一种OLED像素电路及减缓OLED器件老化的方法技术

本发明专利技术提供一种OLED像素电路及减缓OLED器件老化的方法。该OLED像素电路及减缓OLED器件老化的方法，通过设置第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第一反向偏置单元及第二反向偏置单元，搭配简单的控制时序，使得第一发光二极管和第二发光二极管不会一直处于直流偏置状态，且第一发光二极管和第二发光二极管在不同帧画面期间交替发光，减少了第一发光二极管和第二发光二极管的发光时间，减缓了第一发光二极管和第二发光二极管的衰老，改善面板的显示质量。

A OLED pixel circuit and the method of slowing down the aging of OLED devices

The present invention provides a OLED pixel circuit and a method for slowing down the aging of OLED devices. The OLED pixel circuit and method for slowing down aging of OLED devices, by setting the first sub pixel driving unit and the second sub pixel drive unit, the first unit and the two reverse bias, reverse bias unit, control the timing of simple collocation, make the first light emitting diode and a second light emitting diode will not have been in the DC bias state, and the first and second light emitting light emitting diode light emitting diode alternating during different time frames, reduce the light emitting first light emitting diode and a second light emitting diode, a first light emitting diode and a second light emitting diode two slow aging, improve the quality of the display panel.

【技术实现步骤摘要】
一种OLED像素电路及减缓OLED器件老化的方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED像素电路及减缓OLED器件老化的方法。
技术介绍
有源矩阵发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，AMOLED)能够发光是由驱动薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)在饱和状态时产生的电流所驱动，传统的AMOLED像素电路常为2T1C驱动电路。请参阅图1，该2T1C电路包括两个TFT与一个电容(Capacitor)，其中，T1为像素电路的驱动管，T2为开关管，扫描线Gate开启开关管T2，数据电压Vdata对存储电容Cst充电，发光期间开关管T2关闭，电容上存储的电压使驱动管T1保持导通，导通电流使发光二极管OLED发光。由于发光二极管OLED长时间处于直流偏置的状态，内部的离子极性化，形成内建电场，导致发光二极管OLED的阈值电压不断增大，发光二极管OLED的发光亮度不断降低，缩短了发光二极管OLED的寿命；另外，由于不同灰阶下发光二极管OLED的直流偏置电压不同，每个子像素发光二极管OLED的衰老程度不同，使得屏幕显本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED像素电路，其特征在于，包括：第一子像素驱动单元，其包括第一薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第一电容及第一发光二极管；第二子像素驱动单元，其包括第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第二电容及第二发光二极管；其中，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管的源极接入电源正电压；所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第二节点；所述第一薄膜晶体管的漏极电性连接于所述第一发光二极管的阳极，所述第二薄膜晶体管的漏极电性连接于所述第二发光二极管的阳极；所述第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管的源极接入数据信号；所述第五薄膜晶体管的漏极电性连接于第一节点，所述第六薄膜晶体管的漏极...

【技术特征摘要】
1.一种OLED像素电路，其特征在于，包括：第一子像素驱动单元，其包括第一薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第一电容及第一发光二极管；第二子像素驱动单元，其包括第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第二电容及第二发光二极管；其中，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管的源极接入电源正电压；所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第二节点；所述第一薄膜晶体管的漏极电性连接于所述第一发光二极管的阳极，所述第二薄膜晶体管的漏极电性连接于所述第二发光二极管的阳极；所述第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管的源极接入数据信号；所述第五薄膜晶体管的漏极电性连接于第一节点，所述第六薄膜晶体管的漏极电性连接于第二节点；所述第五薄膜晶体管的栅极接入第二控制信号，所述第六薄膜晶体管的栅极接入第三控制信号；第一电容的一端电性连接于第一节点，另一端接入电源正电压；第二电容的一端电性连接于第二节点，另一端接入电源正电压；第一反向偏置单元，其包括第三薄膜晶体管、第七薄膜晶体管及第九薄膜晶体管；第二反向偏置单元，其包括第四薄膜晶体管、第八薄膜晶体管及第十薄膜晶体管；其中，所述第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的栅极接入第一控制信号；所述第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的源极接入电源正电压；所述第三薄膜晶体管的漏极电性连接于所述第一发光二极管的阴极，所述第四薄膜晶体管的漏极电性连接于所述第二发光二极管的阴极；所述第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管的栅极接入第一控制信号；所述第七薄膜晶体管的漏极电性连接于所述第一发光二极管的阳极端，所述第八薄膜晶体管的漏极电性连接于所述第二发光二极管的阳极端；所述第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管的源极接入电源负电压；所述第九薄膜晶体管、第十薄膜晶体管的栅极接入第一控制信号；所述第九薄膜晶体管、第十薄膜晶体管的源极接入电源负电压；所述第九薄膜晶体管的漏极电性连接于所述第一发光二极管的阴极，所述第十薄膜晶体管的漏极电性连接于所述第二发光二极管的阴极。2.根据权利要求1所述的OLED像素电路，其特征在于，所述第一控制信号、第二控制信号、第三控制信号均通过外部时序控制器提供。3.根据权利要求1所述的OLED像素电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管及第十薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。4.根据权利要求1所述的OLED像素电路，其特征在于，所述第一控制信号、第二控制信号、以及第三控制信号相组合先后对应于一第一发光二极管电位存储阶段，一第一发光二极管发光显示阶段、一第二发光二极管电位存储阶段、及一第二发光二极管发光显示阶段。5.根据权利要求4所述的OLED像素电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第十薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管；所述第四薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管；在所述第一发光二极管电位存储阶段，所述第一控制信号提供低电位，所述第二控制信号提供高电位，所述第三控制信号提供低电位；在所述第一发光二极管发光显示阶段，所述第一控制信号提供低电位，所述第二控制信号提供低电位，所述第三控制信号提供低电位；在所述第二发光二极管电位存储阶段，所述第一控制信号提供高电位，所述第二控制信号提供低电位，所述第三控制信号提供高电位；在所述第二发光二极管发光显示阶段，所述第一控制信号提供高电位，所述第二控制信号提供低电位，所述第三控制信号提供低电位。6.一种减缓OLED器件老化的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一OLED像素电路；所述OLED像素电路包括：第一子像素驱动单元，其包括第一薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第一电容及第一发光二极管；第二子像素驱动单元，其包括第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第二电容及第二发光二极管；其中，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管的源极接入电源正电压；所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第二节点；所述第一薄膜晶体管的漏极电性连接于所述第一发光二极管的阳极，所述第二薄膜晶体管的漏极电性连接于所述第二发光二极管的阳极；所述第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管的源极接入数据信号；所述第五薄膜晶体管的漏极电性连接于第一节点，所述第六薄膜晶体管的漏极电性连接于第二节点；所述第五薄膜晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：常勃彪，陈小龙，温亦谦，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44