具有受保护侧壁的半导体器件制造技术

公开了半导体器件以及保护多个半导体器件的侧壁的方法。所述方法包括步骤：在半导体晶圆上制造多个半导体器件；蚀刻以在所述半导体晶圆的背面上形成沟槽格网。所述沟槽格网划定多个半导体器件中的每一个的物理边界。所述方法还包括在背面上沉积保护层，蚀刻以从水平表面去除保护层，并且从半导体晶圆中分离出多个半导体器件中的每一个。

【技术实现步骤摘要】
具有受保护侧壁的半导体器件
本申请涉及一种半导体器件以及保护半导体器件的侧壁的方法。
技术介绍
电子系统不断减小的尺寸要求更小和更薄的电子部件。诸如集成电路的电子部件通常使用一小块硅晶圆。然而，在封装和添加接触引脚后电子部件的最终尺寸变得大得多。焊锡球或焊盘越来越多地用在集成电路甚至是分立部件的底部，以代替常规的金属引脚和焊线。然而，为了提高系统可靠性，半导体部件(例如，集成电路)大多数需要被封装以提供侧壁保护并防止裂纹。当器件尺寸较小(例如，毫米或更小尺寸)时，未受保护的侧壁可能会接触焊料材料，并且该器件可能会发生故障。图1示出了系统100的一部分，其中器件102被示出为焊接到印刷电路板(PCB)上的焊盘。如图所示，由于尺寸小，焊料104可能会接触器件102的侧壁。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念，这些概念在下面的具体实施方式中进一步描述。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或基本特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。在一个实施例中，公开了一种保护多个半导体器件的侧壁的方法。所述方法包括：(a)在半导体晶圆上制造多个半导体器件；(b本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护多个半导体器件的侧壁的方法，所述方法包括：(a)在半导体晶圆上制造所述多个半导体器件；(b)在所述多个半导体器件的每一个上形成多个接触焊盘；(c)形成隔离层以覆盖所述半导体晶圆的表面；(d)将所述半导体晶圆放置在载体上，以使得所述半导体晶圆背面朝上以及正面朝下且非永久地粘至所述载体的表面；(e)蚀刻以在所述半导体晶圆的背面上形成沟槽格网，其中，所述沟槽格网划定所述多个半导体器件中的每一个的物理边界；(f)在所述背面上沉积保护层；以及(g)蚀刻以从水平表面去除所述保护层，并从所述半导体晶圆中分离出所述多个半导体器件中的每一个。

【技术特征摘要】
2016.06.16 US 15/183,9401.一种保护多个半导体器件的侧壁的方法，所述方法包括：(a)在半导体晶圆上制造所述多个半导体器件；(b)在所述多个半导体器件的每一个上形成多个接触焊盘；(c)形成隔离层以覆盖所述半导体晶圆的表面；(d)将所述半导体晶圆放置在载体上，以使得所述半导体晶圆背面朝上以及正面朝下且非永久地粘至所述载体的表面；(e)蚀刻以在所述半导体晶圆的背面上形成沟槽格网，其中，所述沟槽格网划定所述多个半导体器件中的每一个的物理边界；(f)在所述背面上沉积保护层；以及(g)蚀刻以从水平表面去除所述保护层，并从所述半导体晶圆中分离出所述多个半导体器件中的每一个。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述载体包括粘性箔。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述载体包括缓冲晶圆。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层是以气体形式沉积的。5.根据权利要求1所述的方法，所述保护层是由聚对二甲苯或聚四氟乙烯制成的。6.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(a)至步骤(g)按所列顺序依次执行。7.一种半导体器件，所述半导体器件是通过在晶圆的背面上进行操作而制造的，所述操作包括：在半导体晶圆上制造多个半导体器件；将所述半导体晶圆放置在载体上，以使得所述半导体晶圆背面朝上以及正面向下且非永久地粘至所述载体的表面；蚀刻以在所述半导体晶圆的背面上形成沟槽格网，其中，所述沟槽格网划定所述多个半导体器件中的每一个的物理边界；在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：汉斯于尔根·芬克，托比亚斯·斯普罗杰斯，罗尔夫·布伦纳，吕迪格·韦伯，沃尔夫冈·施尼特，弗兰克·布尔迈斯特，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL