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公开了半导体器件以及保护多个半导体器件的侧壁的方法。所述方法包括步骤：在半导体晶圆上制造多个半导体器件；蚀刻以在所述半导体晶圆的背面上形成沟槽格网。所述沟槽格网划定多个半导体器件中的每一个的物理边界。所述方法还包括在背面上沉积保护层，蚀刻以...
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