硅棒直径检测装置及48对棒还原炉制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及多晶硅生产技术领域，解决现有技术中的炉内硅棒直径增长采用人工估计存在偏差，对沉积效率的优化带来困难的问题，提供一种硅棒直径检测装置及48对棒还原炉。本实用新型专利技术提供的硅棒直径检测结构，距离传感器用于检测距离传感器与多晶硅棒外周面的距离，控制装置根据距离传感器获取的距离多晶硅外周面的多次距离，计算出多晶硅的直径，并将该数据传递给显示装置，显示装置实时显示还原炉内硅棒直径的变化情况，便于用户准确控制原料气以及电流加入量，优化沉积效率。由于48对棒还原炉包括上述的硅棒直径检测结构，因此也具有准确控制原料气以及电流加入量，进而使物料、电流匹配达到最佳效果，优化沉积效率的有益效果。

【技术实现步骤摘要】
硅棒直径检测装置及48对棒还原炉
本技术涉及多晶硅生产
，具体而言，涉及一种硅棒直径检测装置及48对棒还原炉。
技术介绍
目前，多晶硅的主要生产方式为改良西门子法，该法通过高温条件下三氯氢硅和氢气在还原炉内通电的高温硅芯(硅棒)表面发生化学气相沉积反应得到高纯多晶硅，炉内硅棒直径逐渐增长直至规定的直径。在多晶硅棒生长过程中，硅棒直径是工艺控制中给定物料流量及加热电流的重要依据。长期以来还原炉的控制多采用人工经验估计棒径的方法摸索物料流量和加热电流，由于人工估计存在偏差，所以物料、电流匹配无法达到最佳效果，对沉积效率的优化带来困难。具体表现在：原料气加入量很难控制准确，加入量偏小，则硅芯生长缓慢，生长效率低，且浪费能源；加入量偏大，则新生晶体结构疏松，产品质量无保证，且反应不充分；加热电压(电流)很难控制准确，硅芯温度偏离最佳反应温度，对硅芯生长带来负面影响。
技术实现思路
本技术旨在提供一种硅棒直径检测装置，以解决现有技术中的炉内硅棒直径增长采用人工估计存在偏差，使得物料、电流匹配无法达到预期效果，对沉积效率的优化带来困难的问题。本技术的另一目的在于提供一种具有上述硅棒直径检测结构的48对棒还原炉。本技术的实施例是这样实现的：一种硅棒直径检测结构，包括多晶硅棒、距离传感器、控制装置以及显示装置；正对多晶硅棒外周面的距离传感器，用于检测距离传感器与多晶硅棒外周面之间的距离；与距离传感器电连接的控制装置；与控制装置电连接的显示装置。本技术的实施例中提供的硅棒直径检测结构，包括多晶硅棒、距离传感器、控制装置以及显示装置，距离传感器正对多晶硅棒外周面设置，用于检测距离传感器与多晶硅棒外周面的距离，控制装置根据距离传感器获取的多晶硅外周面与距离传感器的多次距离，对比计算出多晶硅的直径，并将该数据传递给显示装置，显示装置实时显示还原炉内硅棒直径的变化情况，便于用户准确控制原料气以及电流加入量，进而使物料、电流匹配达到最佳效果，优化沉积效率。在本技术的一个实施例中：上述硅棒直径检测结构包括至少三个距离传感器，至少三个距离传感器与多晶硅棒轴线的距离相等。在本技术的一个实施例中：至少三个上述距离传感器位于同一圆形轨迹上，圆形轨迹与多晶硅棒同心。在本技术的一个实施例中：上述显示装置为触摸式显示屏。一种48对棒还原炉，包括上述任意一种硅棒直径检测结构，该48对棒还原炉还包括炉本体，炉本体具备有容纳腔；贯穿炉本体的侧壁设置有视镜；多晶硅棒设置在容纳腔内；距离传感器设置在视镜靠近容纳腔的一端。在本技术的一个实施例中：上述容纳腔内设置有多个多晶硅棒；距离传感器正对与其距离最短的多晶硅棒的外周面。在本技术的一个实施例中：上述视镜靠近容纳腔一侧采用耐高温玻璃制成。在本技术的一个实施例中：上述视镜包括与炉本体连接的镜筒，以及设置在镜筒内的透光部。在本技术的一个实施例中：上述容纳腔的内侧壁靠近视镜处可滑动地设置有擦拭装置。在本技术的一个实施例中：上述擦拭装置包括擦拭部以及与擦拭部连接的滑动轴；擦拭部设置在炉本体内侧且与视镜可滑动地连接，使擦拭部擦拭视镜内表面；滑动轴贯穿炉本体的侧壁并伸出至容纳腔外。本技术实施例的有益效果是：本技术的实施例中提供的硅棒直径检测结构，包括多晶硅棒、距离传感器、控制装置以及显示装置，距离传感器正对多晶硅棒外周面设置，用于检测距离传感器与多晶硅棒外周面的距离，控制装置根据距离传感器获取的多晶硅外周面与距离传感器的多次距离，对比计算出多晶硅的直径，并将该数据传递给显示装置，显示装置实时显示还原炉内硅棒直径的变化情况，便于用户准确控制原料气以及电流加入量，进而使物料、电流匹配达到最佳效果，优化沉积效率。本技术提供的48对棒还原炉，包括上述的硅棒直径检测结构，因此也具有便于用户准确控制原料气以及电流加入量，进而使物料、电流匹配达到最佳效果，优化沉积效率的有益效果。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本技术实施例中提供的硅棒直径检测结构在第一视角下的整体结构示意图；图2为本技术实施例中提供的硅棒直径检测结构在第二视角下的整体结构示意图；图3为本技术实施例中提供的48对棒还原炉在第一视角下的整体结构示意图；图4为本技术实施例中提供的48对棒还原炉在第二视角下的整体结构示意图。图标：10-硅棒直径检测结构；100-多晶硅棒；200-距离传感器；300-控制装置；400-显示装置；20-48对棒还原炉；500-炉本体；510-容纳腔；520-视镜；522-镜筒；524-透光部；530-擦拭装置；532-擦拭部；534-滑动轴。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本技术实施例的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，本技术的描述中若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术实施例的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。实施例1图1为本技术实施例中提供的硅棒直径检测结构10在第一视角下的整体结构示意图。请参照图1，本实施例提供一种硅棒直径检测结构10，其包括多晶硅棒100、距离传感器200、控制装置300以及显示装置400；正对多晶硅棒100外周面的距离传感器200，用于检测距离传感器200与多晶硅棒100外周面之间的距离；与距离传感器200电连接的控制装置300；与控制装置300电连接的显示装置400。在本实施例中，硅棒直径检测结构10包括至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅棒直径检测结构，其特征在于，包括：多晶硅棒；正对所述多晶硅棒外周面的距离传感器，用于检测所述距离传感器与多晶硅棒外周面之间的距离；与所述距离传感器电连接的控制装置；与所述控制装置电连接的显示装置。

【技术特征摘要】
1.一种硅棒直径检测结构，其特征在于，包括：多晶硅棒；正对所述多晶硅棒外周面的距离传感器，用于检测所述距离传感器与多晶硅棒外周面之间的距离；与所述距离传感器电连接的控制装置；与所述控制装置电连接的显示装置。2.根据权利要求1所述的硅棒直径检测结构，其特征在于：所述硅棒直径检测结构包括至少三个距离传感器，至少三个所述距离传感器与所述多晶硅棒轴线的距离相等。3.根据权利要求2所述的硅棒直径检测结构，其特征在于：至少三个所述距离传感器位于同一圆形轨迹上，所述圆形轨迹与所述多晶硅棒同心。4.根据权利要求1所述的硅棒直径检测结构，其特征在于：所述显示装置为触摸式显示屏。5.一种48对棒还原炉，其特征在于：所述48对棒还原炉包括炉本体以及权利要求1至4任意一项所述的硅棒直径检测结构；所述炉本体具备有容纳腔；贯穿所述炉本体的侧壁设置有视镜；所述多晶硅棒设置在所述容...

【专利技术属性】
技术研发人员：王生红，唐国强，屈武，李超军，邓华，蔡延国，宗冰，
申请(专利权)人：亚洲硅业青海有限公司，
类型：新型
国别省市：青海,63