单晶硅片水基清洗剂制造技术

本发明专利技术公开一种单晶硅片水基清洗剂，其特征在于是荧光黄色透明液体，有如下组分和重量百分配比：表面活性剂２０～４０、溶剂５～１５、ｐＨ调节剂１５～２０、光亮剂１０～２０、去离子水３０～４５。是利用表面活性剂的复配性能，提高了表面去污力及保持清洁度的持续性，同时可使硅片洗后无水痕，更加光亮，对于单晶硅片等物料具有良好的清洁效果，并且提高了清洗速度和耐用性能。配制浓度低、用料少，不仅降低了用户的使用成本，还减少了污水排放，达到了节能减排的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硅片超声波清洗剂，尤其是一种可提高去垢能力、清洗速 度以及耐用性能的单晶硅片水基清洗剂。
技术介绍
硅片首先是将硅棒切割成片状，经过研磨、抛光、腐蚀等工序，以获得平 整光洁的表面，然后再经过清洗、氧化、光刻、外延生长、固态扩散等复杂的 加工过程，才能形成半导体材料。其中的清洗主要是去除切割过程中产生的沙 粒、残留的水溶性线切割悬浮液、金属离子、指纹等，清洗效果将直接影响硅 片的质量，必需满足除垢彻底、无腐蚀氧化、无残留等技术要求。目前，还没 有专用于单晶硅片的超声波清洗液，现有清洗剂存在着去垢能力差、清洗速度 慢以及耐用性能不强的缺点，导致作业用清洗剂浓度高、用量大，直接提高了 生产成本，同时换槽频繁、次数多，增加了污水排放量，不利于环境保护。
技术实现思路
本专利技术是为了解决现有技术所存在的上述技术问题，提供一种可提高去垢 能力、清洗速度以及耐用性能的单晶硅片水基清洗剂。本专利技术的技术解决方案是 一种单晶硅片水基清洗剂，其特征在于是荧光 黄色透明液体，有如下组分和重量百分配比表面活性剂 20~40溶剂 5~15PH调节剂 15 20光亮剂 10 20去离子水 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅片水基清洗剂，其特征在于是荧光黄色透明液体，有如下组分和重量百分配比：　　　　表面活性剂　　２０～４０　　　　溶剂　　５～１５　　　　ＰＨ调节剂　　１５～２０　　　　光亮剂　　１０～２０　　　　去离子水　　３０～４５。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张魁兰，
申请(专利权)人：大连三达奥克化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：91[中国|大连]