显示装置、阵列基板及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了显示装置、阵列基板及其制备方法。根据本发明专利技术的实施例，该阵列基板包括：衬底；平坦化层，所述平坦化层设置在所述衬底上，所述平坦化层具有第一过孔；钝化层，所述钝化层设置在所述平坦化层远离所述衬底的一侧，所述钝化层具有第二过孔，其中，所述第一过孔与所述第二过孔在所述衬底上的投影不重叠。由此，平坦化层过孔与钝化层过孔未形成套孔结构，缓解了显示装置在显示时产生显示不均的现象，提高了产品良率，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
显示装置、阵列基板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及显示装置、阵列基板及其制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)是液晶显示器中的一种，它使用薄膜晶体管技术来改善影象的品质，提高显示质量和整体性能。TFT-LCD以其大容量、高清晰度和高品质全真彩色受到人们的青睐，并广泛的应用于电视、平面显示器、投影机以及电子设备中。TFT-LCD是利用阵列基板与彩膜基板，对盒设置形成一个液晶盒，再经过后序工艺如偏光片贴覆等过程，最后形成液晶显示装置。其中，阵列基板是TFT-LCD的重要组成之一。然而，目前的显示装置、阵列基板及其制备方法，仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术是基于专利技术人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：虽然目前的阵列基板制备工艺日趋成熟，但仍存在多种显示不良等问题。专利技术人发现，上述不良，例如由于像素电极层与薄膜晶体管之间接触不良而导致的显示不均等不良，主要是由于目前的阵列基板在制备过程中，为了使电信号由薄膜晶体管的源漏电极传至像素电极层，中间绝缘的平坦化层以及钝化层均需设置有过孔通道，才能将源漏电极和像素电极层进行搭接并使电信号通过。现有的过孔搭接技术普遍使用套孔结构，即将钝化层过孔(PVXHole)设置在平坦化层过孔(PLNHole)的正中央，形成一个套孔结构(大孔套小孔)。而在设置套孔结构时，一方面，平坦化层过孔不能设计太大，过孔太大会使PI液无法正常填充，并且也会使PS层的支撑受到影响，进而影响液晶量范围(LCMargin)；另一方面，钝化层过孔不能设计太小，过孔太小无法确保刻蚀的临界尺寸(CriticalDimensionCD)均一性，并且受限于曝光机的精度。以上两种限制使得钝化层过孔与平坦化层过孔覆盖(Overlay)不太好的情况下，钝化层过孔偏离平坦化层过孔的中央至平坦化层过孔的侧壁上，此时，当钝化层过孔在平坦化层过孔侧壁上被定义时，其坡度角(Taperangle)很大，像素电极层通过钝化层过孔和平坦化层过孔进行搭接时，会在钝化层过孔的边缘产生断裂的风险，并且像素电极层与薄膜晶体管的源漏电极的接触面积也会受影响，造成接触电阻变大。因此，使显示装置在显示时产生污渍类的不良(Mura)，影响产品良率。本专利技术旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种阵列基板。根据本专利技术的实施例，该阵列基板包括：衬底；平坦化层，所述平坦化层设置在所述衬底上，所述平坦化层具有第一过孔；钝化层，所述钝化层设置在所述平坦化层远离所述衬底的一侧，所述钝化层具有第二过孔，其中，所述第一过孔与所述第二过孔在所述衬底上的投影不重叠。由此，平坦化层过孔与钝化层过孔未形成套孔结构，缓解了显示装置在显示时产生显示不均的现象，提高了产品良率，降低了生产成本。根据本专利技术的实施例，该阵列基板进一步包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧设置有源漏电极，所述平坦化层设置在所述源漏电极远离所述衬底的一侧；连接层，所述连接层设置在所述平坦化层与所述钝化层之间；像素电极层，所述像素电极层设置在所述钝化层远离所述连接层的一侧，其中，所述连接层通过所述第一过孔以及所述第二过孔，分别与所述源漏电极以及所述像素电极层相连。由此，连接层可以简便的通过平坦化层过孔与钝化层过孔将源漏电极和像素电极层连接，增大接触面积，减少接触电阻，避免了像素电极层在钝化层过孔边缘产生断裂，提高产品良率。根据本专利技术的实施例，所述连接层在所述衬底上的投影覆盖所述第一过孔在所述衬底上的投影，以及所述第二过孔在所述衬底上的投影。由此，连接层可以简便的通过平坦化层过孔与钝化层过孔将源漏电极和像素电极层连接。根据本专利技术的实施例，形成所述连接层的材料包括金属以及透明导电材料的至少之一。由此，可以进一步提高显示基板的使用性能。根据本专利技术的实施例，该阵列基板进一步包括：公共电极，所述公共电极与所述连接层同层且间隔设置，所述公共电极以及所述连接层是同步形成的。由此，可以简化制备工艺流程，进一步降低生产成本。根据本专利技术的实施例，该阵列基板包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧设置有源漏电极；平坦化层，所述平坦化层设置在所述源漏电极远离所述衬底的一侧，所述平坦化层在与所述源漏电极对应的区域内具有第一过孔，所述第一过孔贯穿所述平坦化层；连接层，所述连接层为导电材料形成的，所述连接层设置在所述平坦化层远离所述源漏电极的一侧，所述连接层覆盖所述第一过孔且在所述第一过孔处与所述源漏电极相连；公共电极，所述公共电极与所述连接层同层且间隔设置；钝化层，所述钝化层设置在所述连接层远离所述平坦化层的一侧，所述钝化层在与所述连接层对应的区域内具有第二过孔；像素电极层，所述像素电极层设置在所述钝化层远离所述连接层的一侧，所述像素电极层覆盖所述第二过孔且在所述第二过孔处与所述连接层相连，其中，所述第一过孔与所述第二过孔在所述衬底上的投影不重叠。由此，连接层可以简便的通过平坦化层过孔与钝化层过孔将源漏电极和像素电极层连接，增大接触面积，减少接触电阻，避免了像素电极层在钝化层过孔边缘产生断裂，提高产品良率，降低生产成本。在本专利技术的另一个方面，本专利技术提出了一种显示装置。根据本专利技术的实施例，该显示装置包括前面所述的阵列基板。由此，该显示装置可以具有前面描述的阵列基板所具有的全部特性以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置中的平坦化层过孔与钝化层过孔未形成套孔结构，避免了显示装置在显示时产生污渍类的Mura，提高了产品良率，降低了生产成本。在本专利技术的又一个方面，本专利技术提出了一种制备阵列基板的方法。根据本专利技术的实施例，该方法制备得到的阵列基板可以是前面描述的阵列基板。根据本专利技术的实施例，该方法包括：在衬底上形成平坦化层；在所述平坦化层上设置第一过孔；在所述平坦化层远离所述衬底的一侧，形成钝化层；在所述钝化层上设置第二过孔，并令所述第二过孔在所述衬底上的投影，与所述第一过孔在所述衬底上的投影不重叠。由此，可以简便的得到该阵列基板，所得到的阵列基板可以具有前面描述的阵列基板所具有的全部特性以及优点，在此不再赘述。总的来说，该阵列基板中的平坦化层过孔与钝化层过孔未形成套孔结构，避免了显示装置在显示时产生污渍类的Mura，提高了产品良率，降低了生产成本。根据本专利技术的实施例，该方法包括：在形成所述平坦化层之前，预先在所述衬底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧具有源漏电极；形成所述平坦化层之后，在与所述源漏电极对应的区域形成第一过孔；在所述平坦化层远离所述源漏电极的一侧，且与所述源漏电极对应的区域形成连接层，所述连接层覆盖所述第一过孔，所述连接层与所述源漏电极通过所述第一过孔连接；形成公共电极，所述公共电极与所述连接层同层且间隔设置；在形成所述钝化层之后，形成第二过孔，并暴露所述第二过孔处的所述连接层；在所述钝化层远离所述连接层的一侧形成像素电极层，所述像素电极层覆盖所述第二过孔，且与所述连接层相连。由此，可以简便的得到该阵列基板，连接层可以简便的通过平坦化层过孔与钝化层过孔将源漏电极和像素电极层连接，增大接触面积，减少接触电阻，避免了像素电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；平坦化层，所述平坦化层设置在所述衬底上，所述平坦化层具有第一过孔；钝化层，所述钝化层设置在所述平坦化层远离所述衬底的一侧，所述钝化层具有第二过孔，其中，所述第一过孔与所述第二过孔在所述衬底上的投影不重叠。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；平坦化层，所述平坦化层设置在所述衬底上，所述平坦化层具有第一过孔；钝化层，所述钝化层设置在所述平坦化层远离所述衬底的一侧，所述钝化层具有第二过孔，其中，所述第一过孔与所述第二过孔在所述衬底上的投影不重叠。2.根据权利要求1所述的陈列基板，其特征在于，进一步包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧设置有源漏电极，所述平坦化层设置在所述源漏电极远离所述衬底的一侧；连接层，所述连接层设置在所述平坦化层与所述钝化层之间；像素电极层，所述像素电极层设置在所述钝化层远离所述连接层的一侧，其中，所述连接层通过所述第一过孔以及所述第二过孔，分别与所述源漏电极以及所述像素电极层相连。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述连接层在所述衬底上的投影覆盖所述第一过孔在所述衬底上的投影，以及所述第二过孔在所述衬底上的投影。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，形成所述连接层的材料包括金属以及透明导电材料的至少之一。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，进一步包括：公共电极，所述公共电极与所述连接层同层且间隔设置，所述公共电极以及所述连接层是同步形成的。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧设置有源漏电极；平坦化层，所述平坦化层设置在所述源漏电极远离所述衬底的一侧，所述平坦化层在与所述源漏电极对应的区域内具有第一过孔，所述第一过孔贯穿所述平坦化层；连接层，所述连接层为导电材料形成的，所述连接层设置在所述平坦化层远离所述源漏电极的一侧，所述连接层覆盖所述第一过孔且在所述第一过孔处与所述源漏电极相连；公共电极，所述公共电极与所述连接层同层且间隔设置；钝化层，所述钝化层设置在所述连接层远离所述平坦化层的一侧，所述钝化层在与所述连接层对应的区域内具有第二过孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文涛，史大为，杨璐，徐海峰，姚磊，闫雷，薛进进，候林，王金锋，司晓文，闫芳，王培，刘国梁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11