【技术实现步骤摘要】
一种用于12寸晶圆片的快速清洗槽
本专利技术属于半导体制造
,特别涉及一种用于12寸晶圆片的快速清洗槽。
技术介绍
公开号为CN1567538A的专利文件,提到“在半导体制造过程中,晶圆的洁净度对制造的合格率有莫大的影响。有鉴于此,通常必须在每一道半导体工艺进行之前,以及工艺完成之后,另外再进行一道晶圆洗净的步骤,借以清除附着在晶圆上的材料微粒和化学残留物等。目前,在晶圆洗净的程序中,快速排水清洗法是相当常见的一种晶圆清洗方式。所谓快速排水清洗法是先将放在晶圆座(WaferStand)上的晶圆完全浸泡于快速排水清洗槽里的去离子水中,再快速地排除快速排水清洗槽中的去离子水,在此同时,对晶圆座上的晶圆喷洒去离子水,以冲洗晶圆。通常,在多槽式(Multi-bath)的湿式机台(WetBench)上,晶圆于每一化学液槽程序后,一般会紧接着快速排水清洗槽步骤,借以去除上一程序中,沾附于晶圆上的工艺微粒和化学残留物”。在上述环节中,快速排水清洗槽(QuickDumpRinseTank;QDRTank)是一种关键设备。如图1所示,是一种现有的快速清洗槽。实际清洗时,8寸晶圆片放置在晶圆片载具上,在晶圆片载具的下方设置有喷淋管和氮气管,水柱从喷淋管喷射出来,由于氮气管喷出的氮气的作用,在清洗槽内形成了纯水涡流气泡,在涡流气泡的作用下,晶圆片被清洗干净。但是,这种方法也有弊端。由于涡流运动不够稳定,也难以控制,因此,对于晶圆片的清洗力度只能依赖经验和估计,难以精确控制清洗效果。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于12寸晶圆片的快速清洗槽,目的在于解决现有的快速清洗槽在清 ...
【技术保护点】
一种用于12寸晶圆片的快速清洗槽,其特征在于,将12寸晶圆片被放置在晶圆片载具内,当所述晶圆片载具放置在所述快速清洗槽内时,在对应所述晶圆片载具内晶圆片的两侧垂直方向上分别设置有3个喷淋管,所述喷淋管的角度设置使得当水柱从喷淋管喷出时,水柱直接喷射到晶圆片的表面,在所述晶圆片载具两侧设置的喷淋管的角度设置是对称的,以晶圆片载具为中心形成3对喷淋管,使得两侧喷淋管喷射到晶圆片表面的水柱呈现为对称状态,且形成覆盖晶圆片的3个清洗面。
【技术特征摘要】
1.一种用于12寸晶圆片的快速清洗槽,其特征在于,将12寸晶圆片被放置在晶圆片载具内,当所述晶圆片载具放置在所述快速清洗槽内时,在对应所述晶圆片载具内晶圆片的两侧垂直方向上分别设置有3个喷淋管,所述喷淋管的角度设置使得当水柱从喷淋管喷出时,水柱直接喷射到晶圆片的表面,在所述晶圆片载具两侧设置的喷淋管的角度设置是对称的,以晶圆片载具为中心形成3对喷淋管,使得两侧喷淋管...
【专利技术属性】
技术研发人员:周文华,
申请(专利权)人:上海强华实业有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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