)与所述光电转换装置(6)电连接,...

【专利技术属性】
技术研发人员:谭向宇王科马仪钱国超彭晶刘红文何顺丁薇
申请(专利权)人:云南电网有限责任公司电力科学研究院
类型:发明
国别省市:云南,53

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