The invention relates to a millimeter wave GaN RF predistortion linearizer, aiming to provide a simple structure, low insertion loss and wide frequency band, good stability, can be used in millimeter wave GaN power amplifier predistortion linearization device, the invention is realized through the technical scheme of the RF signal from the RF input port (1), the input microstrip line (2) connected to the input chip capacitor (3), two (4) of gold through the input impedance conversion step (6) connected into the broadband matching network (5), GaAs (8) and Schottky diode socket circuit (9) generates a millimeter wave power and GaN chip amplitude compression and phase compression characteristics matched amplitude and phase distortion of the extended extended RF signal, through the broadband matching network (5) two step impedance conversion on the output end (17), the output matching wire (19) connected to the output capacitor (20) and The output microstrip line (21) is output to the radio frequency output (22).
【技术实现步骤摘要】
毫米波GaN功放射频预失真线性化器
本专利技术涉及一种主要应用于卫星通信、航天测控、5G移动通信等领域,关于用于毫米波GaN功率放大器中的射频预失真线性化器。
技术介绍
近年来,随着现代无线通信业务的迅猛发展,对通信系统容量的要求越来越大,通信频谱资源的日益紧张,毫米波技术成为迅猛发展的高新领域。为了解决这一矛盾,一方面要研究各种新技术和新措施,以压缩信号所占的频带宽度;另一方面,就要开辟和启用新的频段。在新技术方面,模拟调制技术以及数字调制技术的研究和应用在很大程度上增加了通信容量,提高了频谱利用率。随之而来的问题就是:此类线性调制技术,例如SPK、QPSK、QAM以及多载波技术等,都要求通信设备从频率变换到放大和发射的过程中保持充分的线性。为了追求更高的数据速率和频谱效率,现有技术普遍采用如QPSK,16QAM线性调制方式。另外,多载波配置技术导致了信号包络的变化,从而产生了交调失真,尽管频谱再生对本信道的影响不大,但它将会干扰相邻信道,这些都对功率放大器的线性度提出了苛刻的要求。在现代通信中,为了提高频谱利用率而应用的种种信号调制技术对射频收发信机的线性度要求很高,射频收发系统在保证要具有一定输出功率的同时,还要保证有着充分的线性度。而功率放大器是射频收发信机中非线性失真最严重的器件之一。在通信收发系统中,功率放大器位于发射机末端,其作用是将高频已调波信号进行功率放大,以满足发射机发送功率的要求,然后经过天线将高频功率信号辐射到空间,保证在一定区域内的接收机可以接收到满意的信号电平,并且不干扰相邻信道的通信。射频功率放大器是无线通信系统基站中消耗功率 ...
【技术保护点】
一种毫米波GaN功放射频预失真线性化器,包括,直流偏置电路(7)、GaAs肖特基二极管(8)、管座电路(9)和提供电源的直流电源(16),其特征在于,GaAs肖特基二极管(8)与直流偏置电路(7)之间设有宽带匹配网络(5);射频信号从射频输入口(1),经输入微带线(2)相连的输入芯片电容(3),通过输入金丝(4)相连的两级阻抗变换阶梯(6)进入宽带匹配网络(5),宽带匹配网络(5)通过GaAs肖特基二极管(8)和管座电路(9)产生一个与毫米波GaN功率芯片的幅度压缩和相位压缩特性相匹配的幅度扩展和相位扩展的失真射频信号,再通过宽带匹配网络(5)输出端上的两级阻抗变换阶梯(17),经输出匹配金丝(19)相连的输出芯片电容(20)和输出微带线(21)输出到射频输出口(22)。
【技术特征摘要】
1.一种毫米波GaN功放射频预失真线性化器,包括,直流偏置电路(7)、GaAs肖特基二极管(8)、管座电路(9)和提供电源的直流电源(16),其特征在于,GaAs肖特基二极管(8)与直流偏置电路(7)之间设有宽带匹配网络(5);射频信号从射频输入口(1),经输入微带线(2)相连的输入芯片电容(3),通过输入金丝(4)相连的两级阻抗变换阶梯(6)进入宽带匹配网络(5),宽带匹配网络(5)通过GaAs肖特基二极管(8)和管座电路(9)产生一个与毫米波GaN功率芯片的幅度压缩和相位压缩特性相匹配的幅度扩展和相位扩展的失真射频信号,再通过宽带匹配网络(5)输出端上的两级阻抗变换阶梯(17),经输出匹配金丝(19)相连的输出芯片电容(20)和输出微带线(21)输出到射频输出口(22)。2.如权利要求1所述的毫米波GaN功放射频预失真线性化器,其特征在于,输入微带线(2)采用标准50欧姆输入微带线,输入芯片电容(3)通过导电银浆粘接在标准50欧姆输入微带线(2)上,通过输入匹配金丝(4)键合相连宽带匹配网络(5),毫米波及以上频段的射频信号通过射频输入口(1)进入标准50欧姆输入微带线(2)通过输入匹配金丝(4)输入宽带匹配网络(5)。3.如权利要求2所述的毫米波GaN功放射频预失真线性化器,其特征在于,输出芯片电容(20)导电银浆粘接在标准50欧姆输出微带线(21)上,通过输出匹配金丝(19)键合相连输出两级阻抗变换阶梯(17),输入宽带匹配网络(5)通过输出两级阻抗变换阶梯(17)将隔离了直流信号的毫米波失真信号传输到输出匹配金丝(19),通过输出芯片电容(20)相连的标准50欧姆输出微带线(21),从射频输出口(22)输出。4.如权利要求1所述的毫米波GaN功放射频预失真线性化器,其特征在于,直流偏置电路(7)含有一端电连接直流电源(16),通过直流馈电分压限流电阻(15)串联的电阻阶梯焊盘(18)和另一端与对称扼流高阻线(13)两边的扼流扇形线(14)。5.如权利要求3所述的毫米波GaN功放射频...
【专利技术属性】
技术研发人员:李凯,张能波,朱海帆,党章,刘祚麟,忽文杰,李光,
申请(专利权)人:西南电子技术研究所中国电子科技集团公司第十研究所,
类型:发明
国别省市:四川,51
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