基于亚波长光栅的定向耦合型TM起偏分束器制造技术

一种基于亚波长光栅的定向耦合型TM起偏分束器，在一个非对称定向耦合器上引入亚波长光栅，其中一根有亚波长光栅的波导为通道一，另一根无亚波长光栅的波导为通道二。当光束从通道一入射时，TE偏振态光被亚波长光栅反射回来，TM偏振态光经亚波长光栅区域耦合进入通道二输出，实现TM偏振起偏器；当光束从通道二入射时，TE偏振态光经通道二传输输出，而TM偏振态光经亚波长光栅区域耦合进入通道一输出，实现TE和TM偏振分束器。本实用新型专利技术运用单一器件实现起偏器和分束器两种功能，大大提高了光电子器件的集成度，而且结构简单易于设计制造。

【技术实现步骤摘要】
基于亚波长光栅的定向耦合型TM起偏分束器
本技术属于微纳光电子、硅光子器件
，具体是指一种基于亚波长光栅的定向耦合型TM起偏分束器。
技术介绍
Silicononinsulator(绝缘衬底上硅)作为一种新型硅基集成电路和光电子材料，由于其较大的折射率差异，与CMOS兼容的特点得到了广泛的应用。但其偏振敏感的特点使其应用受到了较大的限制，因而如何研制出偏振控制器件是当下微纳光电子器件研究的重点。偏振分束器和起偏器是解决如何将两种偏振态的光同时传输的重要器件，也是集成光路应用最广泛的器件。集成电路的小型化要求减小器件的尺寸，但这会受到工艺的限制，所以以缩小器件尺寸提高集成度的方法遇到了制作工艺的瓶颈。运用单一器件实现多种功能成为提高系统集成度的又一方向。
技术实现思路
本技术所要解决的技术方案是：解决上述现有技术存在的问题，而提供一种基于亚波长光栅的定向耦合型TM起偏分束器，运用单一器件实现起偏器和分束器两种功能，大大提高光电子器件的集成度，而且结构简单易于设计制造。本技术采用的技术方案是：一种基于亚波长光栅的定向耦合型TM起偏分束器，在一个非对称定向耦合器上引入亚波长光栅，其中一根本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于亚波长光栅的定向耦合型TM起偏分束器，其特征在于：在一个非对称定向耦合器上引入亚波长光栅，其中一根有亚波长光栅的波导为通道一，另一根无亚波长光栅的波导为通道二；所述的非对称定向耦合器的通道一和通道二由两根不对称的波导组成，所述波导为绝缘衬底SiO2底板上的Si条，其中通道一为直线形波导，通道二的波导包括依次连接的输入直线段、弧形过渡段、耦合直线段、弧形过渡段和输出直线段；与通道二耦合直线段对应平行的通道一耦合段波导上等距离刻有若干平行的矩形槽，形成亚波长光栅，等距离刻有若干平行矩形槽的通道一耦合段与通道二的耦合直线段构成亚波长光栅区域；所述的通道一波导高220nm，宽480nm，耦合段...

【技术特征摘要】
1.一种基于亚波长光栅的定向耦合型TM起偏分束器，其特征在于：在一个非对称定向耦合器上引入亚波长光栅，其中一根有亚波长光栅的波导为通道一，另一根无亚波长光栅的波导为通道二；所述的非对称定向耦合器的通道一和通道二由两根不对称的波导组成，所述波导为绝缘衬底SiO2底板上的Si条，其中通道一为直线形波导，通道二的波导包括依次连接的输入直线段、弧形过渡段、耦合直线段、弧形过渡段和输出直线段；与通道二耦合直线段对应平行的通道一耦合段波导上等距离刻有若干平行的矩形槽，形成亚波长光栅，等距离刻有若干平行矩形槽的通道一耦合段与通道二的耦合直线段构成亚波长光栅区域；所述的通道一波导高220nm，宽480nm，耦合段长10-20µm；耦合段等距离刻有的矩...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晶晶，杨俊波，韩云鑫，黄杰，吴闻军，陈丁博，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科学技术大学，
类型：新型
国别省市：湖南,43