具有内嵌流体导管的半导体制造装置制造方法及图纸

本文提供使用增材制造工艺(例如，3‑D打印)形成内嵌于半导体制造装置(例如，离子植入机)的组件内的导管的方式，其中所述导管被配置成将流体递送经过整个组件以对其提供加热、冷却及气体分配。在一种方式中，导管包括形成于所述导管的内表面上的一组凸起表面特征，以改变导管内的流体流动特性。在另一方式中，导管可以螺旋构形形成。在另一方式中，导管形成有多边形横截面。在另一方式中，离子植入机的组件包括以下中的至少一者：离子源、淹没式等离子体枪、冷却板、台板和/或弧室基座。

Semiconductor manufacturing device with embedded fluid conduit

This paper provides the use of additional material manufacturing process (for example, 3 D printing) form embedded in a semiconductor manufacturing device (e.g., ion implantation machine) catheter component of the way, wherein the conduit is configured to deliver fluid through the entire assembly to provide heating, cooling and gas distribution. In one way, the catheter includes a set of convex surface features formed on the inner surface of the catheter to change the flow characteristics of the fluid in the catheter. In another way, the catheter can be formed by a spiral configuration. In another way, the catheter is formed with a polygon cross section. In another way, the components of the ion implantation machine include at least one of the following: ion source, submerged plasma gun, cooling plate, platen and / or arc chamber pedestal.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有内嵌流体导管的半导体制造装置
本专利技术大体涉及半导体装置制作领域，且尤其涉及一种其中形成有复杂内嵌流体通道的半导体制造装置。
技术介绍
在半导体制造中，离子植入是用于在各种基于半导体的产品的生产期间改变半导体晶片特性的常用技术。离子植入可用于引入用来改变导电性的杂质(例如，掺杂剂植入)，使晶体表面改性(例如，预先非晶化(pre-amorphization))，生成隐埋层(例如，晕圈植入(haloimplant))，生成污染物的吸收部位，及生成扩散屏障(例如，氟与碳共同植入)。此外，离子植入可用于非晶体管应用(例如用于对金属接触区域进行合金化)，用于平板显示器制造，及用于其他表面处理。所有这些离子植入应用可一般被归类为用于形成材料改性(materialpropertymodification)区。在诸多掺杂工艺中，将所期望杂质材料离子化，所得离子被加速以形成具有规定能量的离子束，且所述离子束被引导于目标基板(例如基于半导体的晶片)的表面。离子束中的高能离子(energeticion)穿透至所述晶片的主体半导体材料中并内嵌至半导体材料的晶格(crystallinelattice)中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其特征在于，包括使用增材制造工艺形成内嵌于半导体制造装置的组件内的导管，所述导管包括形成于所述导管的内表面上的一组凸起特征。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.21 US 14/692,1891.一种方法，其特征在于，包括使用增材制造工艺形成内嵌于半导体制造装置的组件内的导管，所述导管包括形成于所述导管的内表面上的一组凸起特征。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一组凸起特征延伸至所述导管的内部区域中。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一组凸起特征包括以下中的至少一者：多个突起部及多个凸脊。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括以螺旋构形形成所述导管。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述组件包括以下中的至少一者：离子源、淹没式等离子体枪、冷却板、台板及弧室基座。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导管具有多边形横截面。7.一种方法，其特征在于，包括使用增材制造工艺形成内嵌于离子植入机的组件内的导管，所述导管包括形成于所述导管的内表面上的一组凸起表面特征，所述一组凸起表面特征延伸至所述导管的内部区域中。8.根据权利要求7...

【专利技术属性】
技术研发人员：约书亚·M·阿比沙斯，乔丹·B·泰伊，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国,US