一种硒化锌薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硒化锌薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将阴极片的表面清洗干净，并烘干；S2、配置含硒和锌的溶液，并对所得含硒和锌的溶液进行除氧；S3、以步骤S2所得含硒和锌的溶液作为电化学沉积液，以步骤S1所得阴极片作为对电极，以饱和甘汞电极为参比电极，以铂片作为工作电极，进行电化学沉积，在阴极片上沉积形成硒化锌薄膜，其中沉积电压为0.2V～‑0.4V，沉积温度为25℃～80℃，沉积时间为1min～20min；S4、电化学沉积结束后，取出硒化锌薄膜，并进行清洗和烘干，即得。该方法反应速度快、易于工业化放大生产、生产成本低，通过该方法所得的产品均一性好。

【技术实现步骤摘要】
一种硒化锌薄膜的制备方法
本专利技术涉及硒化锌薄膜制备
，具体涉及一种硒化锌薄膜的制备方法。
技术介绍
硒化锌是一种典型的化合物半导体，是一种重要的II-VI族半导体材料，是一种宽禁带(2.67eV)直接跃迁半导体，具有良好的透射性能与足够的透光口径。主要透射波长范围为0.5μm～22μm，对于红外波段有良好的透过性，是一种优良的红外光学材料，同时它具有较高的化学稳定性，较强的抗潮解能力。目前已经广泛实际应用于红外热成像、激光透射窗口、蓝色发光器件等先进的光电领域，在航空航天、军事、信息领域有着不可替代的作用。目前，硒化锌的材料制备技术主要有：固相合成法、分子束外延法、化学气相沉积法、共沉淀法、水热法等。这些方法存在产品均匀性难控制，产量小，生产成本高，难以放大等缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服以上
技术介绍
中提到的不足和缺陷，提供一种反应速度快、产品均匀性好、生产成本低的硒化锌薄膜的制备方法。为解决上述技术问题，本专利技术提出的技术方案为：一种硒化锌薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将阴极片的表面清洗干净，并烘干；S2、配置含硒和锌的溶液，并对所得含硒和锌的溶液进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硒化锌薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将阴极片的表面清洗干净，并烘干；S2、配置含硒和锌的溶液，并对所得含硒和锌的溶液进行除氧，所述含硒和锌的溶液为含1.9mol/L～2.1mol/L氢氧化钠、9mmol/L～11mmol/L乙酸锌、9mmol/L～11mmol/L亚硒酸和0.4mol/L～0.6mol/L乙二胺四乙酸二钠的混合溶液；S3、以步骤S2所得含硒和锌的溶液作为电化学沉积液，以步骤S1所得阴极片作为对电极，以饱和甘汞电极为参比电极，以铂片作为工作电极，进行电化学沉积，在阴极片上沉积形成硒化锌薄膜，其中沉积电压为0.2V～‑0.4V，沉积温度为25℃～80℃，沉积时间为1min...

【技术特征摘要】
1.一种硒化锌薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将阴极片的表面清洗干净，并烘干；S2、配置含硒和锌的溶液，并对所得含硒和锌的溶液进行除氧，所述含硒和锌的溶液为含1.9mol/L～2.1mol/L氢氧化钠、9mmol/L～11mmol/L乙酸锌、9mmol/L～11mmol/L亚硒酸和0.4mol/L～0.6mol/L乙二胺四乙酸二钠的混合溶液；S3、以步骤S2所得含硒和锌的溶液作为电化学沉积液，以步骤S1所得阴极片作为对电极，以饱和甘汞电极为参比电极，以铂片作为工作电极，进行电化学沉积，在阴极片上沉积形成硒化锌薄膜，其中沉积电压为0.2V～-0.4V，沉积温度为25℃～80℃，沉积时间为1min～20min；S4、电化学沉积结束后，取出硒化锌薄膜，并进行清洗和烘干，即得。2.根据权利要求1所述的硒化锌薄膜的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭学益，徐润泽，李栋，田庆华，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43